單層石墨烯的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種單層石墨烯的制備方法，方法為將石墨分散于溶劑中，形成低濃度的分散液，利用超聲波分散制備得到單層石墨烯。本發(fā)明制備方法工藝簡單、成本低廉、產(chǎn)率高，制備達到的石墨烯控制石墨烯層間靜電作用小，分散性能好，同時具有較高的電導率。
【專利說明】單層石墨烯的制備方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及材料加工【技術(shù)領域】，具體涉及一種單層石墨烯的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]單層石墨烯以二維品體結(jié)構(gòu)存在，是構(gòu)筑其它維度炭質(zhì)材料的基本單元，它可以包裹起來形成零維的富勒烯，卷起來形成一維的碳納米管，層層堆積形成三維的石墨。石墨烯是一種沒有能隙的半導體，具有比硅高100倍的載流了遷移率，在室溫下具有微米級自由程和大的相干長度，因此石墨烯是納米電路的理想材料。石墨烯具有良好的導熱性、高強度、超大的比表面積。這些優(yōu)異的性能使得石墨烯廣泛應用在納米電子器件、氣體傳感器、能量存儲及復合材料領域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了提供產(chǎn)率高、工業(yè)應用性強的石墨烯，本發(fā)明提供了一種單層石墨烯的制備方法，方法為將石墨分散于溶劑中，形成低濃度的分散液，利用超聲波分散制備得到單層石墨稀。
[0004]所述溶劑為丙酮。
[0005]所述方法還包括在溶劑中加入聚內(nèi)烯酸鹽或丙二腈。
[0006]所述方法還包括在溶劑中加入聚乙烯醇或硼氫化鈉。
[0007]本發(fā)明制備方法工藝簡單、成本低廉、產(chǎn)率高，制備達到的石墨烯控制石墨烯層間靜電作用小，分散性能好，同`時具有較高的電導率。
【具體實施方式】
[0008]實施例1
[0009]單層石墨烯的制備方法，是將石墨分散于丙酮中，溶劑中添加聚內(nèi)烯酸鹽和硼氫化鈉，形成低濃度的分散液，利用超聲波分散制備得到單層石墨烯。
[0010]實施例2
[0011]單層石墨烯的制備方法，是將石墨分散于丙酮中，溶劑中添加丙二腈和聚乙烯醇，形成低濃度的分散液，利用超聲波分散制備得到單層石墨烯。
[0012]實施例3
[0013]單層石墨烯的制備方法，是將石墨分散于丙酮中，溶劑中添加硼氫化鈉，形成低濃度的分散液，利用超聲波分散制備得到單層石墨烯。
[0014]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領域】的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.單層石墨烯的制備方法，其特征在于所述方法為將石墨分散于溶劑中，形成低濃度的分散液，利用超聲波分散制備得到單層石墨烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單層石墨烯的制備方法，其特征在于所述溶劑為丙酮。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單層石墨烯的制備方法，其特征在于所述方法還包括在溶劑中加入聚內(nèi)烯酸鹽或丙二腈。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單層石墨烯的制備方法，其特征在于所述方法還包括在溶劑中加入聚乙烯醇或硼氫化 鈉。
【文檔編號】C01B31/04GK103803536SQ201310654724
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月2日
【發(fā)明者】鄭惠娣 申請人:鄭惠娣