本發(fā)明涉及一種制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的方法，具體涉及一種利用氧化石墨烯-石墨烯微晶復(fù)合層作為生長基底制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的方法。

背景技術(shù)：

自2004年被發(fā)現(xiàn)以來,石墨烯這一新型碳材料受到廣泛的關(guān)注。作為新型的二維晶體材料,石墨烯具有高的載流子遷移率、高光性和良好的化學穩(wěn)定性等，特別是高透過率石墨烯導(dǎo)電薄膜被認為有望替代現(xiàn)有ITO(氧化銦錫)薄膜，在諸多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。由于高性能石墨烯透明導(dǎo)電薄膜對石墨烯質(zhì)量要求非常高，而化學氣相沉積(CVD)法因其可以生長大面積、高質(zhì)量的石墨烯薄膜成為研究熱點。然而,CVD生長石墨烯過程需要在鎳或銅等金屬催化劑襯底，且石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到其他襯底的過程比較繁瑣，且容易殘留化學物質(zhì)，在轉(zhuǎn)移過程中又容易產(chǎn)生缺陷。因此為了獲得高性能石墨烯薄膜將，發(fā)展在非金屬催化劑的玻璃襯底上生長石墨烯的制備技術(shù)尤為關(guān)鍵。

近年來，有研究報道利用CVD方法在SiO₂,Al₂O₃襯底上生長石墨烯。然而常規(guī)CVD方法均要求高于1100℃的生長溫度，對于大多數(shù)低熔點玻璃陶瓷襯底難以實現(xiàn)石墨烯的直接生長。與傳統(tǒng)CVD相比，等離子體輔助CVD(PECVD)方法可降低石墨烯生長溫度，有望實現(xiàn)石墨烯在玻璃表面的低溫生長。例如，中國專利申請CN103553029A報道了一種利用PECVD在不同襯底(包括金屬,Si,SiO₂,A1₂O₃,HfO₂,石英和玻璃)上生長石墨烯片的方法，所制備的石墨烯薄膜由垂直生長在表面的石墨烯片構(gòu)成。另外，中國專利CN102260858B同樣報道了利用PECVD技術(shù)在金屬、碳化硅、石墨和氮化硼襯底上直接生長石墨烯的方法。然而在PECVD條件下，石墨烯傾向于垂直而非平行于襯底表面生長從而在襯底表面形成石墨烯墻結(jié)構(gòu)，極大降低了石墨烯薄膜的透過率。由于石墨烯墻由兩個相鄰薄層(1-3層)石墨烯晶粒片長大靠近后緣翹起形成，因此晶界處 生長的石墨烯墻厚度是石墨烯晶粒片兩倍厚度，較厚的石墨烯墻導(dǎo)致晶界電阻增大，從而降低石墨烯薄膜的導(dǎo)電性。

因此，本領(lǐng)域迫切需要開發(fā)出更為先進的石墨烯薄膜制備工藝以獲得高性能石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種新穎的制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的方法，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

本發(fā)明提供了一種制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的方法，該方法包括以下步驟：

(i)在襯底表面生長一層石墨烯微晶；

(ii)在所得的附著有石墨烯微晶的襯底表面涂布一層氧化石墨烯薄膜；以及

(iii)將所得的表面修飾有氧化石墨烯和石墨烯微晶的襯底中的氧化石墨烯進行還原和修復(fù)，同時誘導(dǎo)石墨烯在石墨烯微晶上生長，得到石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。

在一個優(yōu)選的實施方式中，步驟(i)包括：將襯底置于爐中，通入氣體并打開真空泵；將爐升溫至預(yù)定反應(yīng)溫度后打開電源，并調(diào)整電源功率，在爐內(nèi)產(chǎn)生等離子體；隨后通入碳源反應(yīng)后在襯底表面生長一層石墨烯微晶。

在另一個優(yōu)選的實施方式中，所述爐包括管式爐；氣體的流量為0-40sccm；爐升溫速率為：5-15℃/min；預(yù)定反應(yīng)溫度為500-1100℃；所述電源包括RF(射頻)電源；電源功率調(diào)整為50-200W；碳源的流量為1-20sccm；反應(yīng)時間為5-15min。

在另一個優(yōu)選的實施方式中，所述石墨烯微晶通過等離子體化學氣相沉積、常壓化學氣相沉積或低壓化學氣相沉積制備；所述襯底包括玻璃襯底或陶瓷襯底；所述碳源包括甲烷、乙烯或二氟甲烷；所述氣體包括氫氣、氬氣或其混合物。

