專利名稱：用于拋光晶片的載體的儲存方法
背景技術：
本發(fā)明涉及用于拋光硅晶片的載體的存儲方法。在某些拋光工藝中，對晶片兩個表面同時進行拋光。
近年來，人們關注拋光硅晶片，特別是對其兩個表面同時進行拋光。但是，還存在拋光過程中硅晶片上產(chǎn)生劃痕的嚴重問題。
形成這種劃痕的主要原因來自于載體和驅(qū)動載體的銷釘套筒。這種載體和銷釘套筒公開于日本專利申請8-096166。對這些部件已經(jīng)提出改進，以便減少劃痕的發(fā)生率。
但是，隨著這種改進的提出，可以允許的劃痕的技術要求已經(jīng)限制為很少的和較小的能夠達到準許。于是，需要更多的改進，對載體要求更嚴格的控制。
載體迄今已經(jīng)存儲在干燥條件中，例如如圖3所示，其中載體3水平地放置在多個載體裝定器2上，裝定器位于載體儲藏室中的輥子4上。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)由于這種干燥存儲，持續(xù)發(fā)生不能允許程度的劃痕。而且，硅晶片上的劃痕數(shù)量隨著載體在拋光工藝中使用的次數(shù)而增加。確信劃痕是由例如載體上殘留的研磨漿料的沾染物引起的，當用存儲的載體進行置換時，沾染物卷入進行拋光的硅晶片。沾染物也可能是由于使用完全新的載體而入的。
考慮到上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種晶片拋光載體的存儲方法，這種載體的存儲方式可以減少硅晶片上的劃痕，這些劃痕是在拋光硅晶片、特別是同時拋光其兩個表面的過程中產(chǎn)生的。
發(fā)明概述本發(fā)明提供一種極少在晶片上產(chǎn)生劃痕的硅晶片拋光方法；提供采用晶片載體的這種方法，能夠用于無需明顯改變的現(xiàn)行拋光設備；提供能夠經(jīng)濟使用的方法；提供能夠用于同時拋光晶片兩側(cè)的晶片拋光工藝的方法。
本發(fā)明提供拋光硅晶片所用的載體的存儲方法。該方法包括在晶片拋光工序中與晶片一起使用之前，把載體完全浸入在含去離子水的液體中加以存儲。
通過以下說明將可了解其它目的和特征。
附圖的簡要說明

圖1是展示本發(fā)明的存儲載體的方法實施例的示意圖。
圖2是展示本發(fā)明的存儲載體的方法另一實施例的示意圖。
圖3是展示存儲載體的傳統(tǒng)方法實施例的示意圖。
圖4是展示拋光次數(shù)與劃痕發(fā)生率之間相關性的曲線圖。
貫穿于幾幅附圖中，對應的參考標記表示對應的部分。
優(yōu)選實施例的詳細說明本發(fā)明提供一種在拋光工藝的硅晶片拋光工序期間使用的載體的存儲方法。最好同時拋光晶片的兩個表面。該方法包括在拋光工序之前，把載體完全浸入存儲在存儲液中，存儲液例如是去離子水或者包含去離子水的混合液。
在載體存儲期間，存儲液最好是在約20℃～約80℃的溫度范圍內(nèi)。在載體存儲期間最好對存儲液進行過濾循環(huán)凈化。但是可以預見，除了載體存儲期間或者代替載體存儲期間，可以對存儲液另外過濾數(shù)次。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種同時拋光硅晶片兩個表面所用的載體的存儲方法，其特征在于，把載體完全浸入存儲在存儲液中，存儲液包括混合液，還包括含有溶解固體的一種或多種液體。存儲液的主要成分是去離子水。
最好在去離子水中添加以下成分，獲得液體混合物，按去離子水重量的添加量如下表面活性劑(0.1-5wt％)；氨水和過氧化氫；和表面活性劑(0.1-5wt％+氨水和過氧化氫)。
表面活性劑可以是可溶固體。
本發(fā)明中，存儲液最好具有7-12的pH值。而且，最好對存儲液進行過濾循環(huán)凈化。
在本發(fā)明的方法中，載體和清洗磨料拋光盤的刷子存儲在載體和刷子完全浸入存儲液的條件下。
