專(zhuān)利名稱(chēng)：在基帶上制多層膜的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造具有多層結(jié)構(gòu)的薄膜。具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種在基帶上沉積多層薄膜的連續(xù)涂覆方法和設(shè)備。
在汽相淀積薄膜制品的領(lǐng)域內(nèi)，眾所周知，薄膜特性取決于薄膜微結(jié)構(gòu)。在一定的使用場(chǎng)合，由成分不同的若干層按一定方式循環(huán)組成的薄膜結(jié)構(gòu)，具有所要求的特性;在本文中將這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)為“多層結(jié)構(gòu)”或“多層”。
由高折射率絕緣材料層和低折射率絕緣材料層構(gòu)成的光學(xué)涂層，是技術(shù)上采用多層結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，它的光學(xué)特性可通過(guò)適當(dāng)選擇某些參數(shù)，如層的循環(huán)次數(shù)和層厚等，將其調(diào)整到針對(duì)特定的使用目的。磁的或磁光記錄材料是使用多層材料的另一個(gè)例子，多層結(jié)構(gòu)可被利用來(lái)改變或優(yōu)化薄膜特性。例如，交替地淀積薄的(≤1毫微米)鐵(Fe)層和鋱(Tb)層，可用來(lái)制造磁光記錄材料;Fe-Tb薄膜可例如為50毫微米厚，因此要由25對(duì)或更多對(duì)的Fe-Tb層組成。改變Fe和Tb的層厚，可以調(diào)整磁特性，諸如矯頑磁性和各向異性。
在先有技術(shù)中介紹的多層淀積方法，利用一些機(jī)械裝置將基片按重復(fù)和順序的方式暴露在兩個(gè)或兩個(gè)以上淀積源流束中，淀積源是典型的連續(xù)式工作?；谏鲜龇椒ǖ脑O(shè)備用于在不連續(xù)的單個(gè)片基上進(jìn)行多層淀積。
本發(fā)明公開(kāi)一種在基帶表面順序淀積原材料的方法。傳輸裝置使基帶通過(guò)多個(gè)面朝基帶的淀積源連續(xù)移動(dòng)。在汽相淀積過(guò)程中，基帶表面的每一個(gè)部分，以一種交替循環(huán)的方式暴露在來(lái)自淀積源的淀積流束中。交替暴露在源中的次數(shù)比源數(shù)多。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種在基帶上淀積多層結(jié)構(gòu)的連續(xù)涂層方法。傳輸裝置使基帶經(jīng)多個(gè)面朝基帶的淀積源連續(xù)移動(dòng)。在原材料汽相淀積過(guò)程中，基帶上形成多層結(jié)構(gòu)，其層數(shù)大于淀積源數(shù)。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種制造具有多層結(jié)構(gòu)基帶的設(shè)備。配備了一個(gè)淀積源區(qū)，由多個(gè)面朝基帶的淀積源組成?；鶐в蓚鬏斞b置支托?；鶐鬏斞b置支托著基帶，并使基帶經(jīng)淀積源區(qū)連續(xù)移動(dòng)，在汽相淀積過(guò)程中，基帶上生成多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的層數(shù)大于淀積源數(shù)。
本發(fā)明的內(nèi)容還包括在基帶上生成的多層薄膜。多個(gè)原材料淀積層被淀積在基帶上，構(gòu)成了多層的薄膜結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)中的層數(shù)超過(guò)提供原材料的淀積源數(shù)。
