1.一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，包括以下步驟：
第一步，裝料：將多晶硅原料和復拉料混裝在石英坩堝中；
第二步，化料：將復拉料和多晶硅原料熔化；
第三步，雜質(zhì)提出：在第二步的化料工序后期，降低主加熱器功率、增大坩堝轉(zhuǎn)速使液面表面快速結(jié)晶，采用舊籽晶將坩堝內(nèi)未熔化的多晶硅原料提出；
第四步，穩(wěn)定化；
第五步，引晶；
第六步，放肩；
第七步，收尾。
2.如權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述第一步裝料時多晶硅原料和復拉料按重量比(2-4)：1的比例進行裝料，并且將復拉料放置在石英坩堝邊緣位置，將多晶硅原料放置在石英坩堝的中間位置。
3.如權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述第二步中化料具體包括以下步驟：
第1步，化料開始時加熱器以常規(guī)化料功率運行、石英坩堝轉(zhuǎn)速為常規(guī)轉(zhuǎn)速N轉(zhuǎn)/min；
第2步，從化料第2h開始，化料功率比常規(guī)化料功率增大10kW-15kW，并且石英坩堝轉(zhuǎn)速以10s、20s、30s、40s以及50s的時間間隔對應為N轉(zhuǎn)/min、 (N+1)轉(zhuǎn)/min、(N+3)轉(zhuǎn)/min、(N+5)轉(zhuǎn)/min以及(N+7)轉(zhuǎn)/min，并且維持在(N+7)轉(zhuǎn)/min。
4.如權(quán)利要求1或3所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述步驟二整個化料過程在氬氣氣氛中進行，并且通過控制真空泵節(jié)流閥開度使單晶爐腔體內(nèi)壓強保持在0.7kPa-1kPa。
5.如權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述步驟三中降低主加熱器功率至引晶功率，并使石英坩堝轉(zhuǎn)速增加為(N+8)轉(zhuǎn)/min，采用舊籽晶將坩堝內(nèi)未熔化的多晶硅原料提出時石英坩堝轉(zhuǎn)速重新降為(N+7)轉(zhuǎn)/min。
6.如權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述步驟四中穩(wěn)定化過程中，加熱器功率調(diào)整為常規(guī)化料功率，石英坩堝轉(zhuǎn)速調(diào)整為(N+2)轉(zhuǎn)/min，氬氣流量調(diào)整為拉晶氬氣流量的50％-70％，單晶爐腔體內(nèi)壓強為0.2kPa-0.4kPa，穩(wěn)定化持續(xù)時間為第二步化料時間的1/10-1/6。
7.如權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述步驟五引晶時引晶長度為拉制晶體直徑的1.2-1.4倍，細頸直徑控制在6mm±1mm。
8.如權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述步驟六放肩時采用高拉速放肩方式，其肩部形狀控制錐度為35°-45°。
9.如權(quán)利要求1所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述步驟七收尾時尾部長度為晶體長度直徑的0.8-1.0倍，尾部斷面直徑≤10mm。
10.如權(quán)利要求9所述的一種直拉單晶的拉晶方法，其特征在于，所述步驟七收尾后石英坩堝中剩料質(zhì)量為步驟一中裝料總質(zhì)量的8％-10％。