專利名稱：拋光組合物和拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于拋光磁盤基片的拋光組合物，以及使用該拋光組合物的拋光方法。
背景技術(shù)：
用于拋光磁盤基片的拋光組合物，要求例如當(dāng)拋光組合物用于拋光磁盤基片時(shí)只能在磁盤基片表面形成少量的刮痕，并且能夠以較高的拋光率拋光磁盤基片。例如，美國專利第6,818,031號(hào)公開了一種經(jīng)過改良以滿足上述要求的拋光組合物。美國專利第6,818,031號(hào)中所述的拋光組合物含有有機(jī)膦酸，當(dāng)使用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)，能抑制刮痕的產(chǎn)生。然而，美國專利第6,818,031號(hào)中所述的拋光組合物并不能充分滿足刮痕少和拋光率高這兩個(gè)要求，所以該拋光組合物仍有改良空間。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種更適合用于拋光磁盤基片的拋光組合物，以及使用該拋光組合物的拋光方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種拋光組合物，含有研磨顆粒、酸、氧化劑、以及一種選自吡咯及其衍生物的化合物，該拋光組合物用于拋光磁盤基片。
本發(fā)明還提供了一種拋光磁盤基片的方法。該方法包括制備該拋光組合物，以及使用該拋光組合物拋光磁盤基片。
具體實(shí)施例方式
下面描述本發(fā)明的一種實(shí)施方式。
本優(yōu)選實(shí)施方式的拋光組合物是通過將研磨顆粒、酸、氧化劑、一種選自吡咯及其衍生物的化合物、以及水混合制得的。因此，本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物基本是由研磨顆粒、酸、氧化劑、一種選自吡咯及其衍生物的化合物、以及水組成的。該拋光組合物是用于拋光磁盤基片。換言之，該拋光組合物是用于拋光磁盤基片半成品從而得到作為拋光產(chǎn)物的磁盤基片。本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物優(yōu)選用于通常加工磁盤基片時(shí)拋光過程中的最后一道拋光工序(精拋光工序)中。
研磨顆粒在拋光組合物中的作用在于機(jī)械拋光磁盤基片，同時(shí)也可以提高拋光組合物對(duì)磁盤基片的拋光率。
拋光組合物中的研磨顆?？梢允嵌趸瑁缒z態(tài)二氧化硅、熱解法二氧化硅、以及沉淀法二氧化硅，或除了二氧化硅以外的氧化鋯、氧化鋁、二氧化鈰、和氧化鈦。然而，拋光組合物中的研磨顆粒優(yōu)選為二氧化硅，并且進(jìn)一步優(yōu)選為膠態(tài)二氧化硅。當(dāng)拋光組合物中的研磨顆粒為二氧化硅或進(jìn)一步為膠態(tài)二氧化硅時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)可以減少磁盤基片表面形成的刮痕。
當(dāng)拋光組合物中的研磨顆粒的平均粒徑小于0.005μm，并且更確切地說，小于0.01μm時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片的拋光率沒有顯著提高。另外，由于磨擦阻力過度增加而會(huì)使拋光機(jī)有振動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)。因此，從提高拋光率，并且減少拋光機(jī)的振動(dòng)考慮，該拋光組合物中包含的研磨顆粒的平均粒徑優(yōu)選為0.005μm或更大，并且進(jìn)一步優(yōu)選為0.01μm或更大。
相對(duì)地，當(dāng)拋光組合物中包含的研磨顆粒的平均粒徑大于1μm時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)會(huì)有磁盤基片表面形成的刮痕增多，或磁盤基片的表面粗糙度增大的風(fēng)險(xiǎn)。因此，從保證磁盤基片的表面質(zhì)量考慮，拋光組合物中包含的研磨顆粒的平均粒徑優(yōu)選為1μm或更小。研磨顆粒的平均粒徑是通過BET法基于研磨顆粒的比表面積計(jì)算而得的。
