技術編號：11147557
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種直拉法生長低位錯單晶的熱場結構及其生長工藝，屬于低位錯單晶生長技術領域。背景技術直拉法是一種重要的單晶生長方法，該方法可觀察、晶體生長周期短，效率高、成本低，可獲得大直徑的高質量單晶。直拉法低位錯單晶生長中，溫度梯度是影響位錯密度的關鍵因素。直筒型單加熱器結構如圖1所示，加熱器1為直筒型，上下厚度相同。該熱場中溫度梯度變化大，加熱器邊緣溫度梯度大，低溫度梯度區(qū)域較小。在這樣的熱場中生長低位錯單晶存在降低位錯密度難，長度短，效率低等問題。發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種直拉法生長低位...
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