專利名稱：：高純度α-氧化鋁的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及高純度a-氧化鋁的制造方法，具體涉及Si、Fe、Ca和Na成分被盡可能除去了的高純度a-氧化鋁的制造方法。
背景技術(shù)：
：a-氧化鋁(a-AlA)由于絕緣性、耐熱性、耐磨損性、耐蝕性等良好，因此被廣泛用于耐火物、研磨材料、絕緣子、電子元器件、火花塞、填充材料、催化劑載體等，尤其在精細(xì)陶瓷和電子元器件等用途中采用高純度的a-氧化鋁。以往，作為獲得高純度的a-氧化鋁的方法，采用烷醇鋁水解法、鋁酸季鉸鹽法、明礬熱分解法、碳酸鋁銨熱分解法、氯化鋁熱分解法、水中火花放電法等，但這些方法由于制造工序復(fù)雜且使用的原材料昂貴，所以所得的a-氧化鋁的價(jià)格非常高。于是，提出了多個(gè)利用一般被用作通用的制造a-氧化鋁的方法的拜耳法來獲得高純度的a-氧化鋁的方法。例如，可以例舉以下的方法將通過拜耳法得到的氧化鋁用電爐熔融，對該熔融氧化鋁噴射壓縮空氣等，從而得到中空粒狀物，將其浸漬于無機(jī)酸而溶出雜質(zhì)的方法(參照專利文獻(xiàn)l);將使氧化鋁和Si02—起電熱熔融而得的剛玉粉碎，用鹽酸和氫氟酸清洗來獲得高純度的a-氧化鋁的方法(參照專利文獻(xiàn)2);將通過拜耳法得到的氫氧化鋁或?qū)ζ溥M(jìn)行煅燒而得的過渡型氧化鋁粉碎，在含氯化氫氣體的氣氛中于6001400'C燒成的方法(參照專利文獻(xiàn)3);以通過拜耳法得到的氫氧化鋁和對其進(jìn)行加熱處理而得的中間氧化鋁為原料，將該原料用碳質(zhì)物質(zhì)被覆，于減壓氣氛中在80(TC以上的溫度下燒成，再于常壓氧化氣氛中加熱來進(jìn)行脫碳處理的方法(參照專利文獻(xiàn)4)等。然而，這些方法由于需要電熔處理(專利文獻(xiàn)1和2)或特殊氣氛下的燒成(專利文獻(xiàn)3和4)，所以必須準(zhǔn)備與通過拜耳法制造通用氧化鋁時(shí)的燒成爐不同的設(shè)備。另一方面，作為利用拜耳法時(shí)的通常的課題，可以例舉由于拜耳法中在工序上使用苛性鈉(氫氧化鈉)而在所得的氧化鋁中殘存大量Na成分的課題。Na成分成為阻礙電絕緣性的主要原因，因此在將氧化鋁用作絕緣材料或電子元器件材料時(shí)必須盡可能除去。于是，提出了以下的方法通過低溫和高溫的2個(gè)階段對氫氧化鋁進(jìn)行燒成，反復(fù)進(jìn)行清洗和過濾的方法(參照專利文獻(xiàn)5);向氫氧化鋁添加鹽酸或氯化鋁，用硅酸質(zhì)耐火容器(燒成容器)進(jìn)行燒成的方法(參照專利文獻(xiàn)6);使氫氧化鋁或氧化鋁中共存鹽酸或氯化鋁和硼酸或氧化硼來進(jìn)行燒成的方法(參照專利文獻(xiàn)7);向氫氧化鋁中添加鹽酸或氯化鋁，混合二氧化硅類物質(zhì)并燒成后，分離二氧化硅類物質(zhì)的方法(參照專利文獻(xiàn)8);將氫氧化鋁燒成而制成不含結(jié)晶物質(zhì)的無定形氧化鋁后，用脂肪族低級(jí)羧酸清洗，再次進(jìn)行燒結(jié)的方法(參照專利文獻(xiàn)9)等。然而，通過這些方法最終得到的a-氧化鋁中也都含有100600ppm左右的Na成分，并不一定能滿足以電子元器件材料為代表的用途。此外，這些方法無法期待使Si、Ca、Fe等雜質(zhì)金屬減少的效果。于是，提出了例如以下的方法將氧化鋁粉末用直徑2mm以下的鐵介質(zhì)粉碎后，將該氧化鋁粉末用鹽酸或硝酸清洗，再用濃度10N以上的硫酸清洗，從而除去氧化鋁中的Fe成分的方法(參照專利文獻(xiàn)10);通過使氫氧化鋁或氧化鋁中含有氟化物后進(jìn)行燒成，從而使Si成分減少的方法(參照專利文獻(xiàn)ll)等。然而，上述涉及Fe成分除去的方法中，需要使用純度99.99質(zhì)量％以上的氧化鋁粉末作為起始原料，且在其實(shí)施例中被認(rèn)為是Fe的雜質(zhì)僅僅被減少至4050ppm。另一方面，涉及Si成分除去的方法中，所用的氟化物也起到a-氧化鋁的粒子生長促進(jìn)劑的作用，所以所得的a-氧化鋁容易粗?；?。因此，不適合作為獲得需要微細(xì)的粒子的電子材料和陶瓷原料用的高純度a-氧化鋁的制法。專利文獻(xiàn)1:日本專利特開昭55-7532號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利特開昭53-79797號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本專利特開平8-290914號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本專利特公平6-37293號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:美國專利第2405275號(hào)公報(bào)4專利文獻(xiàn)6:日本專利特公昭47-5744號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7:日本專利特公昭48-34680號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)8:日本專利特開昭54-16398號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)9:日本專利特開昭55-140719號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)10:日本專利特開平10-324519號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)ll:日本專利特開昭62-46922號(hào)公報(bào)發(fā)明的揭示上述說明的以往的方法不論是單獨(dú)還是將幾種方法組合，都難以獲得Si成分、Fe成分、Ca成分和Na成分同時(shí)減少了的高純度a-氧化鋁。