專利名稱：拋光組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種拋光組合物，它適合用在存儲器硬盤(即如計算機所用存儲設備)所用的磁盤基片的制造中對該磁盤基片表面進行最終拋光(final polishing)。具體而言，本發(fā)明涉及一種拋光組合物，它適用于制備由例如Ni-P磁盤、Ni-Fe磁盤、鋁磁盤、碳化硼磁盤和碳磁盤代表的存儲器硬盤，尤其涉及這樣一種拋光組合物，它在對表面粗糙度小的高度鏡表面進行精加工的拋光工藝中能提供高切削率，同時適用于制造工藝以獲得優(yōu)良的拋光加工表面，用于容量高、記錄密度高的磁盤裝置。此外，本發(fā)明涉及使用例如拋光組合物對存儲器硬盤進行拋光的方法。
人們正在不斷地努力使得用于磁盤設備的存儲器硬盤(它是一種用于如計算機的存儲介質)尺寸更小且容量更大，并使磁介質利用濺鍍、電鍍或類似方法由傳統(tǒng)的涂覆型介質轉變成薄膜介質。
目前磁盤基片(下文簡稱為“基片”)得到了最廣泛的應用，它是在坯料(blankmaterial)上具有無電Ni-P敷鍍膜的基片。所用坯料的制法是將鋁或其它基板用金剛石車削進行車床加工以整形，用SiC磨料粘合制得的PVA磨石進行研磨或者用其它方法進行加工，以得到平行度或平面度。然而，通過上述種種整形方法不可能完全除去表面上較大的波度。這樣，無電Ni-P敷鍍膜會沿著坯料上的這一波度而形成。因此，這一波度也會留在基片上，有時會形成球結節(jié)或較大凹坑。本文中“球結節(jié)”是直徑至少約為50微米的凸起，它是鍍敷表面上有雜質進入Ni-P鍍敷膜的地方凸起而形成的。“凹坑”是對基片表面進行拋光形成的凹處，“細小凹坑”是直徑小于約10微米的凹坑。
另一方面，隨著存儲器硬盤容量的增加，表面記錄密度也以每年數(shù)十％的速率增加。因此，在存儲器硬盤上由一預定量記錄信息所占據(jù)的空間就比以前要窄，進行記錄所需的磁力也趨于變弱。所以，最近的磁盤設備需要縮短磁頭浮動高度(即磁頭和存儲器硬盤之間的距離)，磁頭浮動高度現(xiàn)在已經降低至不高于0.15微米的水平。
此外，在拋光之后有時可以對基片進行所謂的紋理化(texturing)加工以形成同心的圓劃線，其目的是防止用于讀寫信息的磁頭粘著在存儲器硬盤上，并且防止對基片表面進行拋光時形成的在不同于存儲器硬盤旋轉方向上的劃線而使存儲器硬盤的磁場變得不均勻。近年來，進行輕紋理化加工來進一步減少基片上形成的劃線，以進一步縮短磁頭的浮動高度，或者使用沒有經過起紋理加工的沒有劃線的未經起紋理的基片。人們已經開發(fā)出支持磁頭浮動高度縮短的技術，所以磁頭浮動高度的縮短比以前進展得更快了。
當存儲器硬盤表面具有波度時，磁頭就會隨著非常高速旋轉的存儲器硬盤的該波度上下運動。然而，如果波度超過一定的高度時，磁頭就不再能隨著該波度運動，它就會與基片表面碰撞，從而發(fā)生所謂的“磁頭壓碎”，由此損壞了磁頭或存儲器硬盤表面上的磁介質，從而導致磁盤設備發(fā)生故障或讀寫信息的錯誤。
另一方面，當存儲器硬盤表面上存在數(shù)微米的微凸起時也會發(fā)生磁頭壓碎。此外，當存儲器硬盤表面上存在凹坑時，就不能完整地寫下信息，由此導致所謂的“信息缺損”或信息讀出的失敗，會發(fā)生錯誤。
因此，在拋光步驟(即形成磁介質之前的步驟)中使基片的表面粗糙度降至最小是很重要的，同時還必須完全除去較大的波度、微凸起或細小凹坑以及其它表面缺陷。
