技術(shù)編號：11841519
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種利用金屬助熔劑法生長正交相二維層狀SiP單晶及薄膜的方法，及其光電器件應(yīng)用，屬于二維層狀材料及其光電功能器件應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)二維層狀材料層內(nèi)以強(qiáng)的共價(jià)鍵或離子鍵結(jié)合，而層與層之間依靠弱的范德華力形成的一類材料。由于層間弱的相互作用力，層與層很容易相互剝離，從而可以形成單層或多層二維材料。石墨烯、過渡金屬硫?qū)倩衔?MoS2、MoSe2、WS2等)以及黑磷等是近年來研究較為廣泛的二維層狀材料，由于其具有優(yōu)異電、光、磁、力等性能，在顯示器件、場效應(yīng)晶體管、光電傳感器以及激光技術(shù)等...
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