于是，本發(fā)明人對制造盡可能減少了這些雜質(zhì)金屬的高純度a-氧化鋁的方法進(jìn)行認(rèn)真研究后發(fā)現(xiàn)，通過將Na成分和Fe成分等分別在規(guī)定的值以下且平均粒徑得到控制的氫氧化鋁用特定的燒成容器燒成并進(jìn)行清洗處理，可獲得如上所述的雜質(zhì)金屬被盡可能除去了的高純度a-氧化鋁，從而完成了本發(fā)明。因此，本發(fā)明的目的在于提供可以簡便且低成本地獲得Si成分、Fe成分、Ca成分和Na成分同時(shí)減少了的高純度a-氧化鋁的高純度a-氧化鋁的制造方法。此外，本發(fā)明的另一目的在于提供Si成分、Fe成分、Ca成分和Na成分同時(shí)減少了的高純度a-氧化鋁。艮P，本發(fā)明是高純度a-氧化鋁的制造方法，其特征在于，使用含有8593重量。/ai203和714重量^Si02的燒成容器，將氫氧化鋁在1100150(TC的燒成溫度下進(jìn)行燒成，對所得的a-氧化鋁進(jìn)行清洗處理；所述氫氧化鋁的雜質(zhì)分別以氧化鋁換算為Na成分O.11質(zhì)量％以下、Fe成分6ppm以下、Ca成分l.5ppm以下和Si成分10卯m以下，且平均粒徑在55um以下。此外，本發(fā)明還是高純度a-氧化鋁，其特征在于，Si成分在20ppm以下，F(xiàn)e成分在10ppm以下，Ca成分在2ppm以下，且Na成分在40ppm以下。本發(fā)明的制造高純度a-氧化鋁(a-A1A)的方法中，使用的氫氧化鋁必須平均粒徑在55ura以下，較好是在30um以下，雜質(zhì)中的Na成分以氧化鋁換算在O.11質(zhì)量％以下(總化20成分在0.15質(zhì)量％以下)，F(xiàn)e成分以氧化鋁換算在6ppm以下，Ca成分以氧化鋁換算在l.5卯m以下，且Si成分以氧化鋁換算在10ppm以下。如果平均粒徑大于55um，則Na成分的除去效率低，不適合用于將氧化鋁中的Na成分減少至40ppm以下。此外，如果Na成分的含量以氧化鋁換算超過0.11質(zhì)量％(總Na20成分超過0.15質(zhì)量％)，則即使進(jìn)行采用燒成和清洗處理的Na成分的除去操作，也無法完全除去，殘留大量的Na成分，產(chǎn)生氧化鋁中的Na成分超過40ppm的問題。另一方面，對于除Na成分以外的雜質(zhì)，氫氧化鋁中的含量直接進(jìn)入氧化鋁而殘留，所以考慮到制造工序中的污染成分，通過使Fe成分、Ca成分和Si成分分別在上述范圍內(nèi)，可以最終獲得Fe成分在10ppra以下、Ca成分在2ppm以下且Si成分在20ppm以下的高純度a-氧化鋁。還有，對于氫氧化鋁中所含的雜質(zhì)量，1分子氧化鋁三水合物(A1A3H20:分子量155.96)相當(dāng)于1分子氧化鋁"1203:分子量101,96)，所以將氫氧化鋁中的雜質(zhì)量換算為氧化鋁基準(zhǔn)時(shí)，可以乘以155.96+101.96^1.53來求得。因此，如果以氧化鋁換算前的雜質(zhì)量表示，則Na成分在O.074質(zhì)量％以下(總Na20成分在0.1質(zhì)量％以下)，F(xiàn)e成分在4ppm以下，Ca成分在lppm以下，且Si成分在6ppm以下。對于獲得這樣的氫氧化鋁的方法沒有特別限定，例如可以是通過拜耳法得到的氫氧化鋁，但較好是通過日本專利特幵平11-278829號(hào)公報(bào)中所記載的方法得到的氫氧化鋁。即，使用溶解Na20濃度(C)100g/L以上且液中Fe濃度0.4mg/L以下的溶解Na20成分和溶解Al203成分的摩爾比(M，溶解化20成分/溶解Al203成分)為1.62.0的過飽和鋁酸鈉溶液作為原料溶液，在75'C以下且滿足下述式(l)2X107c2......(1)的條件的溶液溫度(T，。C)下向該原料溶液中以215mVL的比例添加BET比表面積l7mVg的氫氧化鋁作為晶種。這時(shí)，將從該添加晶種帶入原料溶液中的來源于晶種的混入Fe量維持在以下述式(2)Y=2.0X10—3XAX(3.0—M)......(2)表示的最大容許值Y(mg/L)以下，式中的A表示溶解Al2(V濃度(g/L)。接著，在將以下述式(3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>表示的原料溶液的過飽和濃度X維持在30g/L《X《50g/L的范圍內(nèi)的同時(shí)，在攪拌下使溶液溫度(T)降至55。C以下，使其分解至上述摩爾比(M)達(dá)到3.0以上，將析出的氫氧化鋁進(jìn)行固液分離，從而可以獲得平均粒徑為1540um、總Na20成分在0.1質(zhì)量％以下且Fe成分在4ppm以下的氫氧化鋁。所得的氫氧化鋁通過進(jìn)行粉碎處理可以使平均粒徑進(jìn)一步減小。還有，上述式(3)由所謂的懷特(White)的公式(《輕金屬(LightMetals)》，(1984)，237-253頁)導(dǎo)出。如上所述制造氫氧化鋁時(shí)作為原料溶液使用的過飽和鋁酸鈉溶液可以通過任意的方法調(diào)制，但較好是通過拜耳法得到的過飽和鋁酸鈉溶液，具體如下調(diào)制使用溶解Na20濃度(C)100200g/L、溶解Na20成分和溶解Al203成分的摩爾比(M)為l.51.8且液中Fe濃度l15mg/L的過飽和鋁酸鈉溶液，向該溶液中以1550m7L的比例添加BET比表面積37m7g的氫氧化鋁作為晶種，在708(TC于攪拌下使其接觸13小時(shí)，再進(jìn)行固液分離，從而作為精制過飽和鋁酸鈉溶液獲得。另外，對這樣的氫氧化鋁進(jìn)行燒成時(shí)，使用含有8593重量％八1203和714重量XSi02的燒成容器。一般所使用的含較多Si02的所謂的硅酸質(zhì)類的燒成容器除了在燒成后的氧化鋁中殘存大量Si成分之外，還存在因Ca和Fe揮散或吸附而使所得的氧化鋁的純度下降的問題。