為了上述目的，過去通常使用拋光組合物(下文由其性質有時稱為“漿液”)通過一步拋光操作來進行精加工，所述拋光組合物包含氧化鋁或其它各種磨料和水以及各種拋光促進劑。然而，通過一步拋光操作難以滿足以下所有要求在特定的一段時間內除去基片表面上較大的波度和表面缺陷(如球結節(jié)和大凹坑)，使表面粗糙度降至最小。因此，人們已經在研究包含兩個或多個步驟的拋光方法。
在拋光方法包括兩個步驟的情況下，第一步拋光的主要目的是除去基片表面上的較大波度和表面缺陷(如球結節(jié)和大凹坑)，即進行整形。因此所需的拋光組合物具有很強的能力能夠修整上述波度和表面缺陷且不會形成用第二步拋光不能除去的深劃痕，而不是使表面粗糙度降至最小。
第二步拋光(即精拋光)的目的是使基片的表面粗糙度降至最小。因此，重要的是第二步拋光的拋光組合物能夠使表面粗糙度降至最小，并能夠防止形成微凸起、細小凹坑或其它表面缺陷，而不是具有第一步拋光所需要的很強的修整大波度或表面缺陷的能力。此外，從生產率角度來看，切削率高同樣也是重要的。就本發(fā)明的發(fā)明人所知，用常規(guī)的兩步拋光法，可以在第二步拋光中得到表面粗糙度小的基片表面，但是切削率非常低不適合實際生產。表面粗糙度的程度由基片的制備方法、作為存儲器硬盤的最終記錄容量和其它條件決定。然而，根據(jù)所需表面粗糙度的程度也可以使用包含超過兩步的拋光工藝。
為了上述目的，尤其是在兩步中的精拋光中，通常用一種拋光組合物進行拋光，該拋光組合物的制法是將氧化鋁和其它磨料徹底磨成粉狀，調節(jié)至合適的粒度，向其中加入水，并將硝酸鋁或各種有機酸和其它拋光促進劑混入其中?；蛘呤窃搾伖饨M合物包含膠體二氧化硅和水。然而，用前一種拋光組合物進行拋光存在的問題是機械組分和化學組分的平衡差，易于形成微凸起或細小凹坑。用后一種拋光組合物進行拋光的問題是切削率太低以致于拋光耗時長、生產率低、作為基片端面下垂(sagging)指數(shù)的軋去量(roll off)或錘平量(＂dub off＂)往往會變差，或者拋光之后的沖洗往往會變得困難。
關于這些問題，JP-A-10-204416提出了一種拋光組合物，它包含磨料和一種鐵化合物。該出版物所揭示的拋光組合物解決了上述問題，它具有高切削率，能夠提供表面粗糙度小的經拋光的表面。然而，本發(fā)明的發(fā)明人進一步研究發(fā)現(xiàn)，該拋光組合物在長期貯存時會發(fā)生膠凝作用，而且由于其pH值呈酸性，可能對使用者的皮膚存在刺激，或者可能給拋光機造成腐蝕。因此，仍有改進的余地。
本發(fā)明的一個目的是解決上述問題并提供一種拋光組合物，它具有加工性能(如存儲穩(wěn)定性)或者對皮膚刺激性較少，改進了對存儲器硬盤所用基片的精拋光。
本發(fā)明提供了一種用于對存儲器硬盤進行拋光的拋光組合物，它包含水和選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，所述組合物還含有溶解在組合物中的鐵螯合物，該鐵螯合物具有含氮化合物作為配位體，整個組合物的pH值為6-10。
此外，本發(fā)明提供了一種制備存儲器硬盤的方法，它包括用上述拋光組合物對存儲器硬盤所用的基片進行拋光。
本發(fā)明的用于對存儲器硬盤進行拋光的拋光組合物具有高切削率，優(yōu)良的加工性能(如存儲穩(wěn)定性)，對皮膚刺激性較少，抑制了對例如拋光機的腐蝕作用。
在本發(fā)明拋光組合物的各組分中，適用的主要磨料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳。磨料不限于這些磨料中的任何特定一種，但較好的是二氧化硅。
二氧化硅包括膠體二氧化硅、煅制二氧化硅(fumed silica)和許多制備方法或性質不同的其它類型的二氧化硅。