特別地，當(dāng)拋光組合物中包含的研磨顆粒為膠態(tài)二氧化硅時(shí)，下文中指的是拋光組合物中包含的作為研磨顆粒使用的膠態(tài)二氧化硅的平均粒徑。即，當(dāng)拋光組合物中包含的作為研磨顆粒使用的膠態(tài)二氧化硅的平均粒徑大于0.2μm，并且更確切地說，大于0.08μm時(shí)，拋光組合物中的膠態(tài)二氧化硅會(huì)有容易沉淀的風(fēng)險(xiǎn)。此外，當(dāng)使用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)，會(huì)有使磁盤基片表面形成的刮痕增多，或使磁盤基片的表面粗糙度增加的風(fēng)險(xiǎn)。因此，從防止膠態(tài)二氧化硅沉淀，并且進(jìn)一步提高磁盤基片的表面質(zhì)量考慮，拋光組合物中包含的作為研磨顆粒使用的膠態(tài)二氧化硅的平均粒徑優(yōu)選為0.2μm或更小，并且進(jìn)一步優(yōu)選為0.08μm或更小。
當(dāng)研磨顆粒在拋光組合物中的含量小于0.01mass％時(shí)，進(jìn)一步小于0.1mass％時(shí)，并且更進(jìn)一步小于1mass％時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片的拋光率沒有顯著提高。此外，因?yàn)槟Σ磷枇^度增大而會(huì)使拋光機(jī)有振動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)。因此，從提高拋光率并且減少拋光機(jī)的振動(dòng)考慮，拋光組合物中的研磨顆粒的含量優(yōu)選為0.01mass％或更大，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1mass％或更大，并且更進(jìn)一步優(yōu)選為1mass％或更大。相對(duì)地，當(dāng)拋光組合物中研磨顆粒的含量大于40mass％，進(jìn)一步大于20mass％，并且更進(jìn)一步大于10mass％時(shí)，會(huì)有研磨顆粒容易絮凝的風(fēng)險(xiǎn)，即研磨顆粒容易沉積在拋光組合物中。因此，從防止研磨顆粒的沉積考慮，拋光組合物中的研磨顆粒的含量優(yōu)選為40mass％或更小，進(jìn)一步優(yōu)選為20mass％或更小，并且更進(jìn)一步優(yōu)選為10mass％或更小。
拋光組合物中的酸的作用在于化學(xué)拋光磁盤基片，并且提高了使用拋光組合物拋光磁盤基片的拋光率。
在拋光組合物中的酸可以是有機(jī)酸，確切地說，拋光組合物中的酸可以是碳原子數(shù)為1到10的有機(jī)羧酸、有機(jī)膦酸、或有機(jī)磺酸。更確切地說，在拋光組合物中的酸可以是檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、羥基乙酸、琥珀酸、衣康酸、丙二酸、亞氨基乙酰乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、巴豆酸、煙酸、乙酸、脂肪酸、蟻酸、草酸、甲基酸式膦酸酯、乙基酸式膦酸酯、乙基乙二醇-酸式膦酸酯、異丙基酸式膦酸酯、植酸、1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸(縮寫為HEDP)、或是甲基磺酸。在上述這些酸中，拋光組合物中包含的酸優(yōu)選為檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、琥珀酸、丙二酸、甲基酸式膦酸酯、或HEDP，并且進(jìn)一步優(yōu)選為馬來酸或丙二酸。當(dāng)拋光組合物中含有的酸為檸檬酸、馬來酸、琥珀酸、丙二酸、甲基酸式膦酸酯、或HEDP時(shí)，用該拋光組合物拋光磁盤基片的拋光率顯著增加。在這些酸中，當(dāng)拋光組合物中含有的酸是馬來酸或丙二酸時(shí)，用該拋光組合物拋光磁盤基片的拋光率會(huì)有特別顯著的增加。
拋光組合物中的酸也可以是無機(jī)酸，更確切地說，拋光組合物中含有的酸可以是磷酸，例如正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、以及六偏磷酸、或膦酸、磺酸、或硫酸。在這些酸中，拋光組合物中含有的酸優(yōu)選為正磷酸或多磷酸。當(dāng)拋光組合物中含有的酸為正磷酸或多磷酸時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片的拋光率會(huì)有顯著提高。
