本發(fā)明涉及銀基離線Low-E鋼化玻璃均質化處理的技術領域，尤其涉及銀基離線Low-E鋼化玻璃均質化處理方法。

背景技術：

銀基離線Low-E鋼化玻璃具有對可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性，節(jié)能功能優(yōu)異，在當代的建筑中應用越來越多。同時為了滿足安全性要求，該Low-E玻璃均需鋼化處理，由于鋼化玻璃有自爆的特性，給銀基離線Low-E鋼化玻璃的后期使用造成一定的困擾，甚至帶來較大的安全隱患。

為了盡可能的減少銀基離線Low-E鋼化玻璃在運用中的自爆情況，一般情況下，在該銀基離線Low-E鋼化玻璃生產中都會進行均質化處理，將銀基離線Low-E鋼化玻璃放置在熱均質爐中進行均質化處理，使得容易自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃在加熱過程中提前自爆，避免銀基離線Low-E鋼化玻璃在后續(xù)使用過程中自爆。

現(xiàn)有技術中，由于銀基離線Low-E鋼化玻璃的表面鍍有銀層膜層，這樣，在均質化過程中，銀膜層易由于長時間受熱，出現(xiàn)脫膜氧化等缺陷，導致銀功能層被破壞，進而導致銀基離線Low-E鋼化玻璃廢品率大大提高，增加制造成本。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供銀基離線Low-E鋼化玻璃均質化處理方法，旨在解決現(xiàn)有技術中，銀基離線Low-E鋼化玻璃在均質化處理過程中，銀膜層易被氧化破壞的問題。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，銀基離線Low-E鋼化玻璃均質化處理方法，包括以下處理步驟：

1)、將多片銀基離線Low-E鋼化玻璃呈裸露狀放置在支撐架上，且多片所述銀基離線Low-E鋼化玻璃之間相間隔并列布置，相鄰的銀基離線Low-E鋼化玻璃之間用耐高溫板材間隔，且所述銀基離線Low-E鋼化玻璃與耐高溫板材之間具有間隙；

2)、將放置有銀基離線Low-E鋼化玻璃的支撐架置于密閉加熱爐中，并封閉密閉加熱爐；

3)、排出密閉加熱爐內的空氣，往所述密閉加熱爐內注入惰性氣體；

4)、啟動所述密閉加熱爐，對所述密閉加熱爐內的銀基離線Low-E鋼化玻璃進行加熱；

5)、所述密閉加熱爐加熱至一定溫度后恒溫一定時間；

6)、對所述密閉加熱爐進行水冷卻降溫，待所述密閉加熱爐降溫好以后，打開密閉加熱爐，取出經過加熱處理后的銀基離線Low-E鋼化玻璃。

進一步的，所述銀基離線Low-E鋼化玻璃呈縱向豎直狀放置于所述支撐架上。

進一步的，所述密閉加熱爐內的銀基離線Low-E鋼化玻璃在加熱過程中，依序進行升溫、恒溫以及降溫處理，且在恒溫時玻璃的溫度范圍控制在280℃-300℃之間。

進一步的，所述銀基離線Low-E鋼化玻璃進行恒溫處理的時間不小于2h。

進一步的，所述密閉加熱爐降溫的終止溫度為氣體溫度不高于70℃。

進一步的，所述銀基離線Low-E鋼化玻璃進行均質化處理的過程中，所述密閉加熱爐內的惰性氣體含量不低于95％。

進一步的，所述支撐架包括底座架，所述底座架的上端形成有架面，所述架面上中間位置設有豎向布置的支撐桿，所述支撐桿的上端設有橫向布置的定位桿，所述定位桿上形成有多個朝下布置且相間隔布置的定位頭，所述架面上插設有縱向布置的方桿，所述方桿的上端抵接在所述定位頭的側邊，所述耐高溫板材抵靠在所述方桿，所述銀基離線Low-E鋼化玻璃布置在所述耐高溫板材的外側。

