1.一種提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于，包括以下步驟：首先準(zhǔn)備原料，所述原料包括氯化銨和硅料；
接著將原料一起高溫加熱，使所述原料熔融均勻后再固化，即得到多晶硅錠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于：在所述“準(zhǔn)備原料”步驟中，所述原料包括1質(zhì)量份的硅料和1.0x10-8～20.0x10-8質(zhì)量份的氯化銨。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于：所述硅料為立體形狀的硅塊，所述硅塊包括純硅塊、承載用純硅塊和覆蓋用純硅塊，所述承載用純硅塊上設(shè)置有凹陷坑，凹陷坑用于放置氯化銨，所述覆蓋用純硅塊表面與凹陷坑上開口的表面相匹配，即覆蓋用純硅塊將凹陷坑的上開口封閉。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于：所述“準(zhǔn)備原料”的具體步驟為：將氯化銨放置于承載用純硅塊上的凹陷坑內(nèi)，然后使用覆蓋用純硅塊將凹陷坑的上開口封閉，純硅塊、設(shè)置有氯化銨的承載用純硅塊和覆蓋在凹陷坑上開口的覆蓋用純硅塊作為原料擺放于坩堝內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于：所述“準(zhǔn)備原料”的具體步驟為：將所述凹陷坑內(nèi)設(shè)置有氯化銨，且凹陷坑的上開口被覆蓋用純硅塊封閉的承載用純硅塊擺放于坩堝的中間或者所述凹陷坑內(nèi)設(shè)置的氯化銨位于坩堝的中間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于：所述“準(zhǔn)備原料”的具體步驟為：所述凹陷坑內(nèi)設(shè)置有氯化銨，且凹陷坑的上開口被覆蓋用純硅塊封閉的承載用純硅塊擺放的位置距離坩堝底部的距離是整個坩堝深度的四分之一或者所述凹陷坑內(nèi)設(shè)置的氯化銨的位置距離坩堝底部的距離是整個坩堝深度的四分之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于：所述“準(zhǔn)備原料”的具體步驟為：所述凹陷坑內(nèi)設(shè)置有氯化銨，且凹陷坑的上開口被覆蓋用純硅塊封閉的承載用純硅塊周圍擺放純硅塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法，其特征在于：所述氯化銨為晶體粉末劑。
9.一種多晶硅錠，其特征在于：使用權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的提升多晶硅錠轉(zhuǎn)換效率的方法制造得到的多晶硅錠。
10.一種太陽能電池，其特征在于：使用權(quán)利要求9所述的多晶硅錠制作而成的電池。