當(dāng)拋光組合物中含有的酸的含量為小于0.01mass％，并且更確切地說，小于0.1mass％時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)的拋光率沒有顯著提高。因此，從提高拋光率考慮，拋光組合物中的酸的含量優(yōu)選為0.01mass％或更大，并且進(jìn)一步優(yōu)選為0.1mass％或更大。相對(duì)地，當(dāng)拋光組合物中的酸的含量大于40mass％，并且更確切地說，大于20mass％時(shí)，會(huì)有拋光組合物的腐蝕效果太強(qiáng)的風(fēng)險(xiǎn)。于是，使用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)，會(huì)有使磁盤基片表面變得粗糙或使拋光機(jī)易于受到腐蝕的風(fēng)險(xiǎn)。因此，從優(yōu)化腐蝕效果考慮，拋光組合物中的酸的含量優(yōu)選為40mass％或更小，并且進(jìn)一步優(yōu)選為20mass％或更小。
拋光組合物中的氧化劑用于氧化磁盤基片的表面。當(dāng)磁盤基片的表面被氧化劑氧化后，會(huì)促進(jìn)研磨顆粒對(duì)磁盤基片的物理拋光效果。于是，使用該拋光組合物拋光磁盤基片的拋光率就會(huì)得到提高。
拋光組合物中含有的氧化劑優(yōu)選為過氧化氫，可以提高用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)的拋光率和拋光組合物的穩(wěn)定性。
當(dāng)拋光組合物中的氧化劑的含量小于0.1mass％，并且更確切地說，小于0.3mass％時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片的拋光率沒有顯著提高。因此，從提高拋光率考慮，該拋光組合物中的氧化劑的含量優(yōu)選為0.1mass％或更大，并且進(jìn)一步優(yōu)選為0.3mass％或更大。相對(duì)地，當(dāng)拋光組合物中的氧化劑的含量大于5mass％，并且更確切地說，大于1mass％時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片會(huì)有使磁盤基片表面變得粗糙的風(fēng)險(xiǎn)。因此，從防止磁盤基片表面變得粗糙考慮，拋光組合物中氧化劑的含量優(yōu)選為5mass％或更小，并且進(jìn)一步優(yōu)選為1mass％或更小。
在拋光組合物中含有的一種選自吡咯及其衍生物的化合物，使用該拋光組合物拋光時(shí)，可以減少在磁盤基片表面形成的刮痕。產(chǎn)生這種效果被認(rèn)為是由于這種選自吡咯及其衍生物的化合物在磁盤基片表面形成了一層保護(hù)膜。吡咯衍生物為例如吡咯分子中與碳原子或氮原子鍵合的氫原子被其他原子團(tuán)所取代的物質(zhì)。
拋光組合物中含有的這種選自吡咯及其衍生物的化合物可以是一種選自于二唑、三唑、四唑及其衍生物的化合物。更確切地說，拋光組合物中含有的這種選自吡咯及其衍生物的化合物，可以是一種選自苯并三唑、甲苯并三唑、5-氨基-1H-四唑、二甲基吡唑以及它們衍生物的化合物。在這些化合物中，在拋光組合物中含有的這種選自吡咯及其衍生物的化合物，優(yōu)選為苯并三唑。
當(dāng)拋光組合物中這種選自吡咯及其衍生物的化合物的含量小于0.005mass％，并且更確切地說，小于0.01mass％時(shí)，使用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)，在磁盤基片表面形成的刮痕沒有明顯減少。因此，從減少刮痕考慮，這種選自吡咯及其衍生物的化合物在拋光組合物中的含量優(yōu)選為0.005mass％或更大，并且進(jìn)一步優(yōu)選為0.01mass％或更大。相對(duì)地，這種選自吡咯及其衍生物的化合物在拋光組合物中的含量大于1mass％，更確切地說，大于0.5mass％時(shí)，由于加入這種選自吡咯及其衍生物的化合物在磁盤基片表面形成的保護(hù)膜，會(huì)有抑制對(duì)磁盤基片的拋光效果的風(fēng)險(xiǎn)。于是，使用該拋光組合物會(huì)有使磁盤基片的拋光率下降的風(fēng)險(xiǎn)。因此，從防止拋光率下降考慮，這種選自吡咯及其衍生物的化合物在拋光組合物中的含量優(yōu)選為1mass％或更小，并且進(jìn)一步優(yōu)選為0.5mass％或更小。
本優(yōu)選實(shí)施方式具有以下這些優(yōu)點(diǎn)。
