一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置，包括爐體，爐體上部設(shè)有工藝氣體進(jìn)入通道，爐體下部設(shè)有燃燒室，工藝氣體進(jìn)入通道與燃燒室連通；工藝氣體進(jìn)入通道外圈設(shè)有低壓空氣通道，低壓空氣通道的上口封閉，低壓空氣通道的下口與燃燒室連通；低壓空氣通道的邊側(cè)設(shè)有低壓空氣進(jìn)口；低壓空氣通道外圈設(shè)有二次氫氣通道，二次氫氣通道的上口封閉，二次氫氣通道的下口與燃燒室連通；二次氫氣通道的邊側(cè)設(shè)有二次氫氣進(jìn)口；二次氫氣通道外圈設(shè)有二次空氣通道，二次空氣通道的上口封閉，二次空氣通道的下口與燃燒室連通；二次空氣通道的邊側(cè)設(shè)有二次空氣進(jìn)口；爐體下部外壁設(shè)有冷卻通道，冷卻通道上部設(shè)有冷卻水出口、下部設(shè)有冷卻水進(jìn)口；爐體下部外壁上設(shè)有點(diǎn)火口，點(diǎn)火口與燃燒室連通。
【專利說明】一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于精細(xì)化工領(lǐng)域的反應(yīng)燃燒爐，尤其是一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]氣相二氧化娃俗稱氣相法白炭黑,粒徑微小(7~40nm),比表面積大(50_400m2/g),產(chǎn)品純度高(SiO2 ^ 99.8%)，分為親水型和疏水型產(chǎn)品。作為一種重要的納米級(jí)無機(jī)化工原材料，該產(chǎn)品具有優(yōu)越的表面化學(xué)性能以及良好的生理惰性，廣泛應(yīng)用于硅橡膠、膠粘劑、油漆、涂料、油墨、紙張、化妝品、醫(yī)藥、食品等領(lǐng)域，起到補(bǔ)強(qiáng)、增稠、觸變、消光等作用，是高【技術(shù)領(lǐng)域】和國防工業(yè)必不可少的原材料。其年均增長率高達(dá)百分之十幾，產(chǎn)品前途光明，屬于朝陽行業(yè)。受原料緊張影響氣相白炭黑價(jià)格自今年上半開始一路上漲，從原來的15000元/噸，上漲到目前的25000元/噸，以此趨勢(shì)預(yù)計(jì)明年將漲到30000元/噸以上。
[0003]生產(chǎn)氣相法白炭黑的硅烷鹵化物原料目前主要有SiCljP CH3SiCl3兩種，其中SiCl4為多晶硅原料HSiCl3中的最主要副產(chǎn)物，CH3SiCl3則為有機(jī)硅單體甲基氯硅烷生產(chǎn)過程中的主要副產(chǎn)物。目前，受多晶硅行業(yè)不景氣的影響，四氯化硅的價(jià)格從過去的“白送”免費(fèi)，上漲到4000多元/噸，并且市場(chǎng)上還買不到，嚴(yán)重限制了國內(nèi)諸多企業(yè)白炭黑生產(chǎn)裝置開工不足，結(jié)果也導(dǎo)致近兩年內(nèi)氣相白炭黑的價(jià)格將近上漲了一倍左右。而國內(nèi)有機(jī)硅單體生產(chǎn)規(guī)模及產(chǎn)能近年來逐年遞增，產(chǎn)生了大量的副產(chǎn)物CH3SiCl315因此，利用CH3SiCl3作為原料來代替SiCl4更具有成本優(yōu)勢(shì)。
[0004]現(xiàn)有的利用SiCl4生產(chǎn)氣相法白炭黑燃燒爐裝置，不但存在產(chǎn)品反應(yīng)不完全，產(chǎn)品產(chǎn)率相對(duì)較低的問題，而且這種裝置被采用于以CH3SiCl3作為原料來代替SiCl4生產(chǎn)氣相法白炭黑時(shí)，由于原料中含有有機(jī)基團(tuán)，燃燒中煙霧較大，會(huì)造成火焰燃燒不穩(wěn)定，燃燒溫度不聞等缺點(diǎn)，導(dǎo)致生廣的廣品質(zhì)量差，廣品的粒度不均一等。`
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型的目的是提供一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置。
[0006]本實(shí)用新型針對(duì)采用CH3SiCl3作為原料來代替SiCl4生產(chǎn)氣相法白炭黑時(shí)，由于原料中含有有機(jī)基團(tuán)，以致燃燒中煙霧較大，造成火焰燃燒不穩(wěn)定，燃燒溫度不高等缺點(diǎn)。
[0007]本實(shí)用新型要解決的是現(xiàn)有裝置生產(chǎn)氣相白炭黑過程中原料反應(yīng)不完全，產(chǎn)品產(chǎn)率相對(duì)較低和質(zhì)量差的問題。
