夠形成均勻性高的幾nm左右的薄膜。在圖4中示出直流電壓的施加時間與掩膜的寬度之間的關(guān)系。根據(jù)該圖可知，通過將直流電壓施加大約30秒，能夠在掩膜上形成2.5nm左右的薄膜，能夠?qū)⒀谀さ膶挾葦U大5nm左右。通過這樣，在本實施方式所涉及的等離子體處理方法中，通過對在晶圓W上形成為圖案的掩膜形成均勻的薄膜來控制掩膜的寬度W，能夠在下一工序的蝕刻中實現(xiàn)進一步的微細化。
[0061]返回到圖2，接著，執(zhí)行蝕刻處理(步驟S22)。在執(zhí)行蝕刻處理后，從腔室12搬出晶圓w(步驟S24)。接著，執(zhí)行無晶圓干洗處理(步驟S26)，結(jié)束本處理。
[0062]以上說明了本實施方式所涉及的等離子體處理方法。但是，以上所說明的等離子體處理方法是一例。例如，在步驟S16中對上部電極15施加了等離子體生成用的高頻電力RF(HF)和直流電力，但不限于此。例如，也可以在步驟S16中對上部電極15施加等離子體生成用的高頻電力RF(HF)，并且代替直流電力而對上部電極15施加低頻電力。
[0063][效果例]
[0064]如以上所說明的那樣，根據(jù)本實施方式所涉及的等離子體處理方法，在上部電極15上形成作為濺射的靶材發(fā)揮功能的膜，通過對該膜進行濺射，能夠在形成于晶圓W的圖案上形成具有均勻性的薄膜。由此，能夠控制掩膜的寬度，能夠在下一工序中使用進行了控制的掩膜對晶圓W實施微細加工。
[0065]另外，在本實施方式所涉及的等離子體處理方法中，對于不具有適于預(yù)先配置在腔室內(nèi)的靶材的膜，也通過如上述那樣在上部電極上形成所期望的膜來能夠進行與靶材的材質(zhì)無關(guān)的濺射。
[0066]另外，在利用CVD的成膜中，所形成的膜的厚度根據(jù)圖案的疏密而產(chǎn)生偏差，預(yù)計難以進行應(yīng)對近年來以及今后的微細化的要求的對晶圓W的微細加工。與此相對，在本實施方式所涉及的等離子體處理方法中，能夠與圖案的疏密無關(guān)地形成具有均勻性的薄膜。因此，根據(jù)本實施方式所涉及的等離子體處理方法，能夠應(yīng)對近年來以及今后的進一步微細化的要求來對晶圓W實施微細加工。
[0067]另外，能夠在同一等離子體處理裝置10的腔室12內(nèi)對上部電極15進行成膜處理、濺射處理、蝕刻處理以及清洗處理，由此能夠抑制裝置成本。
[0068]以上，通過上述實施方式說明了等離子體處理裝置和等離子體處理方法，但本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置和等離子體處理方法不限定于上述實施方式，能夠在本發(fā)明的范圍內(nèi)進行各種變形和改良。
[0069]例如，能夠?qū)嵤┍景l(fā)明所涉及的等離子體處理方法的等離子體處理裝置不僅可以是電容親合型等離子體(CCP:Capacitively Coupled Plasma)裝置，也可以是其它等離子體處理裝置。作為其它等離子體處理裝置，列舉出電感耦合型等離子體(ICP:InductivelyCoupled Plasma)裝置、使用了徑向線縫隙天線的 CVD (Chemical Vapor Deposit1n)裝置、螺旋波激發(fā)型等離子體(服P:Helicon Wave Plasma)裝置、電子回旋共振等離子體(ECR:Electron Cyc lotron Resonance Plasma)裝置等。
[0070]另外，本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置具備對上部電極施加第一高頻電力的高頻電源。除此以外，本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置還具有對上部電極施加直流電力的直流電源和對下部電極施加頻率低于第一高頻電力的頻率的電力的高頻電源中的至少一個即可。
[0071]另外，由本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置處理的基板不限于晶圓，例如也可以是平板顯示器(Flat Panel Display)用的大型基板、EL元件或者太陽能電池用的基板。
【主權(quán)項】