如上所述，在本發(fā)明的載體存儲方法中，載體完全浸入存儲在存儲液中。因此，由于載體能夠與沾染物隔離，所以能夠在清潔條件中存儲和從存儲中取出載體。此外，由于沾染物最好不在載體上干燥而且即使載體最初被沾污沾染物也不易粘附在載體上，因而易于洗掉載體上的沾染物。因此，在拋光過程中會引起劃痕的沾染物被減少。
本發(fā)明的方法不僅可以應用于上述用于拋光的載體，而且還可以應用于清洗磨料拋光盤所用的刷子。
本發(fā)明所用的去離子水最好是使用電同流換熱式離子交換器精制的超純?nèi)ルx子水，離子交換器中組合使用離子交換樹脂和離子交換膜，或者是用反向滲透設備精制的去離子水。
本發(fā)明的液體混合物最好是通過在所得混合物中添加表面活性劑制備的，添加量是去離子水的0.1-5wt％(無任何水)。
這樣可以對存儲液賦予清洗附著于載體的沾染物(特別是顆粒)的效果，然后通過過濾去除。通常，氨水∶過氧化氫水溶液∶去離子水的體積比控制在1∶1∶10～1∶1∶200的大致范圍內(nèi)。
本發(fā)明可使用的表面活性劑選自陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑和兩性表面活性劑。對于去除沾染物優(yōu)選非離子表面活性劑和兩性表面活性劑。
接著，詳細說明本發(fā)明的載體存儲方法。
圖1是展示本發(fā)明的載體存儲方法的實施例的示意圖。
如圖1所示，存儲載體的容器13充有存儲液，最好是首次過濾凈化的。
使用循環(huán)泵9從設置在容器13底部的吸水口11，向過濾器10引入部分上述去離子水或液體混合物(存儲液)，通過過濾器10過濾凈化，通過設置在容器13上部的供水口12連續(xù)提供給容器13。
作為過濾器10，最好使用0.05-1.0μm過濾系數(shù)的過濾器。
如上所述，由于充分去除了沾染物顆粒的去離子水或液體混合物在容器中持續(xù)地循環(huán)，所以即使在向容器內(nèi)置換載體或者從容器中去除載體的過程中向容器引入了顆粒，基本上也不會導致顆粒附著于載體。在使用之后干燥之前載體應放置在容器中，有助于從載體去除顆粒。由于顆粒不是干的，所以它們不易于附著于載體，即使顆粒附著于載體，在使用或再次使用載體之前，也能夠容易地從載體清洗掉。
最好使用例如圖1所示的機械臂5從存儲載體的容器中取出載體或者把載體放入容器。
機械臂5包括多個保持載體3的槽6，在機械臂5定位取出或引入載體時用于固定機械臂5的止動件7，和能夠把機械臂支持在容器13的預定位置的支持部件8，以使機械臂5(或支持部件8)能夠上下滑動。
載體3可以引入容器，把載體存儲浸入在存儲液中。例如，載體3可以懸掛在導軌狀儲架14。通過掛線16儲架懸掛在容器13中，掛線還與絞車裝置18連接，可使儲架上下移動到容器13內(nèi)的預定位置，如圖2所示。
掛線16最好是具有低粉塵特性的材料制成的。例如，尼龍等能夠適用于這種材料。
對于存儲載體的容器13，在存儲載體期間通常密封容器13的開放頂部，防止環(huán)境氣氛中的顆粒進入容器13。容器13最好位于凈化空氣環(huán)境中，例如凈化室中。
下面根據(jù)實施例更詳細地說明本發(fā)明。但是，本發(fā)明并不限于這些實施例。
采用光強為105勒克司的平行光，在暗室中對硅晶片進行肉眼觀察，確定觀察到的劃痕作為沾染物引起的劃痕，獲得每一硅晶片的劃痕發(fā)生率(計數(shù)/sl)。
使用圖1所示容器13，存儲載體3，使其完全浸入40℃溫度的去離子水中，同時通過過濾器10(1.0μm過濾系數(shù)的過濾器)循環(huán)凈化去離子水。
然后，采用上述載體同時對硅晶片的兩個表面進行幾次拋光(通常方式)。
對晶片的拋光工序次數(shù)與劃痕發(fā)生率之間的相關性如圖4所示。
