一種半導(dǎo)體硅片機械拋光清洗液及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體表面處理領(lǐng)域，具體是一種半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路的制造工藝過程中，芯片的表面狀態(tài)及潔凈度是影響器件質(zhì)量與可靠性的最重要的因素之一，因此，在芯片制造過程中，必須對硅片進行化學(xué)機械拋光。目前，硅片化學(xué)機械拋光是將硅片置于拋光墊上，使用拋光液對硅片進行拋光。因現(xiàn)有拋光液中一般都含有二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、金屬離子和有機化合物等，所以硅片經(jīng)過化學(xué)機械拋光后，上述化合物、離子以及拋光過程中產(chǎn)生的顆粒就會吸附在硅片表面上，造成硅片污染，因此需要在拋光后對硅片進行清洗，得到符合要求的潔凈硅片。現(xiàn)有清洗液對硅片表面進行氧化和腐蝕，但容易出現(xiàn)腐蝕不均勻的現(xiàn)象，導(dǎo)致硅片表面平整度差，難以去除拋光及腐蝕過程中所產(chǎn)生的金屬污染物(鐵、鎳、銅、鈣、鉻、鋅、或其氫氧化物或氧化物)、粒徑在Ο.?μπι以下的顆粒以及金屬離子，清洗效果差，清洗液成本高且對環(huán)境污染嚴(yán)重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，按照重量份的原料包括:檸檬酸2-4份、檸檬酸氫二銨2-4份、四甲基氫氧化銨0.1-0.3份、四丙基氫氧化銨0.1-0.3份、乙醇胺0.1-0.2份、聚醚表面活性劑0.4-0.8份、氯化鉀0.1-0.4份、氯化鈉0.1-0.3份、過硫酸鈉0.01-0.1份、去離子水20-30份、二氧化硅2-4份。
[0005]作為本發(fā)明進一步的方案:按照重量份的原料包括:檸檬酸3份、檸檬酸氫二銨3份、四甲基氫氧化銨0.2份、四丙基氫氧化銨0.2份、乙醇胺0.2份、聚醚表面活性劑0.6份、氯化鉀0.3份、氯化鈉0.2份、過硫酸鈉0.05份、去離子水20-30份、二氧化硅3份。
[0006]進一步的，所述清洗液的pH值為8.0?12.0。
[0007]進一步的，所述清洗液的pH值為9.0?11.5。
[0008]本發(fā)明還涉及前述的半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液的制備方法，包括以下步驟:
步驟1:取10份去離子水注入容器，一邊攪拌一邊加入其它組分，攪拌時間為2min;
步驟2:將剩余的去離子水滴入步驟I得到的混合液中，一邊攪拌一邊測pH值，當(dāng)pH值達到所需PH值時，停止滴入去離子水，繼續(xù)攪拌5min，既得半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明能降低清洗劑的表面張力，可以快速剝離掉表面污染物，有效清洗硅片表面，降低硅表面粗糙度;抑制金屬雜質(zhì)對硅片的污染，能減少氧化物的沉淀;成本低，對環(huán)境無污染，可徹底清洗污染物;有效根除了移動金屬離子的擴散，提高了芯片的可靠性，提高了生產(chǎn)的良率。
【具體實施方式】
[0010]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0011]實施例1
本發(fā)明實施例中，一種半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，按照重量份的原料包括:檸檬酸2份、檸檬酸氫二銨2份、四甲基氫氧化銨0.1份、四丙基氫氧化銨0.1份、乙醇胺0.1份、聚醚表面活性劑0.4份、氯化鉀0.1份、氯化鈉0.1份、過硫酸鈉0.01份、去離子水20份、二氧化硅2份。
[0012]半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液的制備方法，包括以下步驟:
步驟1:取10份去離子水注入容器，一邊攪拌一邊加入其它組分，攪拌時間為2min;
步驟2:將剩余的去離子水滴入步驟I得到的混合液中，一邊攪拌一邊測pH值，當(dāng)pH值達到所需PH值時，停止滴入去離子水，繼續(xù)攪拌5min，既得半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液。
[0013]實施例2
本發(fā)明實施例中，一種半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，按照重量份的原料包括:檸檬酸4份、檸檬酸氫二銨4份、四甲基氫氧化銨0.3份、四丙基氫氧化銨0.3份、乙醇胺0.2份、聚醚表面活性劑0.8份、氯化鉀0.4份、氯化鈉0.3份、過硫酸鈉0.1份、去離子水30份、二氧化硅4份。
