凹凸"后，通過還原處理將氧化銅的一部分轉(zhuǎn)換為氧化亞銅，從 而用含有氧化銅及氧化亞銅的"最大長度為500nm以下的銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸" 進(jìn)行了粗化。這里，"最大長度為500nm以下"是指用場發(fā)射型的掃描電子顯微鏡觀察該表 面處理銅箱的粗化處理表面時的"銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸"的最大值。作為該"銅復(fù) 合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸"的形狀的最大值，如后述的圖3所示，是指在銅箱的表面設(shè)置的 "用銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸形成的粗化處理層"的剖面中，從銅箱的表面延伸出的針 狀或板狀的長度。出于提高本發(fā)明的表面處理銅箱與絕緣層構(gòu)成材料的密合性的觀點，該 最大長度更優(yōu)選為400nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為300nm以下。此外，在以下有將該最大長度稱 為"最大長度1"的情況。
[0036] 進(jìn)而，作為本發(fā)明的構(gòu)成表面處理銅箱的粗化處理層的"銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微 細(xì)凹凸"，如圖1所示，用場發(fā)射型的掃描電子顯微鏡，在50000倍以上的倍率俯視（掃描電 子顯微鏡觀察時的試樣的傾斜角為45° )觀察該粗化處理層的表面時的"銅復(fù)合化合物構(gòu) 成的微細(xì)凹凸的最大長度"優(yōu)選為150nm以下。該圖1中示出了對于兩面平滑電解銅箱的 析出面（圖1(a))，用本發(fā)明中提到的"銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸"進(jìn)行粗化后，可以觀 察到如圖I (b)所示的形態(tài)的情況。進(jìn)而，圖I (c)是將圖I (b)的表面再放大50000倍以后 的觀察圖像。出于提高本發(fā)明的表面處理銅箱與絕緣層構(gòu)成材料的密合性的觀點，該最大 長度更優(yōu)選為IOOnm以下。此外，在以下有將該最大長度稱為"最大長度2"的情況。
[0037] 舉出一個例子的話，用Zygo公司制的非接觸三維表面形狀、粗糙度測定儀（型號 為New-View 6000)測定圖I (a)所示的粗化前的電解銅箱的析出面時，Ra = I. 6nm、Rz = 26nm。對于該電解銅箱的析出面，用本發(fā)明中提到的"銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸"進(jìn) 行了粗化后，得到圖1(b)所示的粗化處理后的電解銅箱。同樣對該表面進(jìn)行測定時，Ra = 2. 3nm、Rz = 39nm，可知實現(xiàn)了 nm級的粗化。再者，圖2示出了在電解銅箱的電極面和析出 面的粗化部位呈現(xiàn)不同粗化形態(tài)的情況。關(guān)于該圖2,在實施例中進(jìn)行詳述。
[0038] 并且，圖3示出了此時的通過粗化形成的銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸的剖面。 該剖面圖中，銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸密集形成了的粗化處理層的厚度有一定的波 動，但從銅箱的表面起算的平均厚度為400nm以下。圖3中示出了粗化處理層的該平均厚 度為250nm的情況。本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行了大量試驗的結(jié)果，得到了該粗化處理層的平均 厚度在IOOnm~350nm的范圍時，可以具有"對于絕緣樹脂基材的非粗化銅箱以上的良好的 密合性"的結(jié)論。
[0039] 其次，關(guān)于構(gòu)成銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸的成分，用X射線光電子能譜分析 法（X-ray Photoelectron Spectroscopy，以下簡稱為"XPS"）進(jìn)行了狀態(tài)分析。其結(jié)果， 確認(rèn)了 "Cu(0) "、"Cu(II) "、"Cu(I) "及"-C00基"的存在。這里，由于確認(rèn)到"-C00基"的 存在，可知含有"碳酸銅"的可能性高。因此，可以認(rèn)為在以下所述的銅復(fù)合化合物所含有 的雜質(zhì)中包含碳fe銅。
