專利名稱：一種適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及硅 單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置，具體為一種在適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置。
背景技術(shù)：
直拉法生產(chǎn)硅單晶已經(jīng)是該領(lǐng)域通用的一種技術(shù)手段，在此生產(chǎn)過程中，需要用到熱場(chǎng)裝置，通常情況下，熱場(chǎng)裝置包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝、位于石墨坩堝外圍的加熱電極和位于石英坩堝內(nèi)側(cè)的導(dǎo)流筒，生產(chǎn)過程中，石英坩堝內(nèi)的原料經(jīng)過加熱和局部冷卻并拉伸生長(zhǎng)形成圓柱狀的硅單晶。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的熱場(chǎng)裝置中，各部件的相對(duì)位置設(shè)置不合理，不易形成較好的溫度梯度，不利于拉晶過程的穩(wěn)定和拉晶速度的提高，尤其不適合20英寸這種大型硅單晶的生長(zhǎng)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題在于提供一種適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置，使之可以形成較好的溫度梯度，并適于20英寸大型硅單晶的生長(zhǎng)，從而解決上述背景技術(shù)中的缺點(diǎn)。本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置，包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝、位于石墨坩堝外圍的加熱器，與傳統(tǒng)熱場(chǎng)裝置的顯著區(qū)別在于，本實(shí)用新型在所述外殼上裝置有保溫板，該保溫板上固接有中空的倒圓臺(tái)形的熱屏，該熱屏的上方安裝有石墨導(dǎo)熱筒。作為一種改進(jìn)，所述外殼的底部貼附有炭氈，同時(shí)也可以在外殼上方內(nèi)壁貼附炭氈，以易于內(nèi)部溫度的提升和穩(wěn)定。作為一種改進(jìn)，所述石墨導(dǎo)熱筒的高度為230mm。作為一種改進(jìn)，熱屏外表面與石英坩堝側(cè)面形成一定錐度(漸縮流道)，且流道變窄，同時(shí)該熱屏內(nèi)部炭氈加厚，熱屏下表面與石英坩堝內(nèi)自由液面之間的導(dǎo)流流道面積增大。由于采用了以上技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有以下有益效果本實(shí)用新型通過設(shè)置熱屏、導(dǎo)流筒、炭氈等合理部件，以及對(duì)它們的相對(duì)位置和規(guī)格進(jìn)行選擇，使得熱場(chǎng)裝置內(nèi)形成合適的溫度梯度，氣體在熱場(chǎng)裝置內(nèi)分布合理，適于直拉法中20英寸硅單晶的生長(zhǎng)。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。參見圖1，一種適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置，包括有外殼1、安裝在外殼1中心的石墨坩堝2、位于石墨坩堝2內(nèi)的石英坩堝3、位于石墨坩堝2外圍的加熱器4，與傳統(tǒng)熱場(chǎng)裝置的顯著區(qū)別在于，本實(shí)用新型在所述外殼1上裝置有保溫板5，該保溫板5上固接有中空的倒圓臺(tái)形的熱屏6，該熱屏6的上方安裝有石墨導(dǎo)熱筒7。本實(shí)施例中，所述外殼1的底部和上方內(nèi)壁均貼附有炭氈8，以易于內(nèi)部溫度的提升和穩(wěn)定。本實(shí)施例中，所述石墨導(dǎo)熱筒7的高度為230mm。本實(shí)施例中，所述熱屏6外表面與石英坩堝3側(cè)面形成一定錐度(漸縮流道)，且流道變窄，同時(shí)該熱屏6內(nèi)部炭氈加厚，熱屏6下表面與石英坩堝3內(nèi)自由液面之間的導(dǎo)流流道面積增大。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求1.一種適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置，包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝、位于石墨坩堝外圍的加熱器，其特征在于所述外殼上設(shè)置有保溫板，該保溫板上固接有中空的倒圓臺(tái)形的熱屏，該熱屏的上方安裝有石墨導(dǎo)熱筒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置，其特征在于所述外殼的底部貼附炭氈。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置，其特征在于所述石墨導(dǎo)熱筒的高度為230mm。
專利摘要一種適于直拉法中20英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)裝置，包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝、位于石墨坩堝外圍的加熱器，所述外殼的上部設(shè)置有保溫板，該保溫板上固接有中空的倒圓臺(tái)形的熱屏，該熱屏的上方安裝有石墨導(dǎo)熱筒。本實(shí)用新型通過增設(shè)熱屏、導(dǎo)流筒、炭氈等合理部件，并對(duì)它們的相對(duì)位置和規(guī)格進(jìn)行選擇，使得熱場(chǎng)裝置內(nèi)形成合適的溫度梯度，氣體在熱場(chǎng)裝置內(nèi)分布合理，適于直拉法中20英寸硅單晶的生長(zhǎng)。
文檔編號(hào)C30B15/14GK201942784SQ201120016798
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者李斌, 楊峰, 林增標(biāo), 林德彰, 林海萍, 王縣, 王增榮, 王飛, 賴汝萍, 郝俊濤, 鐘貴琪, 黃云增, 黃少華, 黃斌, 黃魯生 申請(qǐng)人:江西神硅科技有限公司