本優(yōu)選實(shí)施方式拋光組合物中含有一種選自吡咯及其衍生物的化合物，這種化合物可以減少在磁盤基片表面形成的刮痕。因此，根據(jù)該拋光組合物，當(dāng)使用該拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)，在磁盤基片表面形成的刮痕會(huì)減少。此外，本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物，含有在拋光磁盤基片時(shí)起到機(jī)械拋光作用的研磨顆粒，以及在拋光磁盤基片時(shí)起到化學(xué)拋光作用的酸。根據(jù)該拋光組合物，就能以較高的拋光率拋光磁盤基片。因此，本優(yōu)選實(shí)施方式中提供的拋光組合物適用于對(duì)磁盤基片進(jìn)行拋光。
本優(yōu)選實(shí)施方式還可以進(jìn)行以下改良。
本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物還可以加入選自鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽中的一種化合物。在這些化合物中，優(yōu)選將鉀鹽加入到拋光組合物中。
這種被加入到拋光組合物中的選自鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽中的一種化合物，可以是有機(jī)酸鹽，這些有機(jī)酸可以是檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、羥基乙酸、琥珀酸、衣康酸、丙二酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、巴豆酸、煙酸、乙酸、脂肪酸、蟻酸、草酸、甲基酸式膦酸酯、乙基酸式膦酸酯、乙基乙二醇-酸式膦酸酯、異丙基酸式膦酸酯、植酸、HEDP、以及甲基磺酸；也可以是無機(jī)酸的鹽類，這些無機(jī)酸可以是正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、六偏磷酸、或是磷酸、磺酸、和硫酸。在上述這些化合物中，加入到拋光組合物中選自鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽中的一種化合物，優(yōu)選為磷酸鹽、膦酸鹽、或檸檬酸鹽，并且進(jìn)一步優(yōu)選為磷酸氫二鉀。
當(dāng)把這種選自鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽中的一種化合物加入到拋光組合物中時(shí)，用這種拋光組合物拋光磁盤基片，在磁盤基片表面形成的刮痕會(huì)減少。這可能是因?yàn)閷Ⅺ}類加入到拋光組合物中，提高了該拋光組合物的PH值和緩沖效應(yīng)。如果加入的鹽類是磷酸鹽，也可認(rèn)為因?yàn)榱姿猁}在磁盤基片表面形成了一層陰離子保護(hù)膜，使得磁盤基片表面形成的刮痕減少。
當(dāng)這種選自鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽的一種化合物在拋光組合物中的含量小于0.01mass％，并且更確切地說，小于0.1mass％時(shí)，使用這種拋光組合物拋光磁盤基片時(shí)，在磁盤基片表面形成的刮痕沒有顯著減少。因此，從減少刮痕考慮，這種選自鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽的一種化合物在拋光組合物中的含量優(yōu)選為0.01mass％或更大，并且進(jìn)一步優(yōu)選為0.1mass％或更大。相對(duì)地，當(dāng)這種選自鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽的一種化合物在拋光組合物中的含量大于30mass％，并且更確切地說，大于10mass％時(shí)，會(huì)有拋光組合物的穩(wěn)定性降低的風(fēng)險(xiǎn)。因此，從避免拋光組合物的穩(wěn)定性降低考慮，這種選自鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽的一種化合物在拋光組合物中的含量優(yōu)選為30mass％或更小，并且進(jìn)一步優(yōu)選為10mass％或更小。
本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物可以含有兩種或兩種以上的研磨顆粒。
本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物可以含有兩種或兩種以上的酸。
本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物可以含有兩種或兩種以上的選自吡咯及其衍生物的化合物。