在另一個優(yōu)選的實施方式中，步驟(ii)包括：將所得的附著有石墨烯微晶的襯底垂直浸入氧化石墨烯水溶液中，并在襯底表面均勻涂布一層氧化石墨烯薄膜。

在另一個優(yōu)選的實施方式中，所述氧化石墨烯水溶液的濃度為0.1-2mg/ml；所述氧化石墨烯的平均層數(shù)為1-3層。

在另一個優(yōu)選的實施方式中，在襯底表面均勻涂布一層氧化石墨烯薄膜的方法包括：提拉法、旋涂或刮涂，其中，提拉法通過提拉設(shè)備進行，提拉速率為2-50mm/min；所用的氧化石墨烯的制備方法包括化學法。

在另一個優(yōu)選的實施方式中，步驟(iii)包括：將所得的表面修飾有氧化石墨烯和石墨烯微晶的襯底再次置于爐中，通入氣體并打開真空泵；將爐升溫至預(yù)定反應(yīng)溫度后，打開電源，并調(diào)整電源功率，在爐內(nèi)產(chǎn)生等離子體；隨后通入碳源反應(yīng)后在襯底表面得到一層石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。

在另一個優(yōu)選的實施方式中，所述爐包括管式爐；氣體的流量為0-40sccm；爐升溫速率為：5-15℃/min；預(yù)定反應(yīng)溫度為500-1100℃；所述電源包括RF電源；電源功率調(diào)整為50-200W；碳源的流量為1-20sccm；反應(yīng)時間為5-30min。

在另一個優(yōu)選的實施方式中，進行步驟(iii)的方法包括等離子體化學氣相沉積法；所述碳源包括甲烷、乙烯或二氟甲烷；所述氣體包括氫氣、氬氣或其混合物。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的等離子體化學氣相沉積設(shè)備的構(gòu)造示意圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的利用等離子體化學氣相沉積在石墨烯微晶-氧化石墨烯復(fù)合層表面生長石墨烯薄膜的示意圖。

具體實施方式

針對現(xiàn)有技術(shù)中較厚的石墨烯墻導(dǎo)致晶界電阻增大，從而降低石墨烯薄膜的導(dǎo)電性的問題，本發(fā)明提出了一種通過等離子體輔助化學氣相沉積(PECVD)在玻璃襯底上直接生長制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的方法。其利用氧化石墨烯-石墨烯微晶復(fù)合層作為石墨烯生長基底從而制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。為得到氧化石墨烯-石墨烯微晶復(fù)合層，首先在玻璃襯底表面生長一層高質(zhì)量低缺陷石墨烯微晶，隨即在附著微晶的玻璃表面涂布一層高透光的氧化石墨烯薄膜。隨后通過PECVD，石墨烯在石墨烯微晶種上生長，同時經(jīng)還原修復(fù)后的氧化石 墨烯薄膜起到連接高導(dǎo)電石墨烯、減少晶界電阻的作用，最后得到高性能的石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明通過預(yù)先生長石墨烯微晶獲得高質(zhì)量石墨烯生長位點，利用氧化石墨烯串聯(lián)起分散的石墨烯微晶，經(jīng)還原修復(fù)后的氧化石墨烯薄膜最終起到連接高導(dǎo)電石墨烯、減少晶界電阻的作用，最后得到與玻璃基底結(jié)合強度高、高性能的石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。

本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思如下：

通過對玻璃襯底進行修飾，利用PECVD方法制備了高性能的石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。在制備過程中，首先在玻璃襯底表面生長一層非連續(xù)高質(zhì)量石墨烯微晶，然后利用提拉法在石墨烯微晶層表面覆蓋上一層氧化石墨烯(1-3層)，利用氧化石墨烯連接起分散的石墨烯微晶，最后通過PECVD在石墨烯微晶上繼續(xù)生長高質(zhì)量石墨烯的同時，將連接起高質(zhì)量石墨烯的氧化石墨烯進行還原、修復(fù)，從而得到高性能石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。

本發(fā)明提供了一種利用氧化石墨烯-石墨烯微晶復(fù)合層作為生長基底制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的方法，包括如下步驟：

(i)將襯底置于管式爐中，通入氣體并打開真空泵；隨后管式爐以5-15℃/min升溫速率升溫，至預(yù)定反應(yīng)溫度500-1100℃后，打開RF電源，調(diào)整電源功率至50-200W，在石英管內(nèi)產(chǎn)生氣體等離子體；隨后通入碳源，反應(yīng)5-15min后在襯底表面生長一層石墨烯微晶；

