免造成蒸發(fā)物質(zhì)影響外延層的生長(zhǎng)質(zhì)量。
[0035]為減少加熱系統(tǒng)的熱量散失，在發(fā)熱體01的下部合適位置設(shè)置有隔熱部件04，陶瓷絕緣部件03的底部設(shè)置在隔熱部件04上，隔熱部件04是一層或多層隔熱屏，隔熱屏04由耐高溫且隔熱效果良好的鎢片、鉬片或其他金屬材料制成，每一層隔熱屏04可以采用不同種類(lèi)的金屬，最上層隔熱屏04的上表面設(shè)計(jì)成鏡面，鏡面可以更好的把發(fā)熱體01的熱量反射上去，從而能更有效的減少加熱系統(tǒng)的熱量損失，提高加熱系統(tǒng)的加熱效率。
[0036]參見(jiàn)圖2，發(fā)熱體01包括分離的第一發(fā)熱組件011和第二發(fā)熱組件012，第一發(fā)熱組件Oll和第二發(fā)熱組件012之間隔開(kāi)一定的間距，為防止第一發(fā)熱組件011和第二發(fā)熱組件012之間接觸導(dǎo)通，在第一發(fā)熱組件011和第二發(fā)熱組件012之間設(shè)置有隔離件。隔離件包括隔離陶瓷08以及隔離陶瓷熱防護(hù)件09 ;其中，陶瓷隔離08的底部設(shè)置在隔熱屏04上，隔離陶瓷熱防護(hù)件09包括與第一發(fā)熱組件011相對(duì)的第一隔離陶瓷熱防護(hù)部091，以及與第二發(fā)熱組件012相對(duì)的第二隔離陶瓷熱防護(hù)部092 ;第一隔離陶瓷熱防護(hù)部091和第二隔離陶瓷熱防護(hù)部092彼此分開(kāi)。陶瓷隔離08上設(shè)置第一隔離陶瓷熱防護(hù)部091和第二隔離陶瓷熱防護(hù)部092，可以防止第一發(fā)熱組件011和第二發(fā)熱組件012輻射的熱量造成陶瓷隔離08高溫熔蝕而出現(xiàn)陶瓷成分分解蒸發(fā)，從而造成蒸發(fā)物質(zhì)影響外延層的生長(zhǎng)質(zhì)量。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供的高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括發(fā)熱體01和被加熱體06，以及上述加熱系統(tǒng)，可用于外延生長(zhǎng)包括GaN、GaAs、InGaN, A1N、AlGaN, AlInGaN, SiC在內(nèi)的各種II1- V族和I1-VI化合物的半導(dǎo)體材料或?qū)Σ牧系臒崽幚?。本發(fā)明實(shí)施例提供的高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備通過(guò)發(fā)熱體01對(duì)被加熱體06上的各種襯底進(jìn)行有效加熱，不僅可以有效防止加熱系統(tǒng)內(nèi)的熱量散失，還可有效防止加熱系統(tǒng)內(nèi)蒸發(fā)出有害物質(zhì)影響外延層的生長(zhǎng)質(zhì)量。
[0038]實(shí)施例2
[0039]參見(jiàn)圖3，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)，與實(shí)施例I提供的加熱系統(tǒng)的不同在于:本實(shí)施例提供的加熱系統(tǒng)的熱輻射防護(hù)件02的第一防護(hù)部021設(shè)置在陶瓷絕緣件03的端部上，而第二防護(hù)部022沿著第一防護(hù)部021的外側(cè)向周?chē)由祛A(yù)定的距離，使相鄰的兩第二防護(hù)部022之間存在較小的間距，使熱輻射防護(hù)件02能夠充分遮蓋住陶瓷絕緣件03，從而有效防止高溫發(fā)熱體01輻射的熱量輻射到陶瓷絕緣件03上，可避免陶瓷絕緣件03的溫度升高到它的耐受溫度而出現(xiàn)高溫熔蝕，而使其陶瓷成分分解蒸發(fā)，從而造成蒸發(fā)物質(zhì)影響外延層的生長(zhǎng)質(zhì)量。并且，陶瓷絕緣部件03的底部穿過(guò)多層隔熱屏04中一層隔熱屏04，與支撐部件05配合起到穩(wěn)定支撐發(fā)熱體01的作用。
[0040]實(shí)施例3
