技術(shù)總結(jié)
一種正交相二維層狀SiP單晶及薄膜的制備方法及其應(yīng)用，該方法包括以下步驟：(1)稱取Si、P和Sn，Sn作為金屬助熔劑，然后將三種原料裝入石英管中，抽真空后燒結(jié)封管；(2)將石英管放入加熱爐中，采用階段性升溫程序，Si和P充分化合反應(yīng)；(3)o?SiP成核并長(zhǎng)大后，將石英管從爐膛取出并倒置，o?SiP單晶與金屬助熔劑Sn分離；(4)打開石英管取出料塊，除去附著在o?SiP表面的Sn助熔劑，清洗干凈，得到片狀o?SiP晶體；(5)將o?SiP晶體浸沒于NaOH溶液中，超聲后分離出沉淀物，清洗得到較大尺寸及高質(zhì)量的正交相二維層狀SiP單晶納米薄膜；可用于飽和吸收體對(duì)激光產(chǎn)生調(diào)制、超短脈沖激光器的被動(dòng)鎖模以及制作光電子器件、輻射探測(cè)器或太陽(yáng)能電池。

技術(shù)研發(fā)人員：王善朋;陶緒堂;李春龍;于童童
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610590752
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.25
技術(shù)公布日：2016.11.16