(ii)將生長有石墨烯微晶的襯底垂直浸入氧化石墨烯水溶液中(0.1-2mg/ml)，氧化石墨烯平均層數(shù)在1-3層；在襯底表面均勻涂布一層氧化石墨烯薄膜；

(iii)將表面修飾有氧化石墨烯和石墨烯晶種的襯底再次置于管式爐中，通入氣體，并打開真空泵；隨后管式爐以5-15℃/min升溫速率升溫，至預(yù)定反應(yīng)溫度500-1100℃后，打開RF電源，電源功率調(diào)整為50-200W，石英管內(nèi)產(chǎn)生氣體等離子體；隨后通入碳源，反應(yīng)5-30min后在襯底表面得到一層高導(dǎo)電的石墨烯薄膜。

較佳地，在步驟(i)中，所述襯底包括玻璃襯底或陶瓷襯底；所述氣體包括氫氣、氬氣或其混合物，其流量為0-40sccm；所述碳源包括甲烷，乙烯或二氟甲烷，其流量為1-20sccm；石墨烯晶種可以通過等離子體化學氣相沉積制 備，也可采用常壓化學氣相沉積或低壓化學氣相沉積技術(shù)制備。

較佳地，在步驟(i)中，所述襯底優(yōu)選玻璃襯底，所述玻璃襯底可以為二氧化硅玻璃，也可以是含其他化學成分的玻璃；所述氣體優(yōu)選氫氣；所述碳源優(yōu)選甲烷；管式爐的升溫速率優(yōu)選10℃/min。

較佳地，在步驟(ii)中，氧化石墨烯薄膜可通過提拉法制備，也可利用旋涂或刮涂方式制備；所采用的氧化石墨烯為化學法制備。

較佳地，在步驟(ii)中，優(yōu)選通過提拉設(shè)備在襯底表面均勻提拉上一層氧化石墨烯薄膜，其中提拉速率為2-50mm/min。

較佳地，在步驟(iii)中，所述氣體包括氫氣、氬氣或其混合物，其流量為0-40sccm；所述碳源包括甲烷，乙烯或二氟甲烷，其流量為1-20sccm；利用等離子體化學氣相沉積方法在表面修飾有氧化石墨烯-石墨烯微晶的襯底表面生長出高質(zhì)量石墨烯薄膜。

較佳地，在步驟(iii)中，所述氣體優(yōu)選氫氣；所述碳源優(yōu)選甲烷；管式爐的升溫速率優(yōu)選10℃/min。

具體地，本發(fā)明提供了一種利用氧化石墨烯-石墨烯微晶復(fù)合層作為生長基底制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的方法，包括以下步驟：

生長石墨烯前的玻璃襯底清洗步驟，包括：首先將襯底置于(96％wt)H₂SO₄/(30％wt)H₂O₂為4:1的混合溶液中在95℃清洗5min，隨后再將襯底置于去離子水/(28％wt)NH₄OH/(30％wt)H₂O₂為40:1:2的混合溶液中在65℃清洗5min，隨后用蒸餾水淋洗干凈，烘干備用；

將潔凈玻璃襯底置于管式爐中，通入H₂(0-40sccm)并打開真空泵；隨后管式爐以10℃/min升溫速率升溫，至預(yù)定反應(yīng)溫度500-1100℃后，打開RF電源，電源功率調(diào)整為50-200W，石英管內(nèi)產(chǎn)生氫等離子體；隨后通入CH₄(1-20sccm)，反應(yīng)5-15min后在玻璃表面生長一層石墨烯晶種；

將生長有石墨烯晶種的玻璃襯底垂直浸入氧化石墨烯水溶液中(0.1-2mg/ml)，氧化石墨烯平均層數(shù)在1-3層；通過提拉設(shè)備在襯底表面均勻提拉上一層氧化石墨烯薄膜，其中提拉速率為2-50mm/min；

將表面修飾有氧化石墨烯和石墨烯晶種的玻璃襯底再次置于管式爐中，通入H₂(0-40sccm)，并打開真空泵；隨后管式爐以10℃/min升溫速率升溫， 至預(yù)定反應(yīng)溫度500-1100℃后，打開RF電源，電源功率調(diào)整為50-200W，石英管內(nèi)產(chǎn)生氫等離子體；隨后通入CH₄(1-20sccm)，反應(yīng)5-30min后在玻璃表面得到一層高導(dǎo)電的石墨烯薄膜。