另一方面，S;i02較少的高氧化鋁質(zhì)類的燒成容器雖然可以抑制Si污染，但存在Na的減少效果弱且Ca污染顯著的問題。于是，本發(fā)明人反復(fù)進(jìn)行基于燒成容器的組成和燒成溫度的組合的燒成試驗(yàn)后獲得如下的新發(fā)現(xiàn)通過使用Al203為8593重量X且Si02為714重量X的范圍內(nèi)的燒成容器在規(guī)定溫度下對上述氫氧化鋁進(jìn)行燒成，不僅可以獲得足夠的Na減少效果，還可以抑制Si、Ca和Fe等雜質(zhì)金屬引起的污染來獲得a-氧化鋁。在這樣的燒成容器中填充氫氧化鋁進(jìn)行燒成時(shí)，為了防止來源于燒成容器雜質(zhì)的揮散和吸附引起的污染，較好是盡可能減小填充于燒成容器的氫氧化鋁填充物和燒成容器的接觸面積，優(yōu)選使接觸面積達(dá)到氫氧化鋁填充物的表面積的30%以下來進(jìn)行燒成。與燒成容器接觸的部分的所得ci-氧化鋁中，特別是Si成分的量增加，但通過使接觸面積在上述范圍內(nèi)，可以盡可能避免藉由接觸部分產(chǎn)生的雜質(zhì)污染。此外，對于氫氧化鋁填充物和燒成容器不接觸的非接觸部分，較好是設(shè)置5mm以上的間隙來進(jìn)行燒成，從而可以盡可能避免雜質(zhì)污染。對于減少氫氧化鋁填充物與燒成容器的接觸面積的方法沒有特別限定，例如可以將根據(jù)燒成容器的形狀預(yù)先加壓成形而得的氫氧化鋁(氫氧化鋁填充物)介以由高純度氧化鋁制燒結(jié)片等形成的間隔物放入燒成容器，以與燒成容器的內(nèi)壁面之間形成規(guī)定的間隙的狀態(tài)收容。此外，也可以將氫氧化鋁加壓成形，使其具備與燒成容器的內(nèi)壁底面部接觸的可支承自重的腳部，將所得的氫氧化鋁(氫氧化鋁填充物)以僅腳部與燒成容器接觸的狀態(tài)收容。或者，還可以將由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等形成的燒成時(shí)燒除的片材預(yù)先配置于燒成容器的內(nèi)壁面，介以該片材收容氫氧化鋁(氫氧化鋁填充物)。這時(shí)，氫氧化鋁被燒成而形成a-氧化鋁后，可以通過燒結(jié)在一定程度上維持形狀，所以如果在配置于燒成容器的內(nèi)壁底面部的片材上預(yù)先設(shè)置規(guī)定的開口部，則即使在片材燒除后，填充于該開口部的氫氧化鋁也可成為支承其自重的腳部，可以避免除腳部以外的部分與燒成容器接觸。還有，在燒成容器的蓋體和氫氧化鋁填充物之間，設(shè)置規(guī)定的間隙即可。此外，對于可能會(huì)與燒成容器接觸而混入雜質(zhì)的部分，可以在燒成后除去，具體較好是從燒成后作為塊具有規(guī)定的形狀而得到的a_氧化鋁的表層除去5mm(深度5mm)的部分。另外，對放入燒成容器的氫氧化鋁在1100150(TC的燒成溫度下進(jìn)行燒成。如果燒成溫度不足110(TC，則存在Na成分的除去效果容易不足而無法使所得的a-氧化鋁中的Na成分在40ppm以下的問題；相反地，如果超過150(TC以上，則來自燒成容器的雜質(zhì)污染變得顯著，無法保持a-氧化鋁中的Fe成分在lOppm以下，Ca成分在2ppm以下，且Si成分在20ppm以下。通過該燒成可以使氫氧化鋁中所含的Na成分減少，最終可穩(wěn)定地獲得Na成分在40卯m以下的a-氧化鋁，但燒成中的Na成分的減少效果受到氫氧化鋁的粒徑和燒成條件的較大影響。即，氫氧化鋁的粒徑越小，則Na成分的減少效果越強(qiáng)；或者，燒成溫度越高，則Na成分的減少效果越強(qiáng)。為了有效地使Na成分減少，較好是從氫氧化鋁進(jìn)行燒成直至a-氧化鋁的8粒子結(jié)晶生長，作為合適的燒成時(shí)間，除了氫氧化鋁中所含的Na成分和粒徑之外，還取決于燒成時(shí)的溫度，因此并不受到限定，較好是設(shè)為l小時(shí)以上。此外，關(guān)于燒成氣氛，可以是在大氣中。另外，本發(fā)明中，對通過燒成得到的a-氧化鋁進(jìn)行清洗處理。該清洗處理的目的之一在于，進(jìn)一步除去燒成而得的a-氧化鋁中所含的Na成分。因此，較好是將通過燒成得到的a-氧化鋁用純水、鹽酸、磷酸、氫氟酸等的再調(diào)漿水進(jìn)行漿料化，攪拌清洗，從而使a-氧化鋁中的Na成分溶解，再通入清洗水來進(jìn)行通水清洗。對于清洗處理的條件，除了氫氧化鋁的Na成分和粒徑之外，還取決于燒成時(shí)的溫度，但可以例示例如以下的條件。即，對于上述攪拌清洗，較好是在將a-氧化鋁漿料化時(shí)相對于lkga-氧化鋁用2L以上的再調(diào)漿水漿料化，攪拌l小時(shí)以上。如果再調(diào)漿水的量少于2L/kg氧化鋁，則即使攪拌l小時(shí)以上，也有可能無法期待足夠的Na成分的減少效果。即使超過2L/kg氧化鋁的量進(jìn)行漿料化并攪拌l小時(shí)以上時(shí)，攪拌清洗的效果也達(dá)到飽和。接著，較好是在過濾的同時(shí)，加入足夠的清洗水來置換粒子間所含的含有溶出的Na成分的殘存液。具體來說，對于攪拌清洗后的通水清洗，較好是相對于lkga-氧化鋁通入3L以上、優(yōu)選5L以上的清洗水來進(jìn)行通水清洗。如果通水清洗的水量少于3L/kg氧化鋁，則有可能無法期待足夠的溶解了的Na成分的清洗效果。即使以超過5L/kg氧化鋁的量進(jìn)行通水清洗時(shí)，其效果也達(dá)到飽和。對于上述清洗處理后的a-氧化鋁，通過用例如靜置干燥、流化床干燥、噴霧干燥等常規(guī)方法使其干燥，從而可以獲得Si成分在20ppm以下、Fe成分在10ppra以下、Ca成分在2ppra以下且Na成分在40ppm以下的高純度a-氧化鋁。本發(fā)明中，可以根據(jù)需要將所得的高純度a-氧化鋁進(jìn)一步在800100(TC、較好是900100(TC的溫度下進(jìn)行加熱處理，再次進(jìn)行清洗處理。