本發(fā)明涉及一種硅片生產(chǎn)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，利用定向凝固的方法生產(chǎn)多晶硅錠是普遍采用的方法，其基本原理是：將多晶硅原料放置在石英陶瓷坩堝中，采用特定的熱場系統(tǒng)，將硅料加熱至完全融化；然后從坩堝的底部開始冷卻，硅溶液在坩堝底部開始結(jié)晶，逐漸向上生長(凝固)；完成生長過程后，通常會(huì)將熱場重新閉合，并將多晶鑄錠保溫一段時(shí)候后開始冷卻。將所產(chǎn)晶錠經(jīng)過開方、倒角磨面、線切割，線切割主要采用一定間距排列的鋼線，配合砂漿進(jìn)行磨削切割，切割成100～300μm厚度的硅片，砂漿的主要成分為碳化硅和聚乙二醇。從鑄錠到切割硅片的整個(gè)過程涉及數(shù)道工序，各工序的過程中都有可能引進(jìn)雜質(zhì)的污染，如鑄錠的裝料過程，鑄錠的生長過程與坩堝接觸，坩堝的純度遠(yuǎn)低于硅料，鑄錠用熱場也會(huì)有雜質(zhì)的揮發(fā)等，切割的砂漿和切割剛線的磨損，都是引入雜質(zhì)的途徑。而且經(jīng)過數(shù)道工序，成本較高。
有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計(jì)人，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型硅片生產(chǎn)系統(tǒng)，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種硅片生產(chǎn)系統(tǒng)。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
一種硅片生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于：包括金屬腔體(1)，所述金屬腔體(1)設(shè)置有進(jìn)氣口(2)和出氣口(3)，所述進(jìn)氣口(2)位于所述金屬腔體(1)內(nèi)部設(shè)置有一進(jìn)氣口控制閥門(21)，所述出氣口(3)位于所述金屬腔體(1)內(nèi)部設(shè)置有一出氣口控制閥門(31)；所述坩堝(4)設(shè)置在所述金屬腔體(1)內(nèi)部，所述坩堝用于融化硅，所述坩堝外側(cè)還設(shè)置有一保溫裝置(5)，所述保溫裝置(5)內(nèi)設(shè)置有加熱絲(6)，所述加熱絲(6)用于保持所述保溫裝置(5)的溫度；所述坩堝(4)設(shè)置有出料口(7)，所述出料口(7)下方設(shè)置有一輸送裝置(8)。
進(jìn)一步的，所述輸送裝置(8)為輸送帶，所述輸送帶為耐高溫材料制成。
進(jìn)一步的，所述輸送裝置(8)內(nèi)部還設(shè)置有一加熱裝置(9)，用于保持輸送過程中的溫度。
進(jìn)一步的，還包括與所述輸送裝置(8)連接的切割系統(tǒng)，所述切割系統(tǒng)用于切割硅片。
借由上述方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：
本發(fā)明可減少傳統(tǒng)硅片生產(chǎn)過程中繁瑣的工序步驟，大幅度降低了生產(chǎn)成本；且基本不引入雜質(zhì)，因此，整過生產(chǎn)過程中污染源極少，有利于提高硅片質(zhì)量，保證了太陽能電池片質(zhì)量的穩(wěn)定。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖中：1-金屬腔體；2-進(jìn)氣口；21-進(jìn)氣口控制閥門；3-出氣口；31-出氣口控制閥門；4-坩堝；5-保溫裝置；6-加熱絲；7-出料口；8-輸送裝置；9-加熱裝置。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
參見圖1，本發(fā)明一較佳實(shí)施例所述的一種硅片生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于：包括金屬腔體1，所述金屬腔體1設(shè)置有進(jìn)氣口2和出氣口3，所述進(jìn)氣口2位于所述金屬腔體1內(nèi)部設(shè)置有一進(jìn)氣口控制閥門21，所述出氣口3位于所述金屬腔體1內(nèi)部設(shè)置有一出氣口控制閥門31；所述坩堝4設(shè)置在所述金屬腔體1內(nèi)部，所述坩堝用于融化硅，所述坩堝外側(cè)還設(shè)置有一保溫裝置5，所述保溫裝置5內(nèi)設(shè)置有加熱絲6，所述加熱，6用于保持所述保溫裝置5的溫度；所述坩堝4設(shè)置有出料口7，所述出料口7下方設(shè)置有一輸送裝置8。
-所述輸送裝置8為輸送帶，所述輸送帶為耐高溫材料制成。
-所述輸送裝置8內(nèi)部還設(shè)置有一加熱裝置9，用于保持輸送過程中的溫度。
-還包括與所述輸送裝置8連接的切割系統(tǒng)，所述切割系統(tǒng)用于切割硅片。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，并不用于限制本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。