進一步的，所述底座架具有多個水平布置且相互平行分布的水平桿，多條所述水平桿的上端形成所述架面；所述水平桿的上端中設有插孔，所述方桿的下端插設在所述插孔中。

進一步的，所述定位頭活動連接在所述定位桿上。

進一步的，所述定位桿上設有軌槽，所述軌槽具有朝下布置的開口，所述軌槽沿著所述定位桿的長度方向延伸布置，所述定位頭的上端活動置于所述軌槽中。

進一步的，在所述銀基離線Low-E鋼化玻璃的頂部套設有U型塊，所述U型塊的側邊抵靠在所述耐高溫板材上。

進一步的，所述底座架為條桿連接而成，所述底座架的內部呈空心狀，且所述架面的中部形成有鏤空區(qū)域，所述底座架的內部插設有收集板，所述收集板與所述鏤空區(qū)域正對布置；在所述步驟4)中，在所述密閉加熱爐內加熱并自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃的碎片落入所述收集板上。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的銀基離線Low-E鋼化玻璃均質化處理方法，多片銀基離線Low-E鋼化玻璃放置在支撐架上，便于一次性對多片銀基離線Low-E鋼化玻璃進行均質化處理；在密閉加熱爐內注入惰性氣體，將密閉加熱爐內的空氣排出，這樣，在加熱的過程中，惰性氣體可以保護銀基離線Low-E鋼化玻璃表面的銀膜層，避免銀膜層被破壞，進而較好的保證銀基離線Low-E鋼化玻璃的質量。通過上述的均質化處理，容易出現(xiàn)自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃在處理過程中，則會提前自爆，并且，自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃在耐高溫板材的阻擋下，不會對相鄰的銀基離線Low-E鋼化玻璃造成損傷，這樣，經過均質化處理的銀基離線Low-E鋼化玻璃在后續(xù)使用過程中，自爆概率則大大降低，進而大大提高銀基離線Low-E鋼化玻璃使用的安全性能。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例提供的用于放置銀基離線Low-E鋼化玻璃的支撐架的主視示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

以下結合具體實施例對本發(fā)明的實現(xiàn)進行詳細的描述。

參照圖1所示，為本發(fā)明提供的較佳實施例。

本實施例提供的銀基離線Low-E鋼化玻璃17均質化處理方法，對制造成型好的銀基離線Low-E鋼化玻璃17進行均質化處理，使得容易自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃17提前自爆，大大降低銀基離線Low-E鋼化玻璃17在后續(xù)使用過程中自爆的可能性，保證銀基離線Low-E鋼化玻璃17使用的安全性。

銀基離線Low-E鋼化玻璃17均質化處理方法，包括以下步驟：

1)、將多片銀基離線Low-E鋼化玻璃17放置在支撐架上，多片銀基離線Low-E鋼化玻璃17之間相間隔并列布置，且銀基離線Low-E鋼化玻璃17呈裸露狀布置；相鄰的銀基離線Low-E鋼化玻璃17之間用耐高溫板材16間隔，且銀基離線Low-E鋼化玻璃17與耐高溫板材16之間具有間隙；

2)、將放置有多片銀基離線Low-E鋼化玻璃17的支撐架放置在密閉加熱爐內，并封閉密閉加熱爐；

3)、往密閉加熱爐內注入惰性氣體，并同時排出密閉加熱爐內的空氣；

4)、啟動密閉加熱爐，對密閉加熱爐內的銀基離線Low-E鋼化玻璃17進行加熱；

5)、密閉加熱爐加熱至一定溫度后恒溫一定時間；

6)、待密閉加熱爐降溫好以后，打開密閉加熱爐，取出加熱后的銀基離線Low-E鋼化玻璃17。

上述的銀基離線Low-E鋼化玻璃17均質化處理方法中，多片銀基離線Low-E鋼化玻璃17放置在支撐架上，便于一次性對多片銀基離線Low-E鋼化玻璃17進行均質化處理；在密閉加熱爐內注入惰性氣體，將密閉加熱爐內的空氣排出，這樣，在加熱的過程中，惰性氣體可以保護銀基離線Low-E鋼化玻璃17表面的銀膜層，避免銀膜層被破壞，進而較好的保證銀基離線Low-E鋼化玻璃17的質量。

通過上述的均質化處理，容易出現(xiàn)自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃17在處理過程中，則會提前自爆，并且，自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃17在耐高溫板材16的阻擋下，不會對相鄰的銀基離線Low-E鋼化玻璃17造成損傷，這樣，經過均質化處理的銀基離線Low-E鋼化玻璃17在后續(xù)使用過程中，自爆概率則大大降低，進而大大提高銀基離線Low-E鋼化玻璃17使用的安全性能。

本實施例中，銀基離線Low-E鋼化玻璃17呈縱向豎直在狀布置放置在支撐架上，這樣，如果銀基離線Low-E鋼化玻璃17在加熱出現(xiàn)自爆現(xiàn)象時，可以避免自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃17的碎片對相鄰的銀基離線Low-E鋼化玻璃17造成損壞。