通過這樣反復(fù)進(jìn)行加熱處理和再清洗處理，可以在不改變高純度a-氧化鋁的物性的情況下使Na成分進(jìn)一步減少至10ppm以下。或者，可以將高純度a-氧化鋁粉碎并再次槳料化，使其與例如強(qiáng)離子性的離子交換樹脂接觸，進(jìn)一步除去雜質(zhì)金屬。如果采用本發(fā)明，則可以簡便且低成本地獲得Si、Fe、Ca、Na等雜質(zhì)金屬被盡可能除去了的高純度a-氧化鋁。具體來說，可以獲得Si成分在20卯m以下、Fe成分在10卯m以下、Ca成分在2ppm以下且Na成分在40ppm以下的高純度a-氧化鋁。此外，如果采用本發(fā)明的制造方法，可以獲得粒徑基本上與作為原料的氫氧化鋁沒有差別的高純度a-氧化鋁，因此不會(huì)受到其用途的制約，除了絕緣材料和研磨材料等一般的a-氧化鋁的用途之外，還可以期待在包括精細(xì)陶瓷用、電子材料用、醫(yī)藥品用等的廣闊范圍內(nèi)的應(yīng)用，其工業(yè)上的重要性極高。附圖的簡單說明圖l是表示使用燒成容器對氫氧化鋁進(jìn)行燒成的狀況的剖視說明圖。圖2是對氫氧化鋁進(jìn)行加壓成形而得的氫氧化鋁填充物的立體說明圖。圖3是對氫氧化鋁進(jìn)行燒成時(shí)使用的片材的組裝說明圖。圖4是為試驗(yàn)準(zhǔn)備的氫氧化鋁填充物的立體說明圖。圖5是表示對于燒成容器的氫氧化鋁的填充方法(在[填充方法別燒成試驗(yàn)]的一部分中使用)的剖視說明圖。符號(hào)的說明l:燒成容器，2:燒成容器主體，2a:內(nèi)壁側(cè)面部，2b:內(nèi)壁底面部，3:蓋體，4:氫氧化鋁填充物，4a:腳部，5:片材，5a:開口部。實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下，使用附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖l是表示使用燒成容器l對氫氧化鋁進(jìn)行燒成的狀況的剖視說明圖。上述燒成容器l由含有8593重量XAl203和714重量XSi02的燒成容器主體2和同樣含有8593重量XAlA和714重量XSi02的蓋體3構(gòu)成，該燒成容器l中放入有預(yù)先加壓成形而得的氫氧化鋁填充物4。如圖2所示，該氫氧化鋁填充物4被加壓成形為具備腳部4a的木屐形，分別與燒成容器l的內(nèi)壁面空開規(guī)定的間隔d配置，使得僅該腳部4a與燒成容器l接觸。使用燒成容器l對氫氧化鋁進(jìn)行燒成時(shí)，也可以使用例如圖3所示的片材5。該片材5是由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等形成的燒成時(shí)燒除的材料。該片材5在將氫氧化鋁填充于燒成容器1時(shí)被用作墊料，較好是根據(jù)燒成容器l的形狀分別準(zhǔn)備與燒成容器主體2的內(nèi)壁側(cè)面部2a對應(yīng)的片材(圖3中為4塊)和與內(nèi)壁底面部2b對應(yīng)的片材(圖3中為l塊)。其中，對于與燒成容器主體2的內(nèi)壁底面部2b對應(yīng)的片材5，較好是預(yù)先設(shè)置若干個(gè)開口部5a，從而所填充的氫氧化鋁在燒成后形成可支承自重的腳部。作為該片材5的使用方法，首先在燒成容器主體2的內(nèi)壁面上配置上述片材5。這時(shí)，在內(nèi)壁底面部2b配置具備開口部5a的片材5。接著，在配置了所有片材5的燒成容器主體2中填充作為原料的氫氧化鋁。這時(shí)，較好是在加壓的同時(shí)構(gòu)成氫氧化鋁填充物的形狀。填充所有的氫氧化鋁后，用蓋體3蓋住燒成容器主體2。填充了氫氧化鋁的燒成容器1例如放入梭式窯或電爐等中在1100150(TC的燒成溫度下進(jìn)行燒成。對于燒成時(shí)間，由于根據(jù)氫氧化鋁的粒徑和所含的Na成分等而不同，因此并不受到限定，較好是設(shè)為l小時(shí)以上。這時(shí)，進(jìn)行燒成的氣氛可以是在大氣中。接著，由于燒成而得的a-氧化鋁通常呈塊狀，因此根據(jù)需要粉碎后，進(jìn)行規(guī)定的清洗處理。作為清洗處理的優(yōu)選方法，首先將放冷至室溫的a-氧化鋁投入純水、鹽酸、磷酸、氫氟酸等的再調(diào)漿水而使其漿料化，攪拌清洗，使殘存于a-氧化鋁中的雜質(zhì)金屬(主要是Na成分)溶出。這時(shí)，較好是相對于lkga-氧化鋁用2L以上的再調(diào)漿水槳料化，攪拌時(shí)間較好是設(shè)為l小時(shí)以上。攪拌清洗后，將漿料注入過濾機(jī)抽濾分離再調(diào)漿水，去除溶出的雜質(zhì)金屬。接著，向過濾分離得到的a-氧化鋁通入清洗水(例如純水)的同時(shí)，將殘留于粒子間的含雜質(zhì)金屬的再調(diào)漿水用清洗水置換，抽濾分離，清洗a-氧化鋁。這時(shí)，較好是相對于lkga-氧化鋁通入3L以上、優(yōu)選5L以上的清洗水來進(jìn)行清洗。這樣進(jìn)行清洗處理后，例如進(jìn)行噴霧干燥使其干燥，從而可以獲得Si成分在20ppm以下、Fe成分在10ppm以下、Ca成分在2ppm以下且Na成分在40卯m以下的高純度a-氧化鋁。本發(fā)明中，可以根據(jù)需要將通過上述操作得到的高純度a-氧化鋁進(jìn)一步在800100(TC的溫度下進(jìn)行加熱處理，再次進(jìn)行清洗處理，或者，可以將高純度a-氧化鋁粉碎并再次漿料化，使其與例如強(qiáng)離子性的離子交換樹脂接觸，進(jìn)一步除去雜質(zhì)金屬。通過進(jìn)一步實(shí)施這些處理，可以使Na成分進(jìn)一步減少至10ppm以下。