[0041]參見(jiàn)圖4，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)，與實(shí)施例I提供的加熱系統(tǒng)的不同在于:本實(shí)施例提供的加熱系統(tǒng)的熱輻射防護(hù)件02的第一防護(hù)部021設(shè)置在陶瓷絕緣件03的端部上，優(yōu)選地，可以通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射的方式將所述耐高溫金屬附著在所述陶瓷絕緣部件的端部。而第二防護(hù)部022附著在陶瓷絕緣組件的上部側(cè)壁的外側(cè)，沿著陶瓷絕緣件03的側(cè)部向下延伸預(yù)定的距離；所述附著方式同樣是可以通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射的方式將所述耐高溫金屬附著在所述陶瓷絕緣部件上。從而使陶瓷絕緣件03的大部分表面被熱輻射防護(hù)件02的第一防護(hù)部021和第二防護(hù)部022覆蓋，也可以減少高溫發(fā)熱體01對(duì)陶瓷絕緣部件03的熱輻射，避免陶瓷絕緣部件03的溫度超過(guò)其耐受溫度而分解蒸發(fā)而影響化學(xué)氣相沉積設(shè)備的外延質(zhì)量。
[0042]實(shí)施例4
[0043]參見(jiàn)圖5，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)，與實(shí)施例I提供的加熱系統(tǒng)的不同在于:本實(shí)施例提供的加熱系統(tǒng)的熱輻射防護(hù)件02的第一防護(hù)部021設(shè)置在陶瓷絕緣件03的端部上，而第二防護(hù)部022沿著第一防護(hù)部021的外側(cè)向周?chē)由祛A(yù)定的距離，使相鄰的兩第二防護(hù)部022之間存在較小的間距，從而使熱輻射防護(hù)件02能夠充分遮蓋住陶瓷絕緣件03。并且，在第一防護(hù)部021與陶瓷絕緣件03相對(duì)的面上設(shè)置有凸起07，凸起07由環(huán)狀或條狀的金屬形成。此凸起07可以和熱輻射防護(hù)件02的第一防護(hù)部021焊接在一起，也可以用整塊金屬材料將凸起07和熱輻射防護(hù)件02的第一防護(hù)部021和第二防護(hù)部022 —同加工出來(lái)。在熱輻射防護(hù)件02的第一防護(hù)部021的下表面設(shè)置凸起07，可以減少第一防護(hù)部021和陶瓷絕緣件03的接觸面積，進(jìn)而減少輻射熱的傳導(dǎo)，從而可以降低陶瓷絕緣部件03的溫度。當(dāng)然，按照與本實(shí)施例相同的設(shè)計(jì)，實(shí)施例I和實(shí)施例3中的第一防護(hù)部021的下表面上都可以設(shè)置凸起07，以減少熱輻射防護(hù)件02的第一防護(hù)部021和陶瓷絕緣件03的接觸面積，進(jìn)而減少輻射熱的傳導(dǎo)，從而可以降低陶瓷絕緣件03的溫度。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供的用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)，可以起到支撐、絕緣、輻射防護(hù)及保持溫度的作用，特別是在陶瓷絕緣件上設(shè)置熱輻射防護(hù)件，可以防止加熱系統(tǒng)內(nèi)的高溫發(fā)熱體對(duì)陶瓷絕緣件的高溫熔蝕作用，阻止陶瓷在高溫下蒸發(fā)，避免因陶瓷蒸發(fā)影響化學(xué)氣相沉積設(shè)備外延質(zhì)量，對(duì)高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的有效使用起到了完好的防護(hù)作用。
[0045]最后所應(yīng)說(shuō)明的是，以上【具體實(shí)施方式】?jī)H用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)，包括發(fā)熱體；其特征在于，所述用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)還包括: 發(fā)熱體支撐件，所述發(fā)熱體支撐件的一端支撐連接于所述發(fā)熱體的下部； 陶瓷絕緣件，所述陶瓷絕緣件與所述發(fā)熱支撐件的另一端連接；所述陶瓷絕緣件包括端部和側(cè)部； 熱輻射防護(hù)件，所述熱輻射防護(hù)件設(shè)置于所述發(fā)熱體和所述陶瓷絕緣件之間，由對(duì)高溫的耐受能力大于陶瓷的材料制成；所述熱輻射防護(hù)件包括第一防護(hù)部和第二防護(hù)部；所述第一防護(hù)部設(shè)置于所述發(fā)熱體與所述陶瓷絕緣件的端部之間，所述第二防護(hù)部設(shè)置在所述發(fā)熱體與所述陶瓷絕緣件的側(cè)部之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述熱輻射防護(hù)件的第一防護(hù)部設(shè)置在所述陶瓷絕緣件的端部上，所述第二防護(hù)部沿著所述第一防護(hù)部的外側(cè)向周?chē)由祛A(yù)定的距離。