如有需要，在本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物中還可以加入防霉劑、防腐劑、消泡劑、或螯合劑。
本優(yōu)選實(shí)施方式中的拋光組合物可以通過用水稀釋未稀釋的拋光組合物來制備。
下面將結(jié)合實(shí)施例和對(duì)照例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的描述。
在實(shí)施例1～25和對(duì)照例1～18中，通過將膠態(tài)二氧化硅、酸、氧化劑、一種選自吡咯及其衍生物的化合物、鉀鹽、及水按要求混合而制得拋光組合物。在實(shí)施例1～25和對(duì)照例1～18中的拋光組合物中的膠態(tài)二氧化硅、酸、氧化劑、選自吡咯及其衍生物的化合物、和鉀鹽的具體內(nèi)容如表1所示。
表1中標(biāo)題為“拋光率”的一欄指的是當(dāng)使用實(shí)施例1～25和對(duì)照例1～18的拋光組合物，在下列拋光條件下，對(duì)磁盤基片進(jìn)行拋光時(shí)，根據(jù)下列公式計(jì)算所得的拋光率的測(cè)試結(jié)果。在標(biāo)題為“拋光率”的一欄中，1(優(yōu)異)表示拋光率為0.1μm/分鐘或更大，2(良好)表示拋光率為0.07μm/分鐘或更大并且小于0.1μm/分鐘，3(稍差)表示表示拋光率為0.04μm/分鐘或更大并且小于0.07μm/分鐘，并且4(差)表示拋光率小于0.04μm/分鐘。
拋光條件拋光對(duì)象十張磁盤基片，其表面粗糙度為6，其直徑約為95mm(3.5英寸)，并且其表面具有非電鍍磷化鎳層拋光機(jī)雙面拋光機(jī)“SFDL-9B”，SPEEDFAM有限公司制造拋光墊“FJM-01”，F(xiàn)ILWEL有限公司制造拋光載荷7.8kPa(80g/cm2)下壓盤轉(zhuǎn)速30rpm拋光組合物供給速率40mL/分鐘拋光時(shí)間8分鐘公式拋光率[μm/分鐘]＝因拋光而減少的基片質(zhì)量[g]/(拋光面積[cm2]×磷化鎳鍍層的密度[g/cm3]×拋光時(shí)間[分鐘])×104表1中，標(biāo)題為“刮痕”的一欄指的是使用實(shí)施例1～25和對(duì)照例1～18的拋光組合物在拋光條件下進(jìn)行拋光的磁盤基片表面的刮痕數(shù)量的評(píng)估結(jié)果。在標(biāo)題為“刮痕”的一欄中，1(優(yōu)異)表示用VISION PSYTEC有限公司生產(chǎn)的“MicroMax VMX 2100”測(cè)得的刮痕數(shù)量少于20，2(良好)表示刮痕數(shù)量為20或更大并且小于40，3(稍差)表示刮痕數(shù)量為40或更大并且小于60，并且4(差)表示刮痕數(shù)量為60或更大。
表1

表1(續(xù))

表1(續(xù))

如表1所示，使用實(shí)施例1～25中的拋光組合物，可以得到令人滿意的拋光率和刮痕程度。相對(duì)地，使用對(duì)照例1～18中的拋光組合物，得不到令人滿意的拋光率或刮痕程度。
描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式后，對(duì)于熟知該技術(shù)領(lǐng)域的人而言，很明顯，本發(fā)明可以在不偏離本發(fā)明范圍的條件下以其他形式來實(shí)施。本發(fā)明不限于例舉的實(shí)施方式，但可以在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)做改變。
權(quán)利要求
1.一種拋光組合物，其特征在于，含有研磨顆粒、酸、氧化劑、以及一種選自吡咯及其衍生物的化合物，所述拋光組合物被用于拋光磁盤基片。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述選自吡咯及其衍生物的化合物包括苯并三唑、甲苯并三唑、5-氨基-1H-四唑、二甲基吡唑、或它們的衍生物中的至少一種。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光組合物，其特征在于，所述選自吡咯及其衍生物的化合物包括苯并三唑。
4.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述選自吡咯及其衍生物的化合物在拋光組合物中的含量為0.005～1mass％。
5.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述研磨顆粒包括二氧化硅。