此外，氧化鋁包括α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ-氧化鋁和其它不同形態(tài)的物質。
氧化鈰根據(jù)氧化數(shù)劃分，有三價氧化鈰和四價氧化鈰，根據(jù)晶系劃分，有六方晶系、等軸晶系和面心立方晶系。
氧化鋯根據(jù)晶系劃分，有單斜晶系、四方晶系和非晶態(tài)。此外，還有一種因其制備方法而得名的煅制氧化鋯(fumed zirconia)。
氧化鈦根據(jù)晶系劃分，包括一氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦等。此外，還有一種因其制備方法而得名的煅制二氧化鈦(fumed titania)。
氮化硅包括α-氮化硅、β-氮化硅、非晶態(tài)氮化硅和其它不同形態(tài)的物質。
二氧化錳根據(jù)形態(tài)劃分，有α-二氧化錳、β-二氧化錳、γ-二氧化錳、δ-二氧化錳、ε-二氧化錳、η-二氧化錳和其它不同形態(tài)的物質。
對于本發(fā)明的組合物，如有必要也可以任意組合使用上述這些磨料。當它們組合使用時，具體的組合方式和各磨料的比例并無特別限制。
上述磨料是以其磨粒通過機械作用對被拋光表面進行拋光的。其中二氧化硅的粒度通常為0.005-0.5微米，較好為0.01-0.2微米，該粒度是由BET方法測量的表面積得到的平均粒度。同樣地，氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或二氧化錳的粒度通常為0.01-10微米，較好為0.05-3微米，是由BET方法測得的平均粒度。此外，氧化鈰的粒度通常為0.01-10微米，較好為0.05-3微米，是用掃描電子顯微鏡觀察得到的平均粒度。
如果這些磨料的平均粒度超過上述范圍的話，經拋光表面的表面粗糙度往往較差，或者容易形成劃痕。另一方面，如果平均粒度小于上述范圍，切削率會非常低，無法實際應用。
拋光組合物中磨料的含量通常為0.1-50％(重量)，較好為1-25％(重量)，以組合物的總量計。如果磨料含量太少的話，切削率會很低。另一方面，如果磨料含量太高，往往很難保持均勻的分散，而且組合物的粘度會過大使得加工困難。
鐵螯合物本發(fā)明的拋光組合物含有鐵螯合物。該鐵螯合物的作用是作為拋光促進劑通過化學作用來促進拋光。作為所用鐵螯合物中心金屬的鐵的化合價可以是任何價態(tài)，但較好的是三價。此外，要求所用鐵螯合物溶解在組合物中。
對于所用的鐵螯合物并無具體限制，只要它不損害本發(fā)明的效果。然而，較好的是具有選自以下化合物中的至少一種配位體與鐵離子配位的鐵螯合物，所述化合物是乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、次氮基三乙酸、羥乙基亞氨基二乙酸、二羥乙基甘氨酸和三亞乙基四胺六乙酸。
該鐵螯合物可以通過可選擇的方法混入拋光組合物中。例如，可以將該鐵螯合物化合物加入拋光組合物中，或者可以將水溶性鐵鹽和一種螯合劑(它將用作配位體)溶解于拋光組合物中以使得該螯合劑配位到組合物中的鐵離子上。