在上述步驟4)中，密閉加熱爐內的銀基離線Low-E鋼化玻璃17在加熱過程中，依序進行升溫、恒溫以及降溫處理，并且，恒溫時的溫度范圍控制為280℃至300℃之間，因此，在升溫過程中，要盡量避免溫度高于300℃，或者，縮短溫度高于300℃的時間，且恒溫的時間不小于2h。密閉加熱爐在降溫過程中，降溫的終止溫度不高于70℃，如果密閉加熱爐的溫度高于70℃，則禁止打開密閉加熱爐。

另外，銀基離線Low-E鋼化玻璃17進行均質化處理的過程中，密閉加熱爐內的惰性氣體含量不低于95％。

本實施例中，密閉加熱爐可以高壓釜，當然，也可以是類型的可以密閉的加熱設備。另外，當多個銀基離線Low-E鋼化玻璃17放置好在支撐架上后，利用綁帶等進行捆綁，以使得多片銀基離線Low-E鋼化玻璃17在支撐架穩(wěn)固固定。

本實施例中，支撐架包括底座架11，該底座架11的上端形成有架面112，在架面112上設有縱向布置的支撐桿13，支撐桿13的上端設有橫向布置的定位桿14，該定位桿14上形成有多個定位頭15，該多個定位頭15朝下延伸布置，且呈相間隔布置。架面112上插設有縱向布置的方桿12，方桿12的上端抵接在定位頭15的側邊，耐高溫板材16抵靠著方桿12，銀基離線Low-E鋼化玻璃17布置在耐高溫板材16的外側

這樣，在步驟1)中，將耐高溫板材16放置在架面112上，且抵靠著方桿12，銀基離線Low-E鋼化玻璃17放置在支撐架上，布置在耐高溫板材16的外側，且銀基離線Low-E鋼化玻璃17的底部置于底座架11的架面112上。

為了便于調節(jié)多片銀基離線Low-E鋼化玻璃17之間的間隔距離，定位頭15活動連接在定位桿14上，這樣，定位頭15則可以沿著定位桿14移動，實現(xiàn)相鄰之間的定位頭15的間隔調節(jié)。

具體地，在定位桿14上設有軌槽，該軌槽具有朝下布置的開口，且軌槽沿著定位桿14的長度方向延伸布置，定位頭15的上端活動置于軌槽中，從而，定位頭15則可以沿著軌槽移動，定位頭15移動至適當位置時，再利用緊固件等將定位頭15固定位置。

作為其他實施例，定位頭15也可以通過其他方式在定位桿14上移動，例如直接將定位頭15通過螺釘固定在定位桿14的不同位置，也可以實現(xiàn)相鄰定位頭15之間的間隔調節(jié)。

底座架11具有多個水平布置且相互平行分布的水平桿，多條水平桿的上端形成上述的架面112，水平桿的上端中設有插孔，方桿12的下端插設在插孔中。

在底座架11的架面112中分別多個插孔，該多個插孔沿底座架11的橫向方向延伸布置，這樣，當銀基離線Low-E鋼化玻璃17放置好的底座架11的架面112上后，通過在插孔中插設方桿12，且方桿12置于銀基離線Low-E鋼化玻璃17的外側，這樣，可以進一步保護放置好的銀基離線Low-E鋼化玻璃17，對銀基離線Low-E鋼化玻璃17進行多一次的定位。

當耐高溫板材16放置在支撐架上后，為了使得其與銀基離線Low-E鋼化玻璃17之間存在間隙，在銀基離線Low-E鋼化玻璃17的頂部套設有U型塊18，U型塊18的側邊抵靠在耐高溫板材16上，這樣，通過配置不同厚度的U型頭，則可以調節(jié)耐高溫板材16與銀基離線Low-E鋼化玻璃17之間的間隙的大小。

底座架11為條桿連接而成，底座架11的內部呈空心狀，且底座架11的架面112的中部形成鏤空區(qū)域，且在底座架11內部插設有收集板，該收集板正對這架面112的鏤空區(qū)域布置，這樣，銀基離線Low-E鋼化玻璃17在加熱的過程中，出現(xiàn)自爆的銀基離線Low-E鋼化玻璃17的碎片，則通過架面112的鏤空區(qū)域落入在收集板上，便于工人對銀基離線Low-E鋼化玻璃17的碎片進行收集打掃。

底座架11的端部中設有開口，這樣，便于收集板插入底座架11的內部，以及將收集板從底座架11的端部的開口抽出。

另外，為了便于支撐架的放置，底座架11呈倒梯形狀布置，且底部兩側呈傾斜狀，底部的中部形成有放置面111，這樣，當底座架11處于放置狀態(tài)時，其底部的中部直接置于地面等上，且底部的兩側呈懸空狀，不會對放置的地面有過大的要求。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。