6.如權(quán)利要求5所述的拋光組合物，其特征在于，所述研磨顆粒包括膠態(tài)二氧化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述研磨顆粒的平均粒徑為0.005～1μm。
8.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述研磨顆粒在拋光組合物中的含量為0.01～40mass％。
9.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸包括選自碳原子數(shù)為1～10的有機(jī)羧酸、有機(jī)膦酸、和有機(jī)磺酸中的至少一種。
10.如權(quán)利要求9所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸包括選自檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、羥基乙酸、琥珀酸、衣康酸、丙二酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、巴豆酸、煙酸、醋酸、脂肪酸、蟻酸、草酸、甲基酸式膦酸酯、乙基酸式膦酸酯、乙基乙二醇酸式磷酸酯、異丙基酸式磷酸酯、植酸、1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸、以及甲基磺酸中的至少一種。
11.如權(quán)利要求10所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸包括選自檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、丙二酸、甲基酸式膦酸酯、1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸中的至少一種有機(jī)酸。
12.如權(quán)利要求11所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸包括一種或是馬來酸或是丙二酸的有機(jī)酸。
13.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸包括選自正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、六偏磷酸、磷酸、磺酸、和硫酸中的至少一種無機(jī)酸。
14.如權(quán)利要求13所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸包括或是正磷酸或是多磷酸的無機(jī)酸。
15.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述酸在拋光組合物中的含量為0.01～40mass％。
16.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述氧化劑為過氧化氫。
17.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述氧化劑在拋光組合物中的含量為0.1～5mass％。
18.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，其進(jìn)一步包含選自無機(jī)酸和有機(jī)酸的鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽中的至少一種化合物。
19.如權(quán)利要求18所述的拋光組合物，其特征在于，所述選自無機(jī)酸和有機(jī)酸的鈉鹽、鉀鹽、和銨鹽中的至少一種化合物選自為磷酸鹽、膦酸鹽、和檸檬酸鹽中的至少一種。
20.一種拋光磁盤基片的方法，其特征在于根據(jù)權(quán)利要求1～19中的任一項(xiàng)制備拋光組合物；并且使用所述拋光組合物拋光磁盤基片。
全文摘要
一種拋光組合物，含有研磨顆粒例如膠態(tài)二氧化硅、酸例如檸檬酸和正磷酸、氧化劑例如過氧化氫、以及一種選自吡咯及其衍生物的化合物例如苯并三唑。這種拋光組合物適用于磁盤基片的拋光。
文檔編號(hào)C09G1/18GK1939994SQ200610142160
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月29日
發(fā)明者松波靖, 平野淳一, 林杰 申請(qǐng)人:福吉米株式會(huì)社