[0008]本實(shí)用新型解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:它包括爐體，爐體上部設(shè)有工藝氣體進(jìn)入通道，爐體下部設(shè)有燃燒室，工藝氣體進(jìn)入通道與燃燒室連通。工藝氣體進(jìn)入通道外圈設(shè)有低壓空氣通道，低壓空氣通道的上口封閉，低壓空氣通道的下口與燃燒室連通。低壓空氣通道的邊側(cè)設(shè)有低壓空氣進(jìn)口。低壓空氣通道外圈設(shè)有二次氫氣通道，二次氫氣通道的上口封閉，二次氫氣通道的下口與燃燒室連通。二次氫氣通道的邊側(cè)設(shè)有二次氫氣進(jìn)口。二次氫氣通道外圈設(shè)有二次空氣通道，二次空氣通道的上口封閉，二次空氣通道的下口與燃燒室連通。二次空氣通道的邊側(cè)設(shè)有二次空氣進(jìn)口。爐體下部外壁設(shè)有冷卻通道，冷卻通道上部設(shè)有冷卻水出口、下部設(shè)有冷卻水進(jìn)口。爐體下部外壁上設(shè)有點(diǎn)火口，點(diǎn)火口與燃燒室連通。視鏡前端窗口設(shè)于燃燒室內(nèi)壁。爐體上部一側(cè)設(shè)有壓力表口，壓力表口與燃燒室連通。爐體下部設(shè)有出料口。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:產(chǎn)品反應(yīng)完全,產(chǎn)品產(chǎn)率高,質(zhì)量好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0012]如圖所示，燃燒爐包括爐體1，爐體上部設(shè)有工藝氣體進(jìn)入通道10，爐體下部設(shè)有燃燒室11，工藝氣體進(jìn)入通道10與燃燒室連通。工藝氣體進(jìn)入通道10外圈設(shè)有低壓空氣通道12，低壓空氣通道的上口封閉，低壓空氣通道的下口與燃燒室連通。低壓空氣通道的邊側(cè)設(shè)有低壓空氣進(jìn)口 2。低壓空氣通道外圈設(shè)有二次氫氣通道13，二次氫氣通道的上口封閉，二次氫氣通道的下口與燃燒室連通。二次氫氣通道的邊側(cè)設(shè)有二次氫氣進(jìn)口 3。二次氫氣通道外圈設(shè)有二次空氣通道14，二次空氣通道的上口封閉，二次空氣通道的下口與燃燒室連通。二次空氣通道的邊側(cè)設(shè)有二次空氣進(jìn)口 4。爐體下部外壁設(shè)有冷卻通道15，冷卻通道上部設(shè)有冷卻水出口 5、下部設(shè)有冷卻水進(jìn)口 9。爐體下部外壁上設(shè)有點(diǎn)火口 7，點(diǎn)火口7與燃燒室連通。視鏡6前端窗口設(shè)于燃燒室內(nèi)壁。爐體上部一側(cè)設(shè)有壓力表口 8,壓力表口 8與燃燒室連通。爐體下部設(shè)有出料口 16。
[0013]工藝氣體進(jìn)入通道10、低壓空氣通道12、二次氫氣通道13、二次空氣通道14的各出氣口處于同一位置，低壓空氣通道、二次氫氣通道、二次空氣通道的出氣口向內(nèi)側(cè)收口。
【權(quán)利要求】
1.一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置，包括爐體，其特征在于爐體上部設(shè)有工藝氣體進(jìn)入通道，爐體下部設(shè)有燃燒室，工藝氣體進(jìn)入通道與燃燒室連通；工藝氣體進(jìn)入通道外圈設(shè)有低壓空氣通道，低壓空氣通道的上口封閉，低壓空氣通道的下口與燃燒室連通；低壓空氣通道的邊側(cè)設(shè)有低壓空氣進(jìn)口 ；低壓空氣通道外圈設(shè)有二次氫氣通道，二次氫氣通道的上口封閉，二次氫氣通道的下口與燃燒室連通；二次氫氣通道的邊側(cè)設(shè)有二次氫氣進(jìn)口 ；二次氫氣通道外圈設(shè)有二次空氣通道，二次空氣通道的上口封閉，二次空氣通道的下口與燃燒室連通；二次空氣通道的邊側(cè)設(shè)有二次空氣進(jìn)口 ；爐體下部外壁設(shè)有冷卻通道，冷卻通道上部設(shè)有冷卻水出口、下部設(shè)有冷卻水進(jìn)口 ；爐體下部外壁上設(shè)有點(diǎn)火口，點(diǎn)火口與燃燒室連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置，其特征在于視鏡前端窗口設(shè)于燃燒室內(nèi)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置，其特征在于爐體上部一側(cè)設(shè)有壓力表口，壓力表口與燃燒室連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置，其特征在于爐體下部設(shè)有出料口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用甲基三氯硅烷生產(chǎn)氣相法白炭黑的燃燒爐裝置，其特征在于工藝氣體進(jìn)入通道、低壓空氣通道、二次氫氣通道、二次空氣通道的各出氣口處于同一位置，低壓空氣通道、二次氫氣通道、二次空氣通道的出氣口向內(nèi)側(cè)收口。
【文檔編號(hào)】C01B33/113GK203461827SQ201320525305
【公開日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2013年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
【發(fā)明者】方紅承, 羅燚, 彭金鑫, 李新欣, 曹華俊, 劉國旺, 母清林 申請(qǐng)人:浙江合盛硅業(yè)有限公司