實(shí)施例首先，為了考察燒成容器l(燒成容器主體2和蓋體3)的材質(zhì)與使用其進(jìn)行燒成而得的a-氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬量的關(guān)系，分別使用具有表l所示的化學(xué)組成(質(zhì)量^)的燒成容器AG對氫氧化鋁進(jìn)行燒成，然后進(jìn)行清洗處理，從而制成高純度a-氧化鋁。燒成容器A和B為所謂的硅酸質(zhì)類的燒成容器，燒成容器E、F和G為高氧化鋁質(zhì)類的燒成容器。還有，各燒成容器的材質(zhì)為基于熒光X射線分析法的分析結(jié)果。此外，各燒成容器主體的尺寸(內(nèi)徑)示于表l。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>此外，作為原料，準(zhǔn)備表2所示的高純度氫氧化鋁(日本輕金屬株式會(huì)社(日本軽金屬社)帝U:產(chǎn)品編號(hào)BHP39)，準(zhǔn)備規(guī)定數(shù)量的將其如圖4所示加壓成形而得的氫氧化鋁填充物4，該填充物為65mractX80ramH的圓柱形(圖中R二65mm，H=80mm)，在與燒成容器主體的內(nèi)壁底面部側(cè)對應(yīng)的面設(shè)置深5mm的凹溝而形成由周緣部和中央部構(gòu)成的腳部4a(圖中r^0mm，t=10mm，s=5mm)，分別填充于上述燒成容器AG。這時(shí)，以各燒成容器AG和氫氧化鋁填充物4僅在腳部4a接觸的方式填充。g卩，氫氧化鋁填充物4和各燒成容器接觸的面積為圓柱狀的腳部4a的表面的總和，這相當(dāng)于氫氧化鋁填充物4的表面積的8%。此外，對于氫氧化鋁填充物4和各燒成容器AG不接觸的部分，以在氫氧化鋁填充物4和燒成容器(燒成容器主體和蓋體)之間設(shè)置至少5mm以上的間隙d的方式填充。將如上所述填充了氫氧化鋁填充物的燒成容器AG放入電爐，在大氣氣氛中分別于表2所示的燒成溫度下進(jìn)行10小時(shí)(保持時(shí)間)的燒成。這時(shí)各試驗(yàn)編號(hào)中使用的氫氧化鋁的平均粒徑和各雜質(zhì)金屬的量如表2所示。在這里，氫氧化鋁的平均粒徑使用日機(jī)裝株式會(huì)社(日機(jī)裝株式會(huì)社)制的激光散射法Microtrac9320HRA(X100)測定。此外，作為原料的氫氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬的量是通過原子吸收光譜法和ICP發(fā)光光譜分析法求得的值，對于Na成分，設(shè)為lX"10000ppm。其后，對于燒成處理后和清洗處理后的a-氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬量也分別同樣地進(jìn)行測定。還有，對于作為原料的氫氧化鋁中所含的雜質(zhì)量，是進(jìn)行氧化鋁換算而得的值。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>燒成后，將所得的a-氧化鋁放置在室溫下，分別測定a-氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬。其結(jié)果示于表2。接著，將該a-氧化鋁用相對于lkgci-氧化鋁為2L的純水(再調(diào)漿水)漿料化，攪拌清洗l小時(shí)。攪拌清洗后，將漿料注入過濾機(jī)抽濾分離再調(diào)漿水，去除溶出的雜質(zhì)金屬。接著，向過濾分離得到的a-氧化鋁通入純水(清洗水)來進(jìn)行通水清洗，直至相對于lkga-氧化鋁通入5L清洗水為止。這樣進(jìn)行清洗處理后，使其干燥而獲得除去了雜質(zhì)金屬的a-氧化鋁。所得的a-氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬的測定結(jié)果示于表2。還有，對于未進(jìn)行雜質(zhì)測定的試樣，表中標(biāo)以NA。此外，對于未檢出的值，標(biāo)以ND。由上述燒成容器別試驗(yàn)的結(jié)果可知，使用燒成容器A和B燒成并進(jìn)行清洗處理而得的a-氧化鋁(試驗(yàn)編號(hào)912)除了存在Si成分超過20ppm的試樣之外，Na成分和Fe成分的含量也比使用其它容器得到的a-氧化鋁高。此外，使用燒成容器E、F和G得到的a-氧化鋁(試驗(yàn)編號(hào)1321)都含有超過2ppm的Ca成分。與之相對，使用燒成容器C和D燒成并進(jìn)行清洗處理而得的a-氧化鋁(試驗(yàn)編號(hào)18)與使用其它燒成容器的情況相比，特別是Ca成分的含量少(2ppm以下)，同時(shí)Na成分、Si成分和Fe成分的含量也都為低值(Na成分40ppm以下，Si成分20ppm以下，F(xiàn)e成分10ppm以下)。使用上述燒成容器別試驗(yàn)中得到了良好的結(jié)果的燒成容器中的容器C，為了考察作為原料的氫氧化鋁(粒徑和雜質(zhì)金屬量不同的氫氧化鋁)與燒成溫度的關(guān)系，進(jìn)行了氫氧化鋁別燒成試驗(yàn)。準(zhǔn)備的氫氧化鋁為以下的3種高純度氫氧化鋁粉末(商品名BHP39，日本輕金屬株式會(huì)社制)、試制氫氧化鋁粉末(日本輕金屬株式會(huì)社制，參照表3)和普通粒氫氧化鋁(商品名B53，日本輕金屬株式會(huì)社制)。此外，將這些氫氧化鋁填充至燒成容器C時(shí)，與上述燒成容器別試驗(yàn)同樣地進(jìn)行操作，加壓成形為圖4所示的具備腳部4a的圓柱狀的氫氧化鋁填充物4來進(jìn)行填充。然后，使用電爐，在表3所示的各燒成溫度下進(jìn)行10小時(shí)(保持時(shí)間)的燒成。此外，對于所得的a-氧化鋁，與上述燒成容器別試驗(yàn)同樣地進(jìn)行清洗處理，使其干燥而獲得除去了雜質(zhì)金屬的a-氧化鋁。