[0014]半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液的制備方法，包括以下步驟:
步驟1:取10份去離子水注入容器，一邊攪拌一邊加入其它組分，攪拌時間為2min;
步驟2:將剩余的去離子水滴入步驟I得到的混合液中，一邊攪拌一邊測pH值，當(dāng)pH值達到所需PH值時，停止滴入去離子水，繼續(xù)攪拌5min，既得半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液。
[0015]實施例3
本發(fā)明實施例中，一種半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，按照重量份的原料包括:檸檬酸3份、檸檬酸氫二銨3份、四甲基氫氧化銨0.2份、四丙基氫氧化銨0.2份、乙醇胺0.2份、聚醚表面活性劑0.6份、氯化鉀0.3份、氯化鈉0.2份、過硫酸鈉0.05份、去離子水30份、二氧化硅3份。
[0016]半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液的制備方法，包括以下步驟:
步驟1:取10份去離子水注入容器，一邊攪拌一邊加入其它組分，攪拌時間為2min;
步驟2:將剩余的去離子水滴入步驟I得到的混合液中，一邊攪拌一邊測pH值，當(dāng)pH值達到所需PH值時，停止滴入去離子水，繼續(xù)攪拌5min，既得半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液。
[0017]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括:檸檬酸2-4份、檸檬酸氫二銨2-4份、四甲基氫氧化銨0.1-0.3份、四丙基氫氧化銨0.1-0.3份、乙醇胺0.1-0.2份、聚醚表面活性劑0.4-0.8份、氯化鉀0.1-0.4份、氯化鈉0.1-0.3份、過硫酸鈉0.01-0.1份、去離子水20-30份、二氧化硅2-4份。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括:檸檬酸3份、檸檬酸氫二銨3份、四甲基氫氧化銨0.2份、四丙基氫氧化銨0.2份、乙醇胺0.2份、聚醚表面活性劑0.6份、氯化鉀0.3份、氯化鈉0.2份、過硫酸鈉0.05份、去離子水20-30份、二氧化硅3份。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，其特征在于，所述清洗液的PH值為8.0?12.0。4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液，其特征在于，所述清洗液的pH 值為 9.0 ?11.5。5.—種如權(quán)利要求1-4所述的半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液的制備方法，其特征在于包括以下步驟: 步驟1:取10份去離子水注入容器，一邊攪拌一邊加入其它組分，攪拌時間為2min; 步驟2:將剩余的去離子水滴入步驟I得到的混合液中，一邊攪拌一邊測pH值，當(dāng)pH值達到所需PH值時，停止滴入去離子水，繼續(xù)攪拌5min，既得半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光清洗液及其制備方法，按照重量份的原料包括：按照重量份的原料包括：檸檬酸2-4份、檸檬酸氫二銨2-4份、四甲基氫氧化銨0.1-0.3份、四丙基氫氧化銨0.1-0.3份、乙醇胺0.1-0.2份、聚醚表面活性劑0.4-0.8份、氯化鉀0.1-0.4份、氯化鈉0.1-0.3份、過硫酸鈉0.01-0.1份、去離子水20-30份、二氧化硅2-4份。本發(fā)明能降低清洗劑的表面張力，可以快速剝離掉表面污染物，有效清洗硅片表面，降低硅表面粗糙度；抑制金屬雜質(zhì)對硅片的污染，能減少氧化物的沉淀；成本低，對環(huán)境無污染，可徹底清洗污染物；有效根除了移動金屬離子的擴散，提高了芯片的可靠性，提高了生產(chǎn)的良率。
【IPC分類】C11D3/20, C11D3/04, C11D3/30, C11D3/43, C11D3/12, C11D3/39, C11D3/60, C11D1/66
【公開號】CN105567445
【申請?zhí)枴緾N201610087053
【發(fā)明人】韓功簣
【申請人】韓功簣
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2016年2月16日