[0040] 進(jìn)而，用上述的XPS分析本發(fā)明的表面處理銅箱的所述銅復(fù)合化合物時，可以分 離并檢測到Cu (I)及Cu (II)的各峰。用該XPS分析銅復(fù)合化合物時，會觀測到在大的Cu (I) 峰的峰肩部分重疊Cu(O)峰的情況，因而將該峰肩部分包括在內(nèi)一并視為Cu(I)峰。因此， 本發(fā)明中，用XPS分析銅復(fù)合化合物，檢測對應(yīng)于Cu2p 3/2的結(jié)合能的932. 4eV處出現(xiàn)的 Cu(I)、及934. 3eV處出現(xiàn)的Cu(II)的光電子后，將得到的各峰進(jìn)行波形分離，從而由各成 分的峰面積確定Cu(I)峰的占有面積率。作為此時的Cu(I)峰，可以認(rèn)為是源于"構(gòu)成氧化 亞銅的1價的銅"。進(jìn)而，可以認(rèn)為Cu (II)峰源于"構(gòu)成氧化銅的2價的銅"。再者，可以認(rèn)為 Cu (0)峰源于"構(gòu)成金屬銅的0價的銅"。本發(fā)明中，將ULVAC-PHI公司制的Quantum2000 (光 束條件為40W、200 ym 口徑）用作為XPS的分析裝置，用"MultiPack ver. 6. 1A"作為解析 軟件，進(jìn)行了狀態(tài)、半定量用窄幅測定。
[0041] 因此，就本發(fā)明的表面處理銅箱的"銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸"而言，將用XPS 分析時的Cu(I)及Cu(II)的各峰面積的合計面積設(shè)為100%時，優(yōu)選Cu(I)峰的占有面積 率為50%以上。Cu(I)峰的占有面積率低于50%時，將本發(fā)明的表面處理銅箱的粗化處理 表面層壓在絕緣層構(gòu)成材料上后，形成電路得到的電路的耐化學(xué)試劑性能降低，因而不優(yōu) 選。這里，所述銅復(fù)合化合物的Cu (I)峰的占有面積率更優(yōu)選為70 %以上，進(jìn)一步優(yōu)選為 80%以上。這是由于，與氧化銅相比氧化亞銅的酸溶解性低，隨著Cu(I)峰的占有面積率 增加，可以減少電路形成時的蝕刻工序中蝕刻液、電鍍液等在與絕緣層構(gòu)成材料的密合部 分的滲入，耐化學(xué)試劑性能提高的緣故。另一方面，關(guān)于Cu(I)峰的占有面積率沒有特別 的限定，但通過進(jìn)行后述的氧化處理及還原處理控制在99%以下。然而，Cu(I)峰的占有 面積率降低時，與絕緣層構(gòu)成材料的密合性本身有升高的傾向，且可以獲得良好的耐氧化 性，因而優(yōu)選為98%以下，更優(yōu)選為95%以下。此外，Cu(I)峰的占有面積率是通過Cu(I)/ [Cu(I)+Cu(II)] X 100(%)的計算式算出。
[0042] 進(jìn)而，就此時的通過粗化形成的銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸而言，優(yōu)選吸附氪 后進(jìn)行測定的比表面積（以下，簡稱為"比表面積"）滿足〇.〇35m2/g以上的條件。這是由 于，該比表面積為0.〇35m2/g以上時，粗化處理層的所述平均厚度變?yōu)?00nm級，可以超過 非粗化銅箱的對于絕緣樹脂基材的密合性的緣故。這里，比表面積的上限沒有限定，但為了 確保與非粗化銅箱同等的良好的蝕刻性能，上限為〇. 3m2/g左右，更優(yōu)選為0. 2m2/g。此外， 作為此時的比表面積，用Micromeritics公司制的比表面積、細(xì)孔分布測定裝置3Flex，作 為前處理對試樣進(jìn)行300°C X 2小時的加熱，吸附溫度采用液氮溫度，吸附氣體采用氪（Kr) 來進(jìn)行測定。
[0043]以上提到的"銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸"吸收光后相應(yīng)地變微細(xì)，導(dǎo)致粗化處 理層的表面變暗后呈黑色、茶褐色等。即，就本發(fā)明的表面處理銅箱的粗化處理層的表面 而言，其色調(diào)也具有特色，L*a*b*表色系的明度L*為25以下，更優(yōu)選為20以下。該明度 L*超過25后形成明亮的色調(diào)時，意味著粗化沒有充分進(jìn)行，無法獲得"對于絕緣樹脂基材 的非粗化銅箱以上的良好的密合性"，因而不優(yōu)選。此外，作為明度L*的測定，用日本電色 工業(yè)株式會社制的分光色差儀SE2000,明度的校正中使用測定裝置自帶的白色版，依據(jù)JIS Z8722:2000來進(jìn)行。進(jìn)而，對同一部位進(jìn)行3次測定，將3次的明度L*的測定數(shù)據(jù)的平均 值作為本發(fā)明的明度L*的值。
[0044] 進(jìn)而，對在本發(fā)明的表面處理銅箱的粗化中使用的"銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹 凸"的形成方法進(jìn)行闡述。進(jìn)而，該銅復(fù)合化合物含有氧化銅及氧化亞銅。該銅復(fù)合化合 物由以下的方式形成。首先，利用使用溶液的濕法對銅箱的表面進(jìn)行氧化處理，在銅箱表 面形成含有氧化銅的"銅化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸"。隨后，還原處理該銅化合物，將氧化銅 的一部分轉(zhuǎn)換為氧化亞銅，從而得到含有氧化銅和氧化亞銅的"銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì) 凹凸"。本發(fā)明中，作為在氧化處理中使用的溶液，優(yōu)選使用難以侵蝕氧化銅的堿性溶液，并 優(yōu)選使用在該堿性溶液中可以溶解、且可以較穩(wěn)定地共存的氨基類硅烷偶聯(lián)劑。進(jìn)而，通 過在該用于氧化處理的溶液中含有氨基類硅烷偶聯(lián)劑，可以容易地形成"銅化合物構(gòu)成的 微細(xì)凹凸"。通過在銅箱的表面吸附氨基類硅烷偶聯(lián)劑，可以抑制銅箱表面的氧化而使其 變微細(xì)，從而形成