所得的a-氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬的測定結(jié)果示于表3。原料氫氧化鋁別燒成試驗(yàn)結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>*1燒成時(shí)的保持時(shí)間都為io小時(shí)*2氫氧化鋁的各雜質(zhì)量為進(jìn)行氧化鋁換算而得的值。此外，表中的"NA"表示未分析'"ND"表示未檢出。上述的氫氧化鋁別燒成試驗(yàn)的結(jié)果為，使用粒徑超過55um的氫氧化鋁(試驗(yàn)編號(hào)26和27)的情況下，存在進(jìn)行清洗處理而得的a-氧化鋁的Na成分超過40ppm的試樣。此外，使用作為原料的氫氧化鋁中所含的Na成分、Fe成分、Ca成分和Si成分中的至少任意一項(xiàng)以氧化鋁換算不滿足"Na成分O.11質(zhì)量％以下"、"Fe成分6ppm以下"、"Ca成分l.5ppm以下"和"Si成分10ppm以下"的條件的氫氧化鋁(試驗(yàn)編號(hào)3134)的情況下，進(jìn)行清洗處理而得的a-氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬量超過"Na成分40ppm以下"、"Ca成分2ppm以下"、"Si成分20ppm以下"和"Fe成分10ppm以下"中的某一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)。還有，燒成溫度為100(TC(試驗(yàn)編號(hào)28和30)時(shí)進(jìn)行清洗處理而得的a-氧化鋁的Na成分超過40ppm,燒成溫度為1600'C(試驗(yàn)編號(hào)29)時(shí)進(jìn)行清洗處理而得的a-氧化鋁的Si成分超過20ppm。與之相對，試驗(yàn)編號(hào)2225中，進(jìn)行清洗處理而得的a-氧化鋁Na成分、Ca成分、Si成分和Fe成分都滿足上述標(biāo)準(zhǔn)，雜質(zhì)量低。還有，表中的NA、ND與表2同樣。為了確認(rèn)所得的a-氧化鋁中所含的雜質(zhì)量因?qū)溲趸X填充于燒成容器的方法而產(chǎn)生的差異，使用上述燒成容器C和D進(jìn)行了如下的填充方法別燒成試驗(yàn)。首先，將高純度氫氧化鋁(日本輕金屬株式會(huì)社制BHP39:平均粒徑26um，Na成分O.039質(zhì)量％，Ca成分O.3ppm，Si成分3ppm，F(xiàn)e成分2ppm)加壓成形為木屐形，如圖2所示，準(zhǔn)備具備腳部4a的氫氧化鋁填充物4，將其分別填充于燒成容器C和D。該氫氧化鋁填充物4呈如下形狀250mra(L)X200mm(D)X80ram(H)，在與燒成容器的內(nèi)壁底面部對應(yīng)的面具備5個(gè)15mm(1)X5mm(h)的腳部4a。將氫氧化鋁填充物4填充于燒成容器C和D時(shí)，使得僅腳部4a與燒成容器接觸，除此以外的部分與燒成容器主體和蓋體之間形成至少5mm以上的間隙d。這時(shí)的氫氧化鋁填充物4和燒成容器的接觸面積為氫氧化鋁填充物4的表面積的10%。另外，如表4所示，除了條件設(shè)為燒成溫度l45(TC和保持時(shí)間1012小時(shí)以外，與上述燒成容器別試驗(yàn)同樣地進(jìn)行燒成。然后，將燒成后的a氧化鋁與上述燒成容器別試驗(yàn)同樣地進(jìn)行清洗處理，與上述燒成容器別試驗(yàn)同樣地測定雜質(zhì)金屬量(試驗(yàn)編號(hào)35和36)。此外，作為比較例，將原料氫氧化鋁通過通常的方法填充，即不加壓成形而直接將氫氧化鋁放入燒成容器主體，以與燒成容器主體的內(nèi)壁底面部和內(nèi)壁側(cè)面部接觸的方式填充。接著，與上述同樣地進(jìn)行燒成和清洗處理，測定雜質(zhì)金屬量(試驗(yàn)編號(hào)37和38)。這些試驗(yàn)編號(hào)3538的結(jié)果示于表4，未設(shè)腳部的氫氧化鋁填充物的情況(試驗(yàn)編號(hào)37和38)下，ct-氧化鋁中含有超過20ppm的Si成分。填充方法別的a-氧化鋁的雜質(zhì)量<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>此外，該填充方法別燒成試驗(yàn)中，作為參考例，為了確認(rèn)燒成后的氫氧化鋁填充物4的不同部位的雜質(zhì)量，對于加壓成形為木屐形的情況(試驗(yàn)編號(hào)35)和未加壓成形而直接填充的情況(試驗(yàn)編號(hào)38)，分別對規(guī)定部位進(jìn)行分類回收，將它們獨(dú)立地進(jìn)行清洗處理來比較雜質(zhì)量。首先，對于加壓成形為木屐形的氫氧化鋁填充物4，如圖5(A)所示，分別考察燒成后的氫氧化鋁填充物4的腳部4a(部位I)、燒成容器主體的內(nèi)壁底面部側(cè)的除去腳部4a的厚5mm的表層部分(部位II)、蓋體側(cè)的厚5mm的表層部分(部位IV)以及除了這些部位以外的其余部分(部位in)中所含的雜質(zhì)量。此外，對于直接填充的氫氧化鋁填充物4，分別考察與燒成容器主體接觸的厚5mm的表層部分(部位I)、除去部位I的蓋體側(cè)的厚5mm的表層部分(部位IV)以及除了這些部位以外的其余部分(部位III)中所含的雜質(zhì)量。S卩，在所有的情況下，部位i都是與燒成容器接觸的部分，部位niv都是非接觸部分。結(jié)果示于表4。由該結(jié)果可知，確認(rèn)與燒成容器接觸的部分的a-氧化鋁中混入大量的Si成分。因此，對于燒成后的a-氧化鋁中的與燒成容器接觸的部分，如果至少自表層除去5ram(深度5mm)，則可以減少最終獲得的a-氧化鋁的Si成分。