技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種多晶硅晶鑄錠、多晶硅晶棒及多晶硅芯片。多晶硅晶鑄錠的實施例具有垂直方向，包含成核促進(jìn)層，位于多晶硅晶鑄錠的底部；以及多個硅晶粒，沿垂直方向成長，其中硅晶粒包含至少3種晶向，多晶硅晶鑄錠在成核促進(jìn)層上方的切片的晶粒面積變異系數(shù)是沿著垂直方向遞增。

技術(shù)研發(fā)人員：楊瑜民;楊承叡;周鴻昇;余文懷;許松林;徐文慶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中美硅晶制品股份有限公司
文檔號碼：201610310977
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.11
技術(shù)公布日：2017.01.25