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一種氧化物單晶真空電阻生長(zhǎng)爐的制作方法

文檔序號(hào):12636444閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及一種氧化物單晶真空電阻生長(zhǎng)爐,包括爐體、上爐腔、下?tīng)t腔、進(jìn)料裝置、回收管道、觀察窗、隔離閥、坩堝、電極、加熱器、絕緣層、進(jìn)料裝置、籽晶、位移電機(jī)、升降桿、位移檢測(cè)器、重力傳感器、溫度傳感器、報(bào)警器、可編程控制器、真空泵、保護(hù)氣進(jìn)氣電磁閥。該氧化物單晶電阻生長(zhǎng)爐結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便,通過(guò)進(jìn)料管道向爐體內(nèi)加入原料,通過(guò)回收管道將反應(yīng)后的物體輸出,反應(yīng)過(guò)程中無(wú)需移動(dòng)加熱器和電極,不會(huì)造成加熱器和電極的損壞。

技術(shù)研發(fā)人員:姚以力;姚華
受保護(hù)的技術(shù)使用者:齊齊哈爾市泰興機(jī)械加工有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼:201620989393
技術(shù)研發(fā)日:2016.08.29
技術(shù)公布日:2017.06.13

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