另外，為了確認(rèn)設(shè)于氫氧化鋁填充物和燒成容器之間的間隙的影響，將氫氧化鋁填充物和燒成容器之間的間隙調(diào)整為l10mm來進(jìn)行燒成，測定燒成后的a-氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬量。具體來說，對于將加壓成形為木屐形的氫氧化鋁填充物4和燒成容器l(燒成容器C)之間的間隙d(圖l所示的間隙d)設(shè)為5mm以上的情況(試驗(yàn)編號(hào)3941)和不足5mm的情況(試驗(yàn)編號(hào)42和43)，除了條件設(shè)為燒成溫度1350140(TC和保持時(shí)間1012小時(shí)以外，與上述燒成容器別試驗(yàn)同樣地進(jìn)行燒成，測定燒成后的a氧化鋁中所含的雜質(zhì)金屬量。還有，測定雜質(zhì)金屬量的部位為圖5(A)所示的部位I1。由示于圖5的結(jié)果可知，確認(rèn)間隙不足5mm的情況(試驗(yàn)編號(hào)42和43)下，燒成后的a氧化鋁中含有超過20ppm的Si成分。因此，如果以至少設(shè)置d二5mm的間隙的方式填充氫氧化鋁進(jìn)行燒成，則可以減少最終獲得的a-氧化鋁的Si成分。<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>[Na成分的除去效果試驗(yàn)(試驗(yàn)編號(hào)4455)]為了確認(rèn)清洗處理產(chǎn)生的Na成分除去的效果，改變攪拌清洗和通水清洗的條件，考察了清洗處理前后的a-氧化鋁中所含的Na成分的變化量。如表6所示，試驗(yàn)編號(hào)4448中，使用平均粒徑38um、Na成分的O.092質(zhì)量％(氧化鋁換算)的高純度氫氧化鋁，以燒成溫度120(TC、保持時(shí)間10小時(shí)的條件使用燒成容器C與上述"填充方法別燒成試驗(yàn)"同樣地對氫氧化鋁填充物進(jìn)行燒成。試驗(yàn)編號(hào)4955中，使用平均粒徑27um、Na成分O.077質(zhì)量%(氧化鋁換算)的高純度氫氧化鋁，以燒成溫度1400'C、保持時(shí)間10小時(shí)的條件使用燒成容器C與上述"填充方法別燒成試驗(yàn)"同樣地對氫氧化鋁填充物進(jìn)行燒成。接著，對通過上述方法得到的a-氧化鋁，按照表6所示的清洗條件，與上述"燒成容器別試驗(yàn)"同樣地進(jìn)行攪拌清洗和通水清洗。清洗處理后，使其干燥，獲得除去了雜質(zhì)金屬的d-氧化鋁。該處理中，由清洗處理前的a-氧化鋁中所含的Na成分和清洗處理后的a-氧化鋁中所含的Na成分導(dǎo)出的Na除去率的結(jié)果示于表6。在這里，Na除去率是指通過"化除去率(％)=100X(清洗處理前的a-氧化鋁中所含的Na成分一清洗處理后的a-氧化鋁中所含的Na成分)+(清洗處理前的a-氧化鋁中所含的Na成分)"導(dǎo)出的值(100%相當(dāng)于完全除去)。由表6可知，相對于lkga-氧化鋁用2L以上的再調(diào)漿水漿料化并攪拌清洗l小時(shí)以上的同時(shí)，進(jìn)行攪拌清洗后的相對于lkga-氧化鋁通入3L以上的清洗水的通水清洗的情況下，Na除去率都在90X以上，發(fā)揮了良好的除去效果。<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>*1燒成時(shí)的保持時(shí)間都為10小時(shí)*2&除去率(％)=100X(清洗處理前a-氧化鋁中Na成分一清洗處理后a-氧化鋁中Na成分)+(清洗處理前a-氧化鋁中Na成分)[追加的Na成分的除去效果試驗(yàn)(試驗(yàn)編號(hào)5662)]對于進(jìn)行清洗處理而得的高純度的a-氧化鋁，為了進(jìn)一步提高Na成分的除去效果，如表7所示，進(jìn)行了如下的追加的Na除去處理。通過上述"Na成分的除去效果試驗(yàn)"的試驗(yàn)編號(hào)45所示的方法進(jìn)行攪拌清洗和通水清洗，首先對最終獲得的a-氧化鋁(以下稱為"試驗(yàn)編號(hào)45供試材料")再于800'C進(jìn)行1小時(shí)的加熱處理后，再次用2L/kg氧化鋁的純水進(jìn)行漿料化，進(jìn)行l(wèi)小時(shí)的攪拌清洗，再用5L/kg氧化鋁的純水進(jìn)行通水清洗(試驗(yàn)編號(hào)56)。此外，對于試驗(yàn)編號(hào)57，除了將上述試驗(yàn)編號(hào)45供試材料在100(TC進(jìn)行1小時(shí)的再加熱以外，與試驗(yàn)編號(hào)56同樣地進(jìn)行操作。另外，對于試驗(yàn)編號(hào)58，將試驗(yàn)編號(hào)57中進(jìn)行的一系列的處理進(jìn)行總計(jì)2次。另一方面，試驗(yàn)編號(hào)59中，將試驗(yàn)編號(hào)45供試材料粉碎至平均粒徑5ym以下后，用純水漿料化，使其與陽離子交換樹脂(三菱化學(xué)株式會(huì)社(三菱化學(xué)社)制DIAIONSKlB)接觸而除去Na成分。這時(shí)，使陽離子交換樹脂達(dá)到相對于lkgQ-氧化鋁為50ml的比例，使a-氧化鋁的漿料和陽離子交換樹脂接觸24小時(shí)后，分離回收。還有，本試驗(yàn)中使用的試驗(yàn)編號(hào)45供試材料是通過與試驗(yàn)編號(hào)45同樣的方法的試驗(yàn)得到的試驗(yàn)材料，不是上述"Na成分的除去效果試驗(yàn)"的試驗(yàn)編號(hào)45中得到的a-氧化鋁本身。因此，本試驗(yàn)中使用的a-氧化鋁存在Na成分不同的2種材料。