以下參看附圖。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的等離子體化學氣相沉積設(shè)備的構(gòu)造示意圖。如圖1所示，將表面修飾有氧化石墨烯和石墨烯晶種的玻璃襯底(等離子體樣品)置于管式爐11中，通入H₂；隨后管式爐升溫至預(yù)定反應(yīng)溫度500-1100℃后，打開RF電源12，石英管內(nèi)產(chǎn)生氫等離子體；隨后通入CH₄反應(yīng)后在玻璃襯底表面得到一層高導(dǎo)電的石墨烯薄膜。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的利用等離子體化學氣相沉積在石墨烯微晶-氧化石墨烯復(fù)合層表面生長石墨烯薄膜的示意圖。如圖2所示，首先在玻璃襯底21表面生長一層高質(zhì)量低缺陷石墨烯微晶22，隨即通過浸涂在附著微晶的玻璃表面涂布一層高透光的氧化石墨烯薄膜23，然后利用等離子體輔助化學氣相沉積法(PECVD)將氧化石墨層還原、修補其缺陷，得到還原的氧化石墨層26，同時誘導(dǎo)石墨烯24在石墨烯微晶種上生長，并抑制石墨烯墻25的生長，最后得到高導(dǎo)電透明石墨烯薄膜。

本發(fā)明的主要優(yōu)點在于：

本發(fā)明以氧化石墨烯-石墨烯微晶復(fù)合層為生長基底，通過抑制石墨烯垂直于襯底表面生長，從而提高石墨烯薄膜的透過率。在本發(fā)明中，用PECVD首先在襯底表面生成一層分散的石墨烯微晶，然后暫停PECVD生長以避免分散的石墨烯微晶繼續(xù)長大相互接近導(dǎo)致形成石墨烯墻；利用提拉法將大片的氧化石墨烯涂布在分散的石墨烯微晶表面，起到連接各分散石墨烯微晶的作用；在隨后的PECVD過程中，氧化石墨烯被修復(fù)還原成石墨烯，同時由于石墨烯微晶上氧化石墨烯的存在抑制了石墨烯墻的生長，從而降低了石墨烯晶粒間的邊界電阻，最終得到了高性能石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。

實施例

下面結(jié)合具體的實施例進一步闡述本發(fā)明。但是，應(yīng)該明白，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。下列實施例中未注明具體條件的試驗方法，通常按照常規(guī)條件，或按照制造廠商所建議的條件。除非另有說明，所有的百分比和份數(shù)按重量計。

實施例1：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備：

(1)將玻璃襯底置于管式爐中，通入H₂(20sccm)并打開真空泵；隨后管式爐以10℃/min升溫速率升溫，至預(yù)定反應(yīng)溫度900℃后，打開RF電源，電源功率調(diào)整為150W，石英管內(nèi)產(chǎn)生氫等離子體；隨后通入CH₄(5sccm)，反應(yīng)10min后在玻璃表面生長一層石墨烯晶種；

(2)將生長有石墨烯晶種的玻璃襯底垂直浸入氧化石墨烯水溶液(0.1mg/ml)中，氧化石墨烯平均層數(shù)為1-3層；通過提拉設(shè)備在襯底表面均勻提拉上一層氧化石墨烯薄膜，其中提拉速率為20mm/min；

(3)將表面修飾有氧化石墨烯和石墨烯晶種的玻璃襯底再次置于管式爐中，通入H₂(20sccm)，并打開真空泵；隨后管式爐以10℃/min升溫速率升溫，至預(yù)定反應(yīng)溫度900℃后，打開RF電源，電源功率調(diào)整為150W，石英管內(nèi)產(chǎn)生氫等離子體；隨后通入CH₄(5sccm)，反應(yīng)20min后在玻璃表面得到一層高導(dǎo)電的石墨烯薄膜。

石墨烯薄膜透過率和方塊電阻的測量：

所述石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的透過率通過紫外-可見光分光光度計(Hitachi U-4100(日立公司))進行測定；薄膜方塊電阻利用通過Van der Pauw方法(HL5500(埃森基團有限公司(Accent Group Limited)))進行測量。

實驗結(jié)果：

測得石墨烯薄膜透過率為85％，方塊電阻為1.96KΩ/sq。示于下表1。

實施例2：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫 氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，電源功率為200W，反應(yīng)10min；步驟(2)中，提拉速率為2mm/min；步驟(3)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，電源功率為200W，反應(yīng)15min。

測得石墨烯薄膜透過率為82％，方塊電阻為1.78KΩ/sq。示于下表1。

實施例3：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫氣H₂(5sccm)，CH₄(1sccm)，電源功率為200w，反應(yīng)15min；步驟(2)中，提拉速率為2mm/min；步驟(3)中，氫氣H₂(5sccm)，CH₄(1sccm)，電源功率為200W，反應(yīng)10min。