在將鐵螯合物化合物加入拋光組合物的情況下，可以使用可任選的鐵螯合物。然而，較好的是使用例如選自以下鐵螯合物中的至少一種化合物乙二胺四乙酸根合鐵二銨鹽(iron-diammonium ethylenediaminetetraacetate)、二水合乙二胺四乙酸根合鐵一銨鹽、乙二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、二亞乙基三胺五乙酸根合鐵二銨鹽、三水合丙二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、三水合乙二醇醚二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、一水合次氮基三乙酸根合鐵一鈉鹽、一水合羥乙基亞氨基二乙酸根合鐵一鈉鹽、二羥乙基甘氨酸根合鐵銨鹽、一水合羥乙基乙二胺三乙酸根合鐵一鈉鹽和三亞乙基四胺六乙酸根合鐵銨鹽。
在將水溶性鐵鹽和一種螯合劑溶解于拋光組合物中以使得該螯合劑配位到組合物中的鐵離子上的情況下，可以使用可任選的水溶性鐵鹽和可任選的螯合劑。然而，如果將配鹽用作水溶性鐵鹽的話，往往不能充分地進行配位體的取代，因此組合物中的鐵螯合物含量往往會很低，在這一方面需要注意。
可用的鐵鹽可以提及的有例如硝酸鐵、硫酸鐵、硫酸鐵銨、高氯酸鐵、氯化鐵、檸檬酸鐵、硝酸鐵銨或草酸鐵銨(鐵的化合價可以是二價、三價或更高)。螯合劑可以是例如，乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二鈉、二亞乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、次氮基三乙酸、羥乙基亞氨基二乙酸、二羥乙基甘氨酸、三亞乙基四胺六乙酸、草酸、乙酰丙酮或2，2＇-二聯(lián)吡啶。其中，較好的是乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二鈉、二亞乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、次氮基三乙酸、羥乙基亞氨基二乙酸、二羥乙基甘氨酸或三亞乙基四胺六乙酸。
鐵螯合物化合物、水溶性鐵鹽和螯合劑可以任選的比例組合使用。組合使用時，可以組合使用兩種或多種鐵螯合物化合物，或者將水溶性鐵鹽或螯合劑混入鐵螯合物化合物中。
本發(fā)明拋光組合物中鐵螯合物的含量可以根據(jù)鐵螯合物的效果而變化，但是該含量通常較好的是0.01-40％(重量)，更好為0.05-20％(重量)，以拋光組合物的總量計。在使用水溶性鐵鹽和螯合劑的情況下，較好的是它們形成的鐵螯合物化合物在拋光組合物中的含量在上述范圍內。
通過增加鐵螯合物的含量，本發(fā)明的效果往往會更強。然而，如果該含量太高，改進程度往往會變小，且經濟上的不足會增加，不僅如此，還容易形成表面缺陷(如凹坑)。
拋光組合物本發(fā)明的拋光組合物通常制備如下將選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳的磨料以可任選的濃度混合分散在水中，再將鐵螯合物化合物(或水溶性鐵鹽和螯合劑)溶解于其中。將這些組分分散或溶解于水的方法是可任意選擇的。例如，它們可以通過用葉片型攪拌器進行攪拌或者用超聲分散來進行分散。此外，混入這些組分的順序是可任選的，可以先進行磨料的分散或者鐵螯合物的溶解，或者可以同時進行該分散和溶解。
此外，在制備上述拋光組合物時，還可以加入多種已知添加劑，用來穩(wěn)定或保持產品的質量，或者根據(jù)被拋光物體的類型，用來穩(wěn)定或保持拋光條件和拋光的其它需求。這些添加劑的較佳例子包括(a)纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素和其它纖維素，(b)乙醇、丙醇、乙二醇和其它水溶性醇，(c)烷基苯磺酸鈉、萘磺酸的甲醛水縮合物和其它表面活性劑，(d)木素磺酸鹽、聚丙烯酸酯和其它有機多陰離子物質，(e)聚乙烯醇和其它水溶性聚合物(乳化劑)，(f)藻酸鈉、碳酸氫鉀或其它殺菌劑，以及(g)除鐵化合物以外的可溶性金屬鹽。
