專利名稱：多晶硅還原爐進料噴嘴的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種噴嘴，特別是一種多晶硅還原爐的進料噴嘴。
背景技術(shù)：
目前，國內(nèi)外生產(chǎn)多晶硅的主要工藝技術(shù)是“改良西門子法”用氯氣和氫氣合成 氯化氫，氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅，然后對三氯氫硅進行分離精餾提純，提 純后的高純?nèi)葰涔枧c氫氣按比例混合后通入多晶硅還原爐內(nèi)，在一定的溫度和壓力下， 在通電高溫硅芯上進行沉積反應(yīng)生成多晶硅，反應(yīng)溫度控制在1080攝氏度左右，最終生成 棒狀多晶硅產(chǎn)品，同時生成四氯化硅、二氯二氫硅、氯化氫等副產(chǎn)物。多晶硅還原爐是“改良西門子法”生產(chǎn)多晶硅的主要設(shè)備，由還原爐爐底盤、帶有 夾套冷卻水的鐘罩式爐體、電極、視鏡孔、混合氣進料管、混合氣進料噴嘴、混合氣尾氣管、 爐底盤冷卻水管等組成。在實際生產(chǎn)中，為了使產(chǎn)品表面光滑、有灰金屬光澤度，同時提高產(chǎn)品的致密度 等，經(jīng)常需要在工藝上進行調(diào)整，還原爐內(nèi)的工況情況本身就比較復(fù)雜，如果進料噴嘴固 定，單純的依靠工藝調(diào)節(jié)來優(yōu)化產(chǎn)品質(zhì)量比較困難，具體體現(xiàn)在如果噴嘴一定，要改變噴 流速度或者是噴流流量，那么就要改變其進料管道上的進料裝置的溫度、壓力、流量等參 數(shù)，但是在整個系統(tǒng)中，如果要改變這些參數(shù)，將要對系統(tǒng)或者部分系統(tǒng)重新做平衡，使得 整個過程復(fù)雜化。目前由于多晶硅還原爐生產(chǎn)成本高，一般情況下，已經(jīng)成形的還原爐不會做相應(yīng) 的改動，爐底盤的進料噴嘴的位置也就不會改變，如果可以改變噴嘴的大小，那么在不改變 工藝管道和設(shè)備的情況下，就可以結(jié)合自己的工況情況進行調(diào)整以達到自己的產(chǎn)品生產(chǎn)要 求，大大降低了生產(chǎn)成本。

實用新型內(nèi)容本實用新型的發(fā)明目的在于針對上述情況，提供一種方便拆卸的、可調(diào)整的多晶 硅還原爐進料噴嘴。為了達到上述發(fā)明目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案一種多晶硅還原爐進料噴嘴，連接在還原爐爐底盤的進料口處，所述進料噴嘴上 部為噴嘴段，下部為連接段，所述進料噴嘴內(nèi)部設(shè)有噴嘴孔，所述進料噴嘴與還原爐底盤的 連接方式為可拆卸式連接。作為優(yōu)選方式，所述還原爐爐底盤的進料口內(nèi)壁設(shè)有內(nèi)螺紋，所述進料噴嘴的連 接段外部設(shè)有和底盤進料口內(nèi)壁內(nèi)螺紋配合的外螺紋。作為優(yōu)選方式，所述進料噴嘴內(nèi)部的噴嘴孔的直徑為5-20mm。作為優(yōu)選方式，所述進料噴嘴的噴嘴段的高度為3_20mm。作為優(yōu)選方式，所述進料噴嘴的噴嘴段上設(shè)有六角形的扳手夾持段。本實用新型的有益效果是可以根據(jù)現(xiàn)場實際情況調(diào)節(jié)噴嘴大小，而不需要對系統(tǒng)做任何大規(guī)模的調(diào)整，簡化了工藝調(diào)節(jié)過程，節(jié)約了生產(chǎn)成本，通過更換不同直徑的噴嘴 孔的噴嘴來改變進料管道上的進料流速、流量等參數(shù)從而使產(chǎn)品表面光滑、有灰金屬光澤 度，噴嘴段高度過高會使噴嘴被爐內(nèi)的高溫灼傷，噴嘴高度過低又使噴入的料所能達到的 高度過低而影響產(chǎn)品的后續(xù)生產(chǎn)，所以設(shè)置了較佳的噴嘴段高度和噴嘴孔大小，有利于多 晶硅的沉積、產(chǎn)品致密度的增加，提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和產(chǎn)量，六角形的扳手夾持段便于使用 扳手進行緊固，方便操作。