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>*1燒成時(shí)的保持時(shí)間都為10小時(shí)*2ANa二清洗處理氧化鋁中Na成分一追加Na除去處理氧化鋁中的Na成分*3ABET-清洗處理氧化鋁BET-追加Na除去處理氧化鋁BET另外，試驗(yàn)編號(hào)60中，除了將試驗(yàn)編號(hào)45供試材料在50(TC進(jìn)行1小時(shí)的再加熱以外，進(jìn)行與試驗(yàn)編號(hào)56同樣的處理；試驗(yàn)編號(hào)61中，除了將試驗(yàn)編號(hào)45供試材料在70(TC進(jìn)行1小時(shí)的再加熱以外，進(jìn)行與試驗(yàn)編號(hào)56同樣的處理；試驗(yàn)編號(hào)62中，除了將試驗(yàn)編號(hào)45供試材料在120(TC進(jìn)行1小時(shí)的再加熱以外，進(jìn)行與試驗(yàn)編號(hào)56同樣的處理。對于以上的試驗(yàn)，由表7可知，試驗(yàn)編號(hào)5659和62中都確認(rèn)足夠的Na除去效果。艮卩，試驗(yàn)編號(hào)5659和62中，根據(jù)追加的Na除去效果試驗(yàn)，Na變化量〈ANa)都顯示了5ppm以上的值。另外，該追加助Na成分的除去效果試驗(yàn)中，在事先測定試驗(yàn)編號(hào)45供試材料的BET比表面積后再進(jìn)行追加的Na成分除去效果試驗(yàn)。并且，測定追加的Na成分除去效果試驗(yàn)中得到的a-氧化鋁的BET比表面積，比較追加的Na成分除去處理前后的值。BET比表面積與a-氧化鋁的一次粒徑存在呈反比的關(guān)系，可以用作a-氧化鋁的一次粒徑變化的判斷指標(biāo)，例如"BET比表面積減少"a-氧化鋁的一次粒徑增大"、"BET比表面積沒有變化"a-氧化鋁的一次粒徑也沒有增長"等。還有，BET比表面積的測定采用了美國麥克儀器公司制的比表面積自動(dòng)測定裝置(型號(hào)FlowsorbII2300)。如表7所示，試驗(yàn)編號(hào)5661中，追加的Na成分的除去效果試驗(yàn)前后BET比表面積的變化量(ABET)幾乎為零(特別是編號(hào)5658、60、61中沒有變化)，可認(rèn)為處理前后未發(fā)生粒子生長(物性變化)。即，本試驗(yàn)中，確認(rèn)試驗(yàn)編號(hào)5659沒有使氧化鋁粒子變化，可以高效地除去Na成分。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性通過本發(fā)明得到的高純度a-氧化鋁除了作為a-氧化鋁的一般的用途的陶瓷材料之外，還可以廣泛地用于耐火物、絕緣子、研磨材料、醫(yī)藥品、吸附劑、填充材料、催化劑載體、特殊玻璃原料、單晶原料、熒光材料、等離子體噴鍍材料等，特別是Si成分、Fe成分、Ca成分和Na成分的含量少，適合于精細(xì)陶瓷、電子元器件、單晶原料、熒光材料等用途。2權(quán)利要求1.高純度α-氧化鋁的制造方法，其特征在于，使用含有85～93重量％Al2O3和7～14重量％SiO2的燒成容器，將氫氧化鋁在1100～1500℃的燒成溫度下進(jìn)行燒成，對所得的α-氧化鋁進(jìn)行清洗處理；所述氫氧化鋁的雜質(zhì)分別以氧化鋁換算為Na成分0.11質(zhì)量％以下、Fe成分6ppm以下、Ca成分1.5ppm以下和Si成分10ppm以下，且平均粒徑在55μm以下。2.如權(quán)利要求l所述的高純度ci-氧化鋁的制造方法，其特征在于，得到Si成分在20ppm以下、Fe成分在10ppm以下、Ca成分在2ppm以下且Na成分在40ppm以下的a-氧化鋁。3.如權(quán)利要求l或2所述的高純度a-氧化鋁的制造方法，其特征在于，氫氧化鋁是通過拜耳法得到的氫氧化鋁。4.如權(quán)利要求l3中的任一項(xiàng)所述的高純度d-氧化鋁的制造方法，其特征在于，使填充于燒成容器的氫氧化鋁填充物和燒成容器的接觸面積達(dá)到氫氧化鋁填充物的表面積的30%以下，并且在氫氧化鋁填充物和燒成容器不接觸的非接觸部分設(shè)置5mm以上的間隙來進(jìn)行燒成。5.如權(quán)利要求l4中的任一項(xiàng)所述的高純度cx-氧化鋁的制造方法，其特征在于，清洗處理包括攪拌清洗和攪拌清洗后的通水清洗；所述攪拌清洗中，相對于lkga-氧化鋁用2L以上的再調(diào)漿水漿料化，攪拌l小時(shí)以上；所述通水清洗中，相對于lkga-氧化鋁通入3L以上的清洗水進(jìn)行清洗。6.如權(quán)利要求l5中的任一項(xiàng)所述的高純度a-氧化鋁的制造方法，其特征在于，清洗處理后，在800100(TC的溫度下進(jìn)行加熱處理，再次進(jìn)行清洗處理。7.如權(quán)利要求l6中的任一項(xiàng)所述的高純度a-氧化鋁的制造方法，其特征在于，清洗處理后，進(jìn)行粉碎處理，再次漿料化后，使用離子交換樹脂除去雜質(zhì)金屬。8.高純度a-氧化鋁，其特征在于，Si成分在20ppm以下，F(xiàn)e成分在10ppm以下，Ca成分在2ppm以下，且Na成分在40ppm以下。全文摘要本發(fā)明提供Si成分、Fe成分、Ca成分和Na成分同時(shí)減少了的高純度α-氧化鋁的制造方法。通過如下的方法制造高純度α-氧化鋁使用含有85～93重量％Al₂O₃和7～14重量％SiO₂的燒成容器，將氫氧化鋁在1100～1500℃的燒成溫度下進(jìn)行燒成，對所得的α-氧化鋁進(jìn)行清洗處理；所述氫氧化鋁的雜質(zhì)分別以氧化鋁換算為Na成分0.11質(zhì)量％以下、Fe成分6ppm以下、Ca成分1.5ppm以下和Si成分10ppm以下，且平均粒徑在55μm以下。文檔編號(hào)C01F7/46GK101588993SQ20078004647公開日2009年11月25日申請日期2007年12月4日優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日發(fā)明者山本茂夫,山田崇詞,松葉俊博,水野潤申請人:日本輕金屬株式會(huì)社