專利名稱：一種碳納米管的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種碳納米管的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展和進步，顯示技術(shù)更新?lián)Q代，場發(fā)射顯示技術(shù)成為新一代顯示技術(shù)，場發(fā)射顯示技術(shù)的關(guān)鍵在場發(fā)射陰極材料，而碳納米管是一種重要的場發(fā)射陰極材料，但是目前碳納米管的制備方法工藝 繁雜，制備成本較高，不適宜于工業(yè)生產(chǎn)。因此，尋找碳納米管的一種工藝簡單、成本低廉的制備方法成為亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種碳納米管的制備方法，其包括如下步驟(a)、對玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；(b)、然后在(a)步驟中處理過的玻璃基板上濺射鐵、鈷、鎳及其合金薄膜作為催化劑；(C)、然后在(b)步驟中得到的薄膜上接著濺射一層稀土金屬的氟化物薄膜；(d)、然后在催化劑薄膜上常規(guī)技術(shù)生長碳納米管，生長溫度為450-600°C。有益效果本發(fā)明制備的碳納米管材料經(jīng)過光譜分析，顯示納米結(jié)構(gòu)有序，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。實施例1該基板為普通玻璃，對該玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的玻璃基板上濺射鐵薄膜作為催化劑，厚度為20納米；然后在得到的薄膜上接著濺射一層氟化釹薄膜，厚度為100納米；最后在催化劑薄膜上常規(guī)技術(shù)生長碳納米管，生長溫度為450°C。得到質(zhì)量優(yōu)良的碳納米管。實施例2該基板為普通玻璃，對該玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的玻璃基板上濺射鈷薄膜作為催化劑，厚度為30納米；然后在得到的薄膜上接著濺射一層氟化鏑薄膜，厚度為200納米；最后在催化劑薄膜上常規(guī)技術(shù)生長碳納米管，生長溫度為500°C。得到質(zhì)量優(yōu)良的碳納米管。實施例3
該基板為普通玻璃，對該玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的玻璃基板上濺射鎳薄膜作為催化劑，厚度為40納米；然后在得到的薄膜上接著濺射一層氟化釹薄膜，厚度為300納米；最后在催化劑薄膜上常規(guī)技術(shù)生長碳納米管，生長溫度為550°C。得到質(zhì)量優(yōu)良的 碳納米管。
權(quán)利要求
1.一種碳納米管的制備方法，其包括如下步驟(a)、對玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；(b)、然后在(a)步驟中處理過的玻璃基板上濺射鐵、鈷、鎳及其合金薄膜作為催化劑； (C)、然后在(b)步驟中得到的薄膜上接著濺射一層稀土金屬的氟化物薄膜；(d)、然后在催化劑薄膜上常規(guī)技術(shù)生長碳納米管，生長溫度為450-60(TC。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，稀土金屬為釹、鏑。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，催化劑薄膜厚度為20-40nm。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，氟化物薄膜厚度為100-300nm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種碳納米管的制備方法，其包括如下步驟(a)、對玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；(b)、然后在(a)步驟中處理過的玻璃基板上濺射鐵、鈷、鎳及其合金薄膜作為催化劑；(c)、然后在(b)步驟中得到的薄膜上接著濺射一層稀土金屬的氟化物薄膜；(d)、然后在催化劑薄膜上常規(guī)技術(shù)生長碳納米管，生長溫度為450-600℃。
文檔編號C01B31/02GK103043648SQ20121058109
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者李崗, 國欣鑫, 張曉輝 申請人:青島艾德森能源科技有限公司