此外，上述適用于本發(fā)明拋光組合物的磨料或拋光添加劑可以作為輔助性添加劑，用于除磨料之外的目的，例如用于防止磨料的沉淀。
本發(fā)明拋光組合物的pH值范圍是6-10，較好為8-9?？梢酝ㄟ^加入主組分使本發(fā)明拋光組合物的pH值在上述范圍內。然而，如果pH值在該范圍以外，必需調節(jié)。如果pH值低于該范圍，則存儲穩(wěn)定性變差，存儲期間容易發(fā)生膠凝作用。另一方面，如果pH值高于該范圍，獲得的切削率往往不足。此外，本發(fā)明的拋光組合物接近所謂的中性，即使接觸到使用者的皮膚，刺激性也很小。
此外，本發(fā)明的拋光組合物可以較高濃度儲液的形式制備、貯存或運輸，而在實際拋光操作時稀釋使用。上述較佳范圍的濃度是指實際拋光操作中用的濃度。不用說，當采用這一使用方法時，拋光組合物在貯存或運輸時是較高濃度的溶液。此外，從處置效率的角度來看，拋光組合物制成濃縮形式更為適宜。
此外，本發(fā)明拋光組合物的一個特征是即使當制成高濃度溶液時也幾乎不會膠凝，因為其pH值為中性至弱堿性。因此，本發(fā)明的拋光組合物可以濃縮至比常規(guī)拋光組合物更濃。具體來說，對于包含膠體二氧化硅和硝酸鐵(III)作為磨料的常規(guī)拋光組合物，當膠體二氧化硅的濃度變高時組合物往往會膠凝。例如，對于膠體二氧化硅含量至少為30％(重量)(以組合物的總重量計)的漿液，如果硝酸鐵(III)的加入量在15％(重量)以上時，該組合物就容易膠凝。同樣，對于膠體二氧化硅含量至少為40％(重量)的漿液，僅僅加入5％(重量)的硝酸鐵(III)就容易發(fā)生膠凝。而對于本發(fā)明的拋光組合物，即使當向膠體二氧化硅含量至少為40％(重量)(以組合物的總重量計)的高濃度漿液中加入30％(重量)以上的鐵螯合物時，也幾乎不會發(fā)生膠凝，存儲穩(wěn)定性優(yōu)良。
有關為何本發(fā)明的拋光組合物具有高切削率、幾乎不會發(fā)生膠凝和存儲穩(wěn)定性優(yōu)良的原因的具體機理并不非常清楚。然而，可以Ni-P鍍敷的基片作為例子作以下解釋。
關于能高速拋光Ni-P鍍敷層的原因，據(jù)認為是鐵螯合物起著是對Ni-P鍍敷表面進行化學改性使之變脆的作用，脆性的Ni-P鍍敷表面能夠通過磨料的機械作用容易地被去除。此外，據(jù)認為存在于漿液中的鐵螯合物對本發(fā)明某些具體磨料的分散狀態(tài)有貢獻，因此防止形成過大的聚集物。
存儲器硬盤的制備制備本發(fā)明存儲器硬盤的方法包括通過上述拋光組合物對存儲器硬盤進行拋光。
待拋光的存儲器硬盤的基片例如是Ni-P磁盤、Ni-Fe磁盤、鋁磁盤、碳化硼磁盤和碳磁盤等。其中，較好的是使用Ni-P磁盤或鋁磁盤。
本發(fā)明制備存儲器硬盤的方法可以使用任何常規(guī)的拋光存儲器硬盤的方法或拋光條件的組合，只要能夠使用上述拋光組合物。
例如，可使用單面拋光機、雙面拋光機或其它機器作為拋光機。此外，拋光墊可以是絨面型、無紡型、植絨型、起絨型等。
此外，本發(fā)明用于制備存儲器硬盤的方法的拋光組合物具有高切削率，同時能得到經拋光的平面。因此，拋光工藝可以一步進行，或者在不同的拋光條件下兩步或多步進行。在兩步或多步進行拋光工藝的情況下，較好的是使用上述拋光組合物的拋光步驟是最終拋光步驟，即經過初步拋光的基片用上述拋光組合物進行拋光。拋光工藝更好的是包括兩個步驟，即使用除上述拋光組合物以外的拋光組合物進行的第一步拋光和使用上述拋光組合物進行的第二步拋光。