測得石墨烯薄膜透過率為89％，方塊電阻為3.12KΩ/sq。示于下表1。

實施例4：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，反應(yīng)溫度1100℃；步驟(3)中，反應(yīng)溫度1100℃。

測得石墨烯薄膜透過率為81％，方塊電阻為1.56KΩ/sq。示于下表1。

實施例5：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫氣H₂(0sccm)，步驟(3)中，氫氣H₂(0sccm)。

測得石墨烯薄膜透過率為85％，方塊電阻為5.95KΩ/sq。示于下表1。

實施例6：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫氣H₂(40sccm)，CH₄(1sccm)，步驟(3)中，氫氣H₂(40sccm)，CH₄(1sccm)，電源功率為200W，反應(yīng)15min。

測得石墨烯薄膜透過率為92％，方塊電阻為9.81KΩ/sq。示于下表1。

實施例7：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，電源功率為50w，步驟(3)中，電源功率為50W。

測得石墨烯薄膜透過率為90％，方塊電阻為4.29KΩ/sq。示于下表1。

實施例8：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，反應(yīng)溫度1100℃，電源功率為200W，反應(yīng)15min；步驟(3)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，反應(yīng)溫度1100℃，電源功率為200W，反應(yīng)15min。

測得石墨烯薄膜透過率為74％，方塊電阻為0.93Ω/sq。示于下表1。

實施例9：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，電源功率為200W，反應(yīng)5min；步驟(3)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，電源功率為200W，反應(yīng)20min。

測得石墨烯薄膜透過率為72％，方塊電阻為0.84Ω/sq。示于下表1。

實施例10：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，電源功率為200W，反應(yīng)10min；步驟(3)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，電源功率為200W，反應(yīng)15min。

測得石墨烯薄膜透過率為80％，方塊電阻為1.62KΩ/sq。示于下表1。

實施例11：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫氣H₂(20sccm)，CH₄(20sccm)，步驟(3)中，氫氣H₂(20sccm)，CH₄(20sccm)。

測得石墨烯薄膜透過率為79％，方塊電阻為2.13KΩ/sq。示于下表1。

實施例12：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：步驟(1)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，電源功率為100W，反應(yīng)5min；步驟(2)中，提拉速率為2mm/min；步驟(3)中，氫氣H₂(8sccm)，CH₄(2sccm)，電源功率為100W，反應(yīng)30min。

測得石墨烯薄膜透過率為87％，方塊電阻為2.78KΩ/sq。示于下表1。

實施例13：

石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的制備過程同實施例1，不同之處為：所用玻璃襯底為Lotus(康寧公司)，其組成包括SiO₂(63.32wt％),Al₂O₃(17.34wt％),B₂O₃(1.5wt％),MgO(2.49wt％),CaO(4.53wt％),BaO(9.01wt％),Fe₂O₃(0.043wt％)和ZrO₂(0.06wt％)。

測得石墨烯薄膜透過率為79％，方塊電阻為1.62KΩ/sq。示于下表1。

比較例1：

與實施例1區(qū)別是制備過程中不使用氧化石墨烯。具體步驟如下：

(1)將玻璃襯底置于管式爐中，通入H₂(20sccm)并打開真空泵；隨后管式爐以10℃/min升溫速率升溫，至預(yù)定反應(yīng)溫度900℃后，打開RF電源，電源功率調(diào)整為150W，石英管內(nèi)產(chǎn)生氫等離子體；隨后通入CH₄(5sccm)，反應(yīng)10min后在玻璃表面生長一層石墨烯晶種；

(2)將表面修飾有氧化石墨烯和石墨烯晶種的玻璃襯底再次置于管式爐中，通入H₂(20sccm)，并打開真空泵；隨后管式爐以10℃/min升溫速率升溫，至預(yù)定反應(yīng)溫度900℃后，打開RF電源，電源功率調(diào)整為150W，石英管內(nèi)產(chǎn)生氫等離子體；隨后通入CH₄(5sccm)，反應(yīng)20min后在玻璃表面得到一層高導(dǎo)電的石墨烯薄膜。

測得石墨烯薄膜透過率為85％，方塊電阻為3.71KΩ/sq。示于下表1。

表1

上述所列的實施例僅僅是本發(fā)明的較佳實施例，并非用來限定本發(fā)明的實施范圍。即凡依據(jù)本發(fā)明申請專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化和修飾，都應(yīng)為本發(fā)明的技術(shù)范疇。

在本發(fā)明提及的所有文獻都在本申請中引用作為參考，就如同每一篇文獻被單獨引用作為參考那樣。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明的上述講授內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。