使用圖1所示容器13，存儲載體3，使其完全浸入40℃溫度并且pH值約為10的液體混合物中，同時通過過濾器10(1.0μm過濾系數(shù)的過濾器)循環(huán)凈化混合液體。
在去離子水中添加0.5wt％的L-64(BASF制造)作為表面活性劑，0.5wt％的30％氨水，和0.5wt％的30％過氧化氫水溶液(基于所得混合物中的去離子水總重量)，制備液體混合物。
然后，采用上述載體同時對硅晶片的兩個表面進行幾次拋光(通常方式)。
對晶片的拋光工序次數(shù)與劃痕發(fā)生率之間的相關性如圖4所示。
采用圖3所示用于存儲載體的容器1在干燥條件下存儲載體3。
采用該載體同時對硅晶片的兩個表面進行幾次拋光(通常方式)。
對晶片的拋光工序次數(shù)與劃痕發(fā)生率之間的相關性如圖4所示。
如圖4所示，與對比例相比，實施例1和2的硅晶片劃痕發(fā)生率降低。
而且在實施例2中，與僅使用去離子水的情況相比，通過添加表面活性劑、氨水和過氧化氫水溶液，硅晶片的劃痕發(fā)生率降低很多。
正如從上述說明可知，根據(jù)本發(fā)明，載體能夠存儲在凈化條件下，在對硅晶片兩個表面同時拋光的過程中能夠保持硅晶片的劃痕。
介紹本發(fā)明或者其優(yōu)選實施例的要素時，項目“一個”、“該”和“所述”的意思是指有一個或多個要素。術語“包括”和“具有”意思是指包含在內(nèi)以及除了所列要素之外還可能有另外的要素。
由于在不脫離本發(fā)明范圍的條件下可以對上述構成做出各種變化，所以上述說明所包含的或者附圖所示的全部內(nèi)容均應解釋為示例性的，沒有限制的含義。
權利要求
1.一種拋光硅晶片所用載體的存儲方法，其特征在于，在晶片拋光工序中與晶片一起使用之前，把所述載體完全浸入存儲在含去離子水的液體中。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其特征在于，所述液體的溫度在約20℃～80℃的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權利要求2的方法，其特征在于，對所述液體進行過濾循環(huán)凈化。
4.根據(jù)權利要求3的方法，其特征在于，所述液體基本上全部是去離子水。
5.根據(jù)權利要求4的方法，其特征在于，對所述晶片兩個表面同時進行拋光。
6.根據(jù)權利要求1的方法，其特征在于，所述液體是含有去離子水作為其基本部分的混合物。
7.根據(jù)權利要求6的方法，其特征在于，所述混合物包括表面活性劑，其含量在混合物中的去離子水總重量的約0.1-5％的范圍。
8.根據(jù)權利要求6的方法，其特征在于，所述混合物包括氨水和過氧化氫。
9.根據(jù)權利要求6的方法，其特征在于，所述混合物包括氨水、過氧化氫和表面活性劑，含量在混合物中的去離子水總重量的約0.1-5％的范圍。
10.根據(jù)權利要求8的方法，其特征在于，所述混合物的pH值約是7-12。
11.根據(jù)權利要求9的方法，其特征在于，所述混合物的pH值約是7-12。
12.根據(jù)權利要求6的方法，其特征在于，所述混合物的溫度在約20℃-80℃的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權利要求12的方法，其特征在于，對所述混合物進行過濾循環(huán)凈化。
全文摘要
提供一種用于拋光硅晶片的載體(3)的存儲方法,能夠按減少硅晶片上的劃痕的方式存儲載體(3)。該方法包括把用于拋光硅晶片的載體(3)完全浸入存儲在液體中。至少液體的基本部分是去離子水。
文檔編號B24B37/28GK1331838SQ99814852
公開日2002年1月16日 申請日期1999年12月8日 優(yōu)先權日1998年12月24日
發(fā)明者池田正明, 吉村一郎 申請人:Memc電子材料有限公司