晶片研磨拋光盤同心構(gòu)造
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型為一種研磨拋光盤的技術(shù)領(lǐng)域，尤其指一種復(fù)合式研磨拋光盤，主要的研磨拋光層是由兩種不同材料以特殊型態(tài)分布而成。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片在單晶長(zhǎng)成后經(jīng)過切片、研磨、拋光等制程，才能成為半導(dǎo)體或光電組件重要的基板。目前拋光及研磨制程中，研磨拋光定盤的選用主要分成兩大類:1.純金屬，以純銅、純錫等為主，2.樹脂混合金屬:例如樹脂銅盤、樹脂錫盤等等。
[0003]在提高產(chǎn)量、提升良率、降低成本的目標(biāo)下，研磨拋光定盤的考慮條件必須要有高移除率、低平坦度、低刮傷等三項(xiàng)基本要求。在不斷測(cè)試演進(jìn)下，現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)中采用以樹脂銅盤為大宗。但，樹脂銅盤材質(zhì)導(dǎo)熱性質(zhì)不佳，隨著藍(lán)寶石晶片尺寸加大，設(shè)備及定盤尺寸隨之放大的情況下，加工過程中產(chǎn)生的熱量無法有效與制冷機(jī)構(gòu)進(jìn)行熱交換，故樹脂銅盤的變形量因熱加劇而顯得不易控制，晶片的平坦度相對(duì)無法有效收斂于規(guī)格之內(nèi)，加上有蠟式制程中對(duì)加工溫度的種種限制，于是設(shè)計(jì)一套具有導(dǎo)熱效果、并維持原硬拋制程要求的『高移除率、低平坦度、低刮傷』的特性，為當(dāng)今業(yè)界急于解決的課題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型主要目的是提供一種復(fù)合式的晶片研磨拋光盤同心構(gòu)造，主要是由金屬基材與樹脂銅等兩種不同材料以特殊分布方式構(gòu)成一研磨拋光層，其中金屬基材負(fù)責(zé)傳導(dǎo)研磨過程中所產(chǎn)生的熱，并透過設(shè)備進(jìn)行冷卻降溫，而樹脂銅則肩負(fù)起高移除率的研磨切削作業(yè)，藉此提供一種研磨拋光盤不會(huì)因散熱不佳、發(fā)生尺寸變形的狀況。
[0005]本實(shí)用新型次要目的是提供一種用于大尺寸晶片研磨的研磨拋光盤構(gòu)造，被研磨晶片尺寸可達(dá)12吋以上，符合現(xiàn)今晶圓尺寸愈來愈大的趨勢(shì)。
[0006]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型的晶片研磨拋光盤同心構(gòu)造，該研磨拋光盤依軸向區(qū)分為盤體與研磨拋光層，該研磨拋光層沿徑向能區(qū)分出第一研磨拋光材及第二研磨拋光材，該第一研磨拋光材是由該盤體所延伸且為金屬基材，該第二研磨拋光材呈數(shù)環(huán)狀且同中心分布于該研磨拋光層徑向斷面且為樹脂銅。
[0007]其中，該第二研磨拋光材采用一同中心的數(shù)圓環(huán)分布方式分布于該研磨拋光層徑向斷面。
[0008]其中，該第一研磨拋光材與盤體為鋁材、錫材或銅材中至少一種。
[0009]其中，該研磨拋光盤的徑向端面形成數(shù)個(gè)同中心的容置槽，每一個(gè)該容置槽呈環(huán)狀分布，該第二研磨拋光材則填滿該容置槽。
[0010]本實(shí)用新型的構(gòu)造中，第一研磨拋光材與盤體為金屬基材且一體構(gòu)成，第二研磨拋光材則由該樹脂銅所構(gòu)成，且為同中心數(shù)環(huán)狀分布于該研磨拋光層的徑向斷面，藉此在進(jìn)行研磨拋光加工時(shí)，利用金屬基材直接將加工產(chǎn)生的熱量透過設(shè)備的冷卻回路進(jìn)行熱交換，達(dá)到控制盤面溫度的目的；同時(shí)，該樹脂銅可以維持高移除率加工的表現(xiàn)，如此一來，若晶片尺寸與研磨拋光盤大小改變，將不發(fā)生散熱不佳、尺寸變形等狀況。
[0011]以下配合圖式及組件符號(hào)對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式做更詳細(xì)的說明，以使熟習(xí)該項(xiàng)技藝者在研讀本說明書后能據(jù)以實(shí)施。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的立體圖；
[0013]圖2為本實(shí)用新型的俯視圖；
[0014]圖3為本實(shí)用新型研磨拋光盤徑向局部剖面放大示意圖；
[0015]圖4為本實(shí)用新型研磨拋光盤初步加工后的立體圖。
[0016]附圖標(biāo)記說明
[0017]研磨拋光盤 I
[0018]安裝孔10
[0019]盤體11
[0020]研磨拋光層 12
[0021]第一研磨拋光材121
[0022]第二研磨拋光材122
[0023]容置槽13
【具體實(shí)施方式】