現(xiàn)參照實施例對本發(fā)明的拋光組合物作進一步說明。然而應該理解，本發(fā)明不受具體實施例的限制。
拋光組合物的制備首先制備作為磨料的膠體二氧化硅(初始粒度0.035微米)、煅制二氧化硅(初始粒度0.05微米)和氧化鋁(初始粒度0.20微米)。用攪拌器將這些磨料分別溶解于水中，加入表1指明的添加劑，得到實施例1-10和比較例1-13的試樣。
表1
制備用于拋光試驗的基片制成基片，以供使用上述拋光組合物來進行拋光試驗。為了用兩步拋光法進行評價，首先制備試驗用基片如下。
拋光條件(第一步)被拋光物體3.5＂無電Ni-P敷鍍的基片拋光機單面拋光機拋光墊Surfin018-3片(FUJIMI INCORPORA TED制造)拋光壓力80g/cm2工作臺旋轉速度50rpm拋光組合物DISKLITE-3471(由FUJIMI INCORPORATED制造)組合物的稀釋1∶2去離子水拋光組合物的供應量15cc/min拋光時間5分鐘拋光試驗然后，使用上述拋光組合物和經過第一步拋光的基片在以下條件下進行拋光試驗拋光條件(第二步)被拋光物體3.5＂無電Ni-P敷鍍的基片(經過第一步的拋光)拋光機單面拋光機拋光墊Polilex DG(由Rodel Inc.U.S.A制造)拋光壓力80g/cm2工作臺旋轉速度50rpm組合物的稀釋不稀釋拋光組合物的供應量15cc/min拋光時間10分鐘拋光之后，接著洗滌和干燥基片，然后測量基片由于拋光減少的重量。對每個試樣進行三次拋光試驗，得到平均切削率。所得結果見表2。
表2
從表2的結果可見，本發(fā)明拋光組合物的切削率高于不含鐵螯合物的拋光組合物(比較例1和2)和僅含有本發(fā)明范圍之外的螯合劑的拋光組合物(比較例13)的切削率。
此外，在以下條件下測量穩(wěn)定性和腐蝕性。
穩(wěn)定性試驗將實施例1-10和比較例1-13的試樣置于室溫(約25℃)下120天，用肉眼觀察每個試樣中磨粒的沉降狀態(tài)來評價穩(wěn)定性。評價標準如下◎肉眼未觀察到由于膠凝作用而導致的磨粒沉降。
○肉眼觀察到稍微有由于膠凝作用而導致的磨粒沉降，但沒有達到產生問題的程度。
×肉眼觀察到有由于膠凝作用而導致的磨粒沉降，并且達到了產生問題的程度。
腐蝕性試驗將SUS304板浸入室溫(約25℃)的實施例1-10和比較例1-13的試樣中10天，然后從中取出板并沖洗。再用肉眼觀察每塊板的表面以評價腐蝕性。評定標準如下◎肉眼未觀察到由于生銹而導致的顏色變化。
×觀察到由于生銹而導致的顏色變化，并且達到了產生問題的程度。
所得結果見表3。
表3
從表3的結果可見，本發(fā)明拋光組合物具有的穩(wěn)定性和弱腐蝕性不差于不含添加劑的拋光組合物，并且本發(fā)明拋光組合物的穩(wěn)定性和弱腐蝕性較含有除鐵螯合物以外的鐵化合物的拋光組合物(比較例4-12)有顯著改進。
如上所述，本發(fā)明的拋光組合物具有高切削率，優(yōu)良的加工性能(如存儲穩(wěn)定性)，對皮膚刺激性較少，抑制了對例如拋光機的腐蝕作用。
權利要求
1.一種用于對存儲器硬盤進行拋光的拋光組合物，它包含水和選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，所述組合物還含有溶解在組合物中的鐵螯合物，該鐵螯合物具有含氮化合物作為配位體，整個組合物的pH值為6-10。
