1.一種高純高α相氮化硅粉體的制備方法，其特征在于，依次按照以下步驟進(jìn)行：
（1）選用高純度硅粉作為原料，對其表面進(jìn)行活化處理；
（2）由高純硅粉與氮化硅粉混合均勻，壓塊，裝爐；
（3）抽真空達(dá)到（1.0~4.0）×10-2 Pa；
（4）向爐內(nèi)通入氮氣和氫氣；
（5）優(yōu)化溫度曲線，在1100~1400℃長時間脈沖點式增溫，更精確的控制反應(yīng)溫度和速度；
（6）多級凈化純化貫穿工藝流程，使生產(chǎn)過程中引入的雜質(zhì)得到有效清除，從而獲得高純高α相氮化硅粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純高α相氮化硅粉體的制備方法中，其特征在于，所述高純硅粉的純度為99.99%~99.9999%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純高α相氮化硅粉體的制備方法中，其特征在于，所述活化處理方式為粒子高速對撞。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純高α相氮化硅粉體的制備方法中，其特征在于，所述氮化硅粉的純度為99.99~99.999%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純高α相氮化硅粉體的制備方法中，其特征在于，所述高純硅粉與氮化硅粉的比例為100：（5~20）。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純高α相氮化硅粉體的制備方法中，其特征在于，所述硅粉的粒徑≤20um。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純高α相氮化硅粉體的制備方法中，其特征在于，所述氮化硅粉體的粒徑≤5um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純高α相氮化硅粉體的制備方法中，其特征在于，所述氮氣與氫氣的體積比為100：（1~15）。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純高α相氮化硅粉體的制備方法中，其特征在于，所述燒結(jié)溫度為1400~1480℃。