1.一種多晶硅晶鑄錠,具有垂直方向,其特征在于,所述多晶硅晶鑄錠包含:
成核促進層,位于所述多晶硅晶鑄錠的底部;以及
多個硅晶粒,沿所述垂直方向成長,其中所述硅晶粒包含至少3種晶向;
其中所述多晶硅晶鑄錠在所述成核促進層上方的切片的晶粒面積變異系數(shù)是沿著所述垂直方向遞增。
2.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅晶鑄錠,其特征在于,所述多晶硅晶鑄錠的切片的晶粒的面積標準偏差是沿著所述垂直方向遞增。
3.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅晶鑄錠,其特征在于,所述多晶硅晶鑄錠在所述成核促進層上方的切片的晶粒面積變異系數(shù)小于400%。
4.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅晶鑄錠,其特征在于,所述多晶硅晶鑄錠在所述成核促進層上方的切片的晶粒面積變異系數(shù)約介于150%至400%之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅晶鑄錠,其特征在于,所述多晶硅晶鑄錠在所述成核促進層上方的切片的平均晶粒面積約介于4mm2至11mm2之間。
6.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅晶鑄錠,其特征在于,所述多晶硅晶鑄錠在所述成核促進層上方的切片的平均晶粒面積小于8mm2。
7.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅晶鑄錠,其特征在于,所述多晶硅晶鑄錠在所述成核促進層上方的切片的平均晶粒長寬比約介于3.0至4.5之間。
8.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅晶鑄錠,其特征在于,所述多晶硅晶鑄錠在所述成核促進層上方的切片的平均晶粒長寬比約介于3.80至4.25之間。
9.一種多晶硅晶棒,具有垂直方向,其特征在于,所述多晶硅晶棒包含:
多個硅晶粒,沿所述垂直方向成長,其中所述硅晶粒包含至少3種晶向;以及
其中所述多晶硅晶棒的切片的晶粒面積變異系數(shù)是沿著所述垂直方向遞增。
10.根據(jù)權利要求9所述的多晶硅晶棒,其特征在于,所述多晶硅晶棒的切片的晶粒的面積標準偏差是沿著所述垂直方向遞增。
11.根據(jù)權利要求9所述的多晶硅晶棒,其特征在于,所述多晶硅晶棒的切片的平均晶粒面積是沿著所述垂直方向遞增。
12.根據(jù)權利要求9所述的多晶硅晶棒,其特征在于,所述多晶硅晶棒的切片的晶粒面積變異系數(shù)小于400%。
13.根據(jù)權利要求9所述的多晶硅晶棒,其特征在于,所述多晶硅晶棒的切片的晶粒面積變異系數(shù)約介于150%至400%之間。
14.根據(jù)權利要求9所述的多晶硅晶棒,其特征在于,所述多晶硅晶棒的切片的平均晶粒面積約介于4mm2至11mm2之間。
15.根據(jù)權利要求9所述的多晶硅晶棒,其特征在于,所述多晶硅晶棒的底部區(qū)域的切片的平均晶粒面積小于8mm2,其中所述底部區(qū)域是所述多晶硅晶棒高度小于三分之一的區(qū)域。
16.根據(jù)權利要求9所述的多晶硅晶棒,其特征在于,所述多晶硅晶棒的切片的平均晶粒長寬比約介于3.0至4.5之間。
17.根據(jù)權利要求9所述的多晶硅晶棒,其特征在于,所述多晶硅晶棒的切片的平均晶粒長寬比約介于3.80至4.25之間。
18.一種多晶硅芯片,其特征在于,包含:
多個硅晶粒,其中所述硅晶粒包含至少3種晶向,且所述硅晶粒的晶粒面積變異系數(shù)約介于150%至400%之間,所述晶粒面積變異系數(shù)的定義是所述硅晶粒的晶粒面積標準偏差除以所述硅晶粒的平均晶粒面積的百分比,所述晶粒面積標準偏差是各所述硅晶粒與所述平均晶粒面積差值平方和的平均的根值。
19.根據(jù)權利要求18所述的多晶硅芯片,其特征在于,所述硅晶粒的平均晶粒面積約介于4mm2至11mm2之間。
20.根據(jù)權利要求18所述的多晶硅芯片,其特征在于,所述硅晶粒的平均晶粒面積小于8mm2。
21.根據(jù)權利要求18所述的多晶硅芯片,其特征在于,所述硅晶粒的平均晶粒長寬比約介于3.0至4.5之間。
22.根據(jù)權利要求18所述的多晶硅芯片,其特征在于,所述硅晶粒的平均晶粒長寬比約介于3.80至4.25之間。