2.如權利要求1所述的拋光組合物，其中鐵螯合物是具有選自以下化合物中的至少一種配位體與鐵離子配位的鐵螯合物，所述化合物是乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、次氮基三乙酸、羥乙基亞氨基二乙酸、二羥乙基甘氨酸和三亞乙基四胺六乙酸。
3.如權利要求1所述的拋光組合物，其中將選自乙二胺四乙酸根合鐵二銨鹽、二水合乙二胺四乙酸根合鐵一銨鹽、乙二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、二亞乙基三胺五乙酸根合鐵二銨鹽、三水合丙二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、三水合乙二醇醚二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、一水合次氮基三乙酸根合鐵一鈉鹽、一水合羥乙基亞氨基二乙酸根合鐵一鈉鹽、二羥乙基甘氨酸根合鐵銨鹽、一水合羥乙基乙二胺三乙酸根合鐵一鈉鹽和三亞乙基四胺六乙酸根合鐵銨鹽中的至少一種化合物形式的鐵螯合物混入。
4.如權利要求1所述的拋光組合物，其中磨料的含量為0.1-50％(重量)，以拋光組合物的總重量計。
5.如權利要求1所述的拋光組合物，其中鐵螯合物的含量為0.01-40％(重量)，以拋光組合物的總重量計。
6.一種制備存儲器硬盤的方法，該方法包括使用一種用于拋光存儲器硬盤的拋光組合物對存儲器硬盤的基片進行拋光，所述拋光組合物包含水和選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料，所述組合物還含有溶解在組合物中的鐵螯合物，該鐵螯合物具有含氮化合物作為配位體，整個組合物的pH值為6-10。
7.如權利要求6所述的方法，其中鐵螯合物是具有選自以下化合物中的至少一種配位體與鐵離子配位的鐵螯合物，所述化合物是乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、次氮基三乙酸、羥乙基亞氨基二乙酸、二羥乙基甘氨酸和三亞乙基四胺六乙酸。
8.如權利要求6所述的方法，其中將選自乙二胺四乙酸根合鐵二銨鹽、二水合乙二胺四乙酸根合鐵一銨鹽、乙二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、二亞乙基三胺五乙酸根合鐵二銨鹽、三水合丙二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、三水合乙二醇醚二胺四乙酸根合鐵一鈉鹽、一水合次氮基三乙酸根合鐵一鈉鹽、一水合羥乙基亞氨基二乙酸根合鐵一鈉鹽、二羥乙基甘氨酸根合鐵銨鹽、一水合羥乙基乙二胺三乙酸根合鐵一鈉鹽和三亞乙基四胺六乙酸根合鐵銨鹽中的至少一種化合物形式的鐵螯合物混入。
9.如權利要求6所述的方法，其中磨料的含量為0.1-50％(重量)，以拋光組合物的總重量計。
10.如權利要求6所述的方法，其中鐵螯合物的含量為0.01-40％(重量)，以拋光組合物的總重量計。
全文摘要
揭示了一種用于對存儲器硬盤進行拋光的拋光組合物,它包含水和選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳中的至少一種磨料,所述組合物還含有溶解在組合物中的鐵螯合物,該鐵螯合物具有含氮化合物作為配位體,整個組合物的pH值為6—10。
文檔編號B24B37/00GK1246505SQ9911860
公開日2000年3月8日 申請日期1999年9月1日 優(yōu)先權日1998年9月1日
發(fā)明者大橋圭吾, 児玉一志, 橫道典孝 申請人:不二見株式會社