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述熱輻射防護(hù)件的第一防護(hù)部設(shè)置在所述陶瓷絕緣部件的端部上，所述第二防護(hù)部從所述陶瓷絕緣部件的端部外側(cè)向下延伸預(yù)定的距離。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述第一防護(hù)部與所述陶瓷絕緣件相對(duì)的面上設(shè)置有凸起。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述凸起由環(huán)狀或條狀的金屬形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱系統(tǒng)還包括隔熱部件，所述隔熱部件設(shè)置在所述陶瓷絕緣件的底部；所述隔熱部件包括一層或多層隔熱屏，所述隔熱部件最上層的隔熱屏的上表面為鏡面。7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述發(fā)熱體包括分離的第一發(fā)熱組件和第二發(fā)熱組件，所述第一發(fā)熱組件和第二發(fā)熱組件之間隔開(kāi)預(yù)定的間距，相鄰的發(fā)熱組件之間設(shè)置有隔離件。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述隔離件包括隔離陶瓷以及隔離陶瓷熱防護(hù)件；所述隔離陶瓷熱防護(hù)件包括與所述第一發(fā)熱組件相對(duì)的第一隔離陶瓷熱防護(hù)部，以及與所述第二發(fā)熱組件相對(duì)的第二隔離陶瓷熱防護(hù)部；所述第一隔離陶瓷熱防護(hù)部和第二隔離陶瓷熱防護(hù)部彼此分開(kāi)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱系統(tǒng)，其特征在于，所述第一發(fā)熱組件和第二發(fā)熱組件包括片狀或彈簧絲狀發(fā)熱組件。10.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，所述設(shè)備包括被加熱體；以及如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備及其加熱系統(tǒng)，所述用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)包括發(fā)熱體，支撐在所述加熱體下部的發(fā)熱體支撐部件，與所述發(fā)熱體支撐部件連接的陶瓷絕緣件，設(shè)置在所述陶瓷絕緣件上部的熱輻射防護(hù)件，以及設(shè)置在所述陶瓷絕緣部件底部的隔熱部件。本發(fā)明提供的用于高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱系統(tǒng)，可以起到支撐、絕緣、輻射防護(hù)及保持溫度的作用，特別是對(duì)高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備的有效使用起到了完好的防護(hù)作用。
【IPC分類(lèi)】C23C16/46
【公開(kāi)號(hào)】CN104962881
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510324880
【發(fā)明人】胡國(guó)新, 胡強(qiáng), 冉軍學(xué), 梁勇, 段瑞飛, 王軍喜, 李晉閩, 曾一平
【申請(qǐng)人】新泰中科優(yōu)唯電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年6月12日