技術(shù)編號：9246264
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備生長薄膜材料，是將不同的氣體或元素的氫化物共同通入反應(yīng)室，混合氣體流經(jīng)加熱的襯底表面時發(fā)生一系列化學(xué)反應(yīng)，并外延生長成化合物單晶薄膜。反應(yīng)室是整個CVD設(shè)備最核心的部分，決定了整個設(shè)備的性能。而反應(yīng)室加熱系統(tǒng)是影響薄膜沉積質(zhì)量的重要因素，有些高質(zhì)量的薄膜材料需要在高溫下生長才能獲得，如氮化鋁和碳化硅薄膜材料，二者外延生長溫度都在1300°C以上。由于高溫CVD設(shè)備的加熱系統(tǒng)有其特殊性，所以對高溫CVD設(shè)備的加熱系統(tǒng)設(shè)計要求更為苛...
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