專利名稱：一種氧化鋁鍍膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于鍍膜工藝，更具體的說本發(fā)明涉及一種氧化鋁鍍膜的方法。
背景技術(shù)：
低紅外反射率材料在國防以及其他工業(yè)部門有著特殊的用途，現(xiàn)有的低紅外反射率材料多為半導(dǎo)體材料，如三氧化銦、銻化銦等，它們是以重摻雜法制造而成，其中是以過剩載流子的濃度變化影響材料的反射率。這類材料一般在最小反射率波長處的紅外反射率為3～45％，反射率仍然偏高，而且材料制造工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種新型氧化鋁鍍膜的方法。該發(fā)明制造工藝簡單，生產(chǎn)成本低。并且可根據(jù)需要使材料在整個紅外波段的某個局部波長范圍具有極低的紅外反射率。
為達到上述目的，本發(fā)明可通過下述技術(shù)方案加以實現(xiàn)所述的發(fā)明材料，它是以鋁板為基材，在其表面氧化鍍覆氧化鋁薄膜構(gòu)成，包括下列步驟(一)水清洗鋁板去污；(二)酸堿處理去油；(三)氧化鍍膜處理，電解液按重量百分比采用1～40％的磷酸水溶液然后加入0。2～10g/L的檸檬酸以及乙二胺添加劑；(四)在上述電解液中，室溫下25～35分鐘。
本發(fā)明的有益效果是具有明顯的工藝簡單，制造成本低的優(yōu)點，按此方法制造的低紅外反射率，對波長為02～25μm范圍的紅外光，平均反射率低于1.5％，與半導(dǎo)體低紅外反射率材料相比，不僅反射率大大降低，而且相應(yīng)波長范圍也大大拓寬了。
具體實施例方式
本發(fā)明的實施過程包括兩方面，一方面是鋁板基材的處理，另一方面是電解液的配制.鋁板的處理首先是去污去油，然后水洗，堿處理，再水洗，酸處理，把按上述步驟處理完畢的鋁板置入電解液中，通過直流電或是交流電，電壓一般要恒壓控制在10～130V，溫度控制在20～40℃進行操作。電解液的配制是至關(guān)重要的，它是由無機酸水溶液與添加劑所組成。無機酸的種類及濃度的大小不僅決定著氧化處理所施加的電壓的高低和模式，而且直接影響形成氧化鋁膜層的組成及結(jié)構(gòu)，從而決定了所制造材料的紅外反射率。一般而言，磷酸和鉻酸體系溶液中氧化處理的電壓較高，并且隨著施加電壓的升高，所制造的材料紅外反射率降低，材料的紅外反射率特性通常表現(xiàn)為在某個局部紅外波長范圍的反射率極低，而在其余的紅外波長范圍仍保持相當(dāng)高的紅外反射率。在硫酸體系溶液中氧化處理的電壓偏低，所制造材料的紅外反射率特性表現(xiàn)為在全部紅外波長范圍具有極低的紅外反射率。電解液的種類與施加電壓的高低，對氧化鋁膜多孔結(jié)構(gòu)的孔徑大小也有著直接影響。在酸液中加入添加劑，有助于提高膜的均質(zhì)性和改善膜層的組成和結(jié)構(gòu)，更有利于進一步降低材料紅外反射率。
下面通過實施例對本發(fā)明作進一步說明例一純鋁板100×60×2mm；電解液組成H3PO41～8wt％；乙二胺05～5g/L；操作條件純鋁板作陽極，Ti基鍍Pt網(wǎng)作陰極，電解電壓為直流60～110V，22～24℃氧化處理28分鐘。
按上述工藝處理后可在鋁板表面生成厚約10μm的氧化鋁膜，經(jīng)測定在8～14μm，波段的平均紅外反射率小于2％，而在其余波段的紅外反射率平均大于90％。
例二純鋁板100×60×2mm；電解液組成H3PO413～25wt％；檸檬酸02～3g/L；操作條件陰，陽極均用鋁合金板，電解電壓為直流10～40V，20～23℃氧化處理35分鐘。
按上述工藝處理后可在鋁板表面生成厚約10μm的氧化鋁膜，經(jīng)測定在0.2～25μm，波段的平均紅外反射率小于1.5％，而在其余波段的紅外反射率平均大于90％。
權(quán)利要求
1.一種氧化鋁鍍膜的方法，包括下列步驟(一)水清洗鋁板去污；(二)酸堿處理去油；(三)氧化鍍膜處理，電解液按重量百分比采用1～40％的磷酸水溶液然后加入0.2～10g/L的檸檬酸以及乙二胺添加劑；(四)在上述電解液中，室溫下25～35分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氧化鋁鍍膜的方法，包括下列步驟(一)水清洗鋁板去污；(二)酸堿處理去油；(三)氧化鍍膜處理，電解液按重量百分比采用1～40％的磷酸水溶液然后加入0.2～10g/L的檸檬酸以及乙二胺添加劑；(四)在上述電解液中，室溫下25～35分鐘。本發(fā)明具有明顯的工藝簡單，制造成本低的優(yōu)點，可在國防以及工業(yè)中廣泛應(yīng)用。
文檔編號C25D11/04GK1483859SQ0213074
公開日2004年3月24日 申請日期2002年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月20日
發(fā)明者夏紅元 申請人:夏紅元