技術(shù)特征：

1.一種提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于步驟如下：

步驟1：以硅粉、碳粉和氧化鋁粉為原料，采用包埋熔滲法在碳/碳復(fù)合材料表面制備硅基陶瓷改性層得到改性C/C復(fù)合材料；所述硅粉、碳粉和氧化鋁粉質(zhì)量百分比的比例為75～95％的硅粉，8～20％的碳粉和0～5％的氧化鋁粉；

步驟2：將改性C/C復(fù)合材料置于大氣環(huán)境中進(jìn)行氧化處理，在1420℃～1600℃范圍內(nèi)對(duì)其氧化0.1～3h，得到表面多孔而內(nèi)部保存完好的蜂窩狀多孔結(jié)構(gòu)；

步驟3：將MAS玻璃粉體與無水乙醇超聲混合制成懸濁液，涂刷在C/C復(fù)合材料表面，置于通風(fēng)處自然風(fēng)干，然后置于熱壓模具中，并將LAS粉體平鋪C/C復(fù)合材料上，置于熱壓爐中；

步驟4：先將熱壓爐抽真空，待其真空度滿足設(shè)備要求時(shí)開始升溫，以8～15℃/min的速度升至900～1000℃，保溫3～5min，再以5℃/min的速度升至1250～1350℃后，保溫20～30min，同時(shí)施以15～20MPa的壓力，保溫結(jié)束后斷電卸壓，待冷卻至室溫時(shí)得到C/C-LAS接頭。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于：所述步驟1包埋熔滲法在碳/碳復(fù)合材料表面制備硅基陶瓷改性層得到改性C/C復(fù)合材料的方法為：將硅粉、碳粉和氧化鋁粉球磨后得到混合粉料，將C/C復(fù)合材料包埋于裝有混合粉料的石墨坩堝中，并用石墨紙密封；將石墨坩堝放入高溫反應(yīng)石墨化爐中，在氬氣氣氛中，以20℃/min的升溫速度將爐溫升至1700～1800℃，再以5℃/min的速度升溫至2100～2300℃，并保溫1～3h，隨后關(guān)閉電源自然冷卻至室溫，獲得硅基陶瓷涂層表面改性的C/C復(fù)合材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于：所述LAS玻璃粉體的制備：以質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5～15％的Li₂CO₃、5～15％的Al₂O₃和70～90％的SiO₂為原料，利用熔融水淬法制得塊體LAS玻璃，經(jīng)過粉碎獲得LAS玻璃粉體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于：所述MAS玻璃粉體的制備：以質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5～15％的MgO、15～25％的Al₂O₃、60～75％的SiO₂為原料，利用熔融水淬法制得MAS塊體玻璃，經(jīng)過粉碎獲得MAS玻璃粉體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于：在MAS玻璃粉體的制備中添加小于0.5％的TiO₂和B₂O₃添加劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于：所述步驟3涂覆MAS中間層玻璃粉的干量為0.5～1.5kg/m²。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于：所述LAS玻璃粉體的粒度為-325目。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于：所述MAS粉體的粒度為-325目。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述提高碳/碳-鋰鋁硅接頭剪切性能的方法，其特征在于：所述Si、SiO₂、Al₂O₃、Li₂CO₃、MgO、TiO₂或B₂O₃的粒度為-325目，純度分析純AR。