技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種6英寸直拉重摻硅單晶無位錯生長工藝及其熱場系統(tǒng)。即熔晶中穩(wěn)定時間為50?60分鐘，平均溫度變化控制在0.3?0.8℃；引晶中控制細頸直徑為3.5?4mm，細頸長度為150?200mm，平均引晶速率為250?350mm/h；放肩中提拉速率設(shè)為38mm/h，放肩的降溫曲線通過放肩階段晶體的直徑大小進行控制；等徑中額外增加補溫。由此成功在14英寸熱場下生長出了無漩渦無位錯6吋重摻硅單晶，氧碳測試結(jié)果達到國標，其應(yīng)用成本低，符合單晶生產(chǎn)要求。本工藝使用新設(shè)計的三段式導(dǎo)流筒結(jié)構(gòu)的熱場，設(shè)計爐底為雙層結(jié)構(gòu)，增強了單晶爐的保溫性，有助于拉制大尺寸單晶，有效防止拉制重摻單晶過程組分過冷的發(fā)生。

技術(shù)研發(fā)人員：莫宇;李春龍;韓煥鵬;張睿;呂菲
受保護的技術(shù)使用者：中國電子科技集團公司第四十六研究所
文檔號碼：201610939973
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.02
技術(shù)公布日：2017.01.11