1.一種等離子體處理裝置，載置基板的第一電極與同上述第一電極相向地配置的第二電極以隔開規(guī)定的間隙的方式相向地配置， 該等離子體處理裝置具有: 第一高頻電源，其向上述第二電極供給第一高頻電力； 直流電源，其向上述第二電極供給直流電力；以及 氣體供給源，其向腔室內(nèi)供給氣體， 其中，上述第二電極具有利用通過供給第一氣體和上述第一高頻電力而生成的等離子體形成的反應(yīng)產(chǎn)物的膜， 上述第二電極成為利用通過供給第二氣體、上述第一高頻電力以及上述直流電力而生成的等離子體對上述反應(yīng)產(chǎn)物的膜進行濺射的靶。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 還具有第二高頻電源，該第二高頻電源向上述第一電極供給頻率低于上述第一高頻電力的頻率的第二高頻電力， 在對上述反應(yīng)產(chǎn)物的膜進行濺射時，供給上述第二高頻電力。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述規(guī)定的間隙為80mm以上。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述反應(yīng)產(chǎn)物的膜包含碳C和氟F。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述等離子體處理裝置在上述腔室內(nèi)在上述第二電極上形成上述反應(yīng)產(chǎn)物的膜之后，在同一腔室內(nèi)利用被濺射出來的反應(yīng)產(chǎn)物在載置于上述第一電極的基板上成膜。6.一種等離子體處理裝置，載置基板的第一電極與同上述第一電極相向地配置的第二電極以隔開規(guī)定的間隙的方式相向地配置， 該等離子體處理裝置具有: 第一高頻電源，其向上述第二電極供給第一高頻電力； 第二高頻電源，其向上述第一電極供給頻率低于上述第一高頻電力的頻率的第二高頻電力；以及 氣體供給源，其向腔室內(nèi)供給氣體， 其中，上述第二電極具有利用通過供給第一氣體和上述第一高頻電力而生成的等離子體形成的反應(yīng)產(chǎn)物的膜， 向上述第一電極供給上述第二高頻電力， 上述第二電極成為利用通過供給第二氣體、上述第一高頻電力以及上述第二高頻電力而生成的等離子體對上述反應(yīng)產(chǎn)物的膜進行濺射的靶。7.一種等離子體處理方法，使用等離子體處理裝置來執(zhí)行等離子體處理，在該等離子體處理裝置中，載置基板的第一電極與同上述第一電極相向地配置的第二電極以隔開規(guī)定的間隙的方式相向地配置， 該等離子體處理方法包括以下工序: 向腔室內(nèi)供給第一氣體，向上述第二電極供給第一高頻電力，利用所生成的等離子體來形成反應(yīng)產(chǎn)物的膜；以及 向上述腔室內(nèi)供給第二氣體，向上述第二電極供給上述第一高頻電力和直流電力，利用所生成的等離子體對上述反應(yīng)產(chǎn)物的膜進行濺射。8.一種等離子體處理方法，使用等離子體處理裝置來執(zhí)行等離子體處理，在該等離子體處理裝置中，載置基板的第一電極與同上述第一電極相向地配置的第二電極以隔開規(guī)定的間隙的方式相向地配置， 該等離子體處理方法包括以下工序: 向腔室內(nèi)供給第一氣體，向上述第二電極供給第一高頻電力，利用所生成的等離子體來形成反應(yīng)產(chǎn)物的膜；以及 向上述腔室內(nèi)供給第二氣體，向上述第二電極供給第一高頻電力，向上述第一電極供給第二高頻電力，利用所生成的等離子體對上述反應(yīng)產(chǎn)物的膜進行濺射。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置和等離子體處理方法。目的在于在腔室內(nèi)的電極上形成作為靶發(fā)揮功能的膜并對所形成的膜進行濺射。在該等離子體處理裝置中，載置基板的第一電極與同上述第一電極相向地配置的第二電極以隔開規(guī)定的間隙的方式相向地配置，該等離子體處理裝置具有：第一高頻電源，其向上述第二電極供給第一高頻電力；直流電源，其向上述第二電極供給直流電力；以及氣體供給源，其向腔室內(nèi)供給氣體，上述第二電極具有利用通過供給第一氣體和上述第一高頻電力而生成的等離子體形成的反應(yīng)產(chǎn)物的膜，上述第二電極成為利用通過供給第二氣體、上述第一高頻電力以及上述直流電力而生成的等離子體對上述反應(yīng)產(chǎn)物的膜進行濺射的靶。
【IPC分類】H01J37/34, C23C14/38, H01J37/32
【公開號】CN105316639
【申請?zhí)枴緾N201510455789
【發(fā)明人】木原嘉英, 本田昌伸, 久松亨
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年7月29日
【公告號】EP2980829A1, US20160032445