[0024]如圖1、2及3所示，分別為本實(shí)用新型的立體圖、俯視圖及徑向局部剖面放大示意圖。本實(shí)用新型中研磨拋光盤I中間區(qū)域具有一安裝孔10，以供安裝于機(jī)臺(tái)。該研磨拋光盤I依軸向區(qū)分為盤體11與研磨拋光層12。該盤體11厚度較該研磨拋光層12厚，為金屬基材，該金屬基材可為鋁材、錫材或銅材等其中至少一種。該研磨拋光層12為進(jìn)行研磨拋光加工的接觸層，沿徑向能區(qū)分出第一研磨拋光材121及第二研磨拋光材122。該第一研磨拋光材121由該盤體11依軸向所延伸，故材料也為金屬基材。該第二研磨拋光材122呈數(shù)環(huán)狀且同中心分布于該研磨拋光層12的徑向斷面，且材質(zhì)為樹脂銅。
[0025]接著就本實(shí)用新型中該研磨拋光盤I的制造方式作一說明，首先是將一金屬基材加工出盤狀的基本形狀，例如:于中間形成一安裝孔10及圓周加工至預(yù)定尺寸等。接著再于盤的一徑向端面加工出數(shù)容置槽13 (如圖3及4所示)，每一個(gè)該容置槽13呈圓環(huán)狀分布，數(shù)容置槽13尺寸不同但為同一中心。之后將調(diào)劑成膏狀的樹脂銅倒入該徑向端面，并填滿該容置槽13。待樹脂銅硬化后，再以車刀切削加工出平坦的該研磨拋光層12端面，如圖2所示，形成由該樹脂銅形成的第二研磨拋光材122及由金屬基材形成的第一研磨拋光材121。另外，有些廠商會(huì)于該研磨拋光層12端面加工出數(shù)溝槽，該溝槽主要用以研磨拋光過程的排肩或容納研磨拋光液。
[0026]另外，考慮加工的方便性及研磨過程的應(yīng)力問題，該第二研磨拋光材122是采同中心的數(shù)圓環(huán)分布于該研磨拋光層12的徑向斷面。
[0027]綜合以上所述，本實(shí)用新型中研磨拋光層12主要是由金屬基材的第一研磨拋光材121及由樹脂銅的第二研磨拋光材122所構(gòu)成，且該第一研磨拋光材121與該盤體11為一體。在進(jìn)行大尺寸藍(lán)寶石晶片的研磨拋光作業(yè)中，過程所產(chǎn)生的熱量，由研磨拋光面經(jīng)第一研磨拋光材121與該盤體11直接傳導(dǎo)，透過與該盤體I結(jié)合的設(shè)備冷卻回路進(jìn)行熱交換，達(dá)到控制盤面溫度的目的，同時(shí)，該樹脂銅材可以維持高移除率加工的表現(xiàn)，符合高移除率、低平坦度、低刮傷等三項(xiàng)要求，符合專利的申請(qǐng)要件。
[0028]以上所述者，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本實(shí)用新型實(shí)施例的范圍。即凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所作的均等變化及修飾，皆為本實(shí)用新型的專利范圍所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片研磨拋光盤同心構(gòu)造，其特征在于，該研磨拋光盤依軸向區(qū)分為盤體與研磨拋光層，該研磨拋光層沿徑向能區(qū)分出第一研磨拋光材及第二研磨拋光材，該第一研磨拋光材是由該盤體所延伸且為金屬基材，該第二研磨拋光材呈數(shù)環(huán)狀且同中心分布于該研磨拋光層徑向斷面且為樹脂銅。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨拋光盤同心構(gòu)造，其特征在于，該第二研磨拋光材采用一同中心的數(shù)圓環(huán)分布方式分布于該研磨拋光層徑向斷面。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨拋光盤同心構(gòu)造，其特征在于，該第一研磨拋光材與盤體為鋁材、錫材或銅材中任一種。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨拋光盤同心構(gòu)造，其特征在于，該研磨拋光盤的徑向端面形成數(shù)個(gè)同中心的容置槽，每一個(gè)該容置槽呈環(huán)狀分布，該第二研磨拋光材則填滿該容置槽。
【專利摘要】一種晶片研磨拋光盤同心構(gòu)造，該研磨拋光盤依軸向可區(qū)分為盤體與研磨拋光層，該研磨拋光層為進(jìn)行研磨拋光加工的接觸層，其依徑向能區(qū)分出第一研磨拋光材及第二研磨拋光材，第一研磨拋光材是由該盤體所延伸且為金屬基材，該第二研磨拋光材呈數(shù)環(huán)狀且同中心分布于該研磨拋光層的徑向斷面，藉此提供一種符合高移除率、低平坦度、低刮傷的研磨拋光盤。
【IPC分類】B24B37-14, B24B37-16
【公開號(hào)】CN204584945
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520139371
【發(fā)明人】沈金章
【申請(qǐng)人】創(chuàng)技工業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年3月12日