技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種直拉法生長(zhǎng)低位錯(cuò)單晶的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)工藝。該熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)包括沿單晶爐爐壁設(shè)置的主加熱器和設(shè)置在單晶爐爐底的底加熱器。主加熱器為上薄下厚的漸變型直筒結(jié)構(gòu)。采用該熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)低位錯(cuò)單晶的工藝至少包括：(1)選擇無(wú)位錯(cuò)單晶作為籽晶，在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，升溫化料達(dá)到目標(biāo)溫度；(2)將熔體穩(wěn)定一段時(shí)間熱場(chǎng)穩(wěn)定后，尋找引晶溫度；在該引晶溫度點(diǎn)引晶1小時(shí)后直接放肩；(3)經(jīng)自動(dòng)控制等徑生長(zhǎng)、收尾、冷卻至室溫，完成低位錯(cuò)晶體生長(zhǎng)。采用本發(fā)明的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)能夠降低熱場(chǎng)中的溫度梯度、增大低溫度梯度區(qū)域；結(jié)合低溫度梯度熱場(chǎng)中晶體生長(zhǎng)工藝，能夠加長(zhǎng)低位錯(cuò)晶體的有效長(zhǎng)度。

技術(shù)研發(fā)人員：黎建明;馮德伸;高歡歡;張路;王霈文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：有研光電新材料有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼：201510736494
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.03
技術(shù)公布日：2017.05.10