圖1是進料噴嘴與還原爐底盤連接示意圖。圖2是進料噴嘴俯視圖。圖中標(biāo)記1為進料噴嘴，2為還原爐底盤，3為噴嘴孔，4為扳手夾持段，5為高度 為H的噴嘴段，6為連接段，7為進料口。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖，對本實用新型作詳細的說明。實施例1如圖1、圖2所示，一種多晶硅還原爐進料噴嘴1，連接在還原爐底盤2的進料口 7 處，所述進料噴嘴上部為噴嘴段5，其高度H為3mm，下部為連接段6，所述進料噴嘴內(nèi)部設(shè)有 噴嘴孔3，噴嘴孔的直徑為5mm，所述還原爐底盤的進料口 7內(nèi)壁設(shè)有內(nèi)螺紋，所述進料噴嘴 的連接段6外部設(shè)有和底盤進料口內(nèi)壁內(nèi)螺紋配合的外螺紋。所述進料噴嘴的噴嘴段上設(shè) 有六角形的扳手夾持段4，用扳手進行固定封死。根據(jù)實際生產(chǎn)情況調(diào)節(jié)噴嘴段5的高度H和噴嘴孔3的直徑大小來優(yōu)化混合氣體 氣場的分布。實施例2一種多晶硅還原爐進料噴嘴1，連接在還原爐爐底盤的進料口 7處，所述進料噴嘴 上部為噴嘴段5，其高度H為20mm，下部為連接段6，所述進料噴嘴內(nèi)部設(shè)有噴嘴孔3，噴嘴 孔的直徑為20mm，所述還原爐爐底盤的進料口 7內(nèi)壁設(shè)有內(nèi)螺紋，所述進料噴嘴的連接段6 外部設(shè)有和底盤進料口內(nèi)壁內(nèi)螺紋配合的外螺紋。所述進料噴嘴的噴嘴段上設(shè)有六角形的 扳手夾持段4，用扳手進行固定封死。根據(jù)實際生產(chǎn)情況調(diào)節(jié)噴嘴段5的高度H和噴嘴孔3的直徑大小來優(yōu)化混合氣體 氣場的分布。
權(quán)利要求1.一種多晶硅還原爐進料噴嘴，連接在還原爐底盤的進料口處，其特征在于所述進 料噴嘴上部為噴嘴段，下部為連接段，所述進料噴嘴內(nèi)部設(shè)有噴嘴孔，所述進料噴嘴與還原 爐底盤的連接方式為可拆卸式連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐進料噴嘴，其特征在于所述還原爐爐底盤的 進料口內(nèi)壁設(shè)有內(nèi)螺紋，所述進料噴嘴的連接段外部設(shè)有和底盤進料口內(nèi)壁內(nèi)螺紋配合的 外螺紋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐進料噴嘴，其特征在于所述進料噴嘴內(nèi)部的 噴嘴孔的直徑為5-20mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐進料噴嘴，其特征在于所述進料噴嘴的噴嘴 段的高度為3-20mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的多晶硅還原爐進料噴嘴，其特征在于所述進 料噴嘴的噴嘴段上設(shè)有六角形的扳手夾持段。
專利摘要本實用新型公開了一種多晶硅還原爐進料噴嘴，連接在還原爐底盤的進料口處，所述進料噴嘴上部為噴嘴段，下部為連接段，所述進料噴嘴內(nèi)部設(shè)有噴嘴孔，所述進料噴嘴與還原爐底盤的連接方式為可拆卸式連接，可以根據(jù)現(xiàn)場實際情況調(diào)節(jié)噴嘴大小，簡化了工藝調(diào)節(jié)過程，通過更換不同直徑的噴嘴孔的噴嘴來改變進料管道上的進料流速、流量等參數(shù)從而使產(chǎn)品表面光滑、有灰金屬光澤度，噴嘴段高度過高會使噴嘴被爐內(nèi)的高溫灼傷，噴嘴高度過低又使噴入的料所能達到的高度過低而影響產(chǎn)品的后續(xù)生產(chǎn)，所以設(shè)置了較佳的噴嘴段高度和噴嘴孔大小，有利于多晶硅的沉積、產(chǎn)品致密度的增加，提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和產(chǎn)量，六角形的扳手夾持段便于使用扳手進行緊固。
文檔編號C01B33/03GK201785200SQ20102024252
公開日2011年4月6日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者王勃, 邱健源, 陳強, 龍興文 申請人:峨嵋半導(dǎo)體材料研究所