本發(fā)明的內(nèi)容還包括在基帶上生成的多層薄膜?；鶐в幸粋€(gè)接受多層淀積原材料的指定表面。多個(gè)原材料淀積層被淀積在基帶上，構(gòu)成了多層薄膜結(jié)構(gòu)，薄膜結(jié)構(gòu)中的每一層相對(duì)于指定區(qū)有一個(gè)傾斜角。


圖1 在基帶上淀積原材料的按先有技術(shù)的設(shè)備示意圖;
圖2 基帶和其上的多層結(jié)構(gòu)垂直剖面;
圖3 有多個(gè)卷軸的本發(fā)明設(shè)備一種實(shí)施例的平面圖;
圖4 與圖3所示相似的本發(fā)明設(shè)備端視圖;
圖5 總體上按圖3所示結(jié)構(gòu)中的卷軸的另一種實(shí)施例端視圖;
圖6 是圖5所示部件的平面圖，其中包括了另一種分段卷軸與傾斜卷軸組合共同工作的實(shí)施例;
圖7 分段傾斜卷軸側(cè)視圖;
圖8 分段卷軸側(cè)視圖;
圖9 本發(fā)明設(shè)備另一種實(shí)施例平面圖，具有直通道淀積系統(tǒng);
圖10 是圖9所示設(shè)備的剖視圖;
圖11 采用旋轉(zhuǎn)閘板的連續(xù)式卷軸到卷軸單通道系統(tǒng)透視示意圖;
圖12 表示多個(gè)分開(kāi)式閘板源的連續(xù)式單通道淀積系統(tǒng)局部示意圖;
圖13 采用長(zhǎng)形源和聯(lián)動(dòng)式閘板的連續(xù)式單通道淀積系統(tǒng)示意圖;
圖14 采用圖11所示系統(tǒng)制成的磁光薄膜疊層的橫剖面示意圖;
圖15 圖14所示制成品磁化狀態(tài)曲線圖，圖中還有其他的剩磁值比較曲線。
本發(fā)明涉及在基度上連續(xù)涂料以生成多層結(jié)構(gòu)的新穎方法、設(shè)備和成品。更具體地說(shuō)，基底是一條連續(xù)的基帶或片，本文中這兩種可交換使用?；且环N柔性基底，其寬度遠(yuǎn)大于其厚度，其長(zhǎng)度又遠(yuǎn)大于其寬度。基帶或基片指的是長(zhǎng)形和連續(xù)的基底。因此，基片中至少有一個(gè)尺寸大于所使用的淀積系統(tǒng)和最大尺寸。
圖1舉例表示先有技術(shù)涂料裝置10。涂料裝置10用于在基底18上淀積來(lái)自淀積源14a和14b的原材料?；?8可以是一種薄的基片。工作時(shí)，基底18經(jīng)淀積源14a、14b移動(dòng)，所以在淀積工序中，基底18暴露在原材料流束16a、16b中，從而將原材料淀積在基底18的一部分上。類(lèi)似于涂料裝置10的設(shè)備，在用作制造多層結(jié)構(gòu)時(shí)受到各種限制。在這些限制中包括緩慢的涂覆速度、表面污染和/或反作用問(wèn)題，后面的兩個(gè)問(wèn)題起因于在要涂覆的條片重復(fù)卷繞和伸展過(guò)程中，層的淀積和/或與條片背面接觸之間消耗的時(shí)間。具體而言，這些限制是由于采用的一種基帶傳輸子系統(tǒng)，此子系統(tǒng)包括一根卷軸或鼓筒組。如圖1所示意表示的，卷軸24a、24b以傳統(tǒng)的方式輸入和收卷。為了用此裝置制造多層結(jié)構(gòu)，其層數(shù)大于淀積源的數(shù)量，故必須使基底18在卷軸24a和24b之間經(jīng)過(guò)淀積室30往復(fù)移動(dòng)，直至在基底18上涂覆所需要的層數(shù)。先有技術(shù)涂料裝置10不是使基底18連續(xù)移動(dòng)，而是使它在運(yùn)動(dòng)的周期和暫停運(yùn)動(dòng)的周期之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)，在暫停的時(shí)刻卷軸改換方向，使基底18向另一個(gè)卷軸回行，從而拉動(dòng)基底18經(jīng)過(guò)淀積源14a、14b，于是在基底18上又添加了另一個(gè)涂層。
因此，如圖1所示，在現(xiàn)有的涂料裝置中，在基片上合成大面積的多層結(jié)構(gòu)，要將基片從一個(gè)淀積源到另一個(gè)淀積源來(lái)回往復(fù)運(yùn)動(dòng)才能完成。這種方法不那么適用于在條片上涂覆多層薄膜。相反，淀積最好能用最少的次