技術總結
本發(fā)明公開了一種紅外非線性光學晶體及其制備方法。該晶體的分子式為為BaZnGeSe4；該晶體具有非中心對稱結構，屬于正交晶系，空間群為Ama2，晶胞參數為α＝β＝γ＝90°，晶胞體積Z＝4。本發(fā)明晶體采用高溫固相反應法，經過兩次燒結制備而成。本發(fā)明的晶體粉末倍頻測試表明，該晶體具有強的非線性效應，倍頻信號強度與AgGaS2相當，在紅外激光變頻領域具有應用潛力；同時BaZnGeSe4具有一類相位匹配的特性；本發(fā)明的制備方法簡單、易行、可靠。

技術研發(fā)人員：尹文龍;余盛全;唐明靜;袁澤銳;竇云巍;張羽;方攀;陳瑩;康彬;鄧建國
受保護的技術使用者：中國工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
文檔號碼：201610827991
技術研發(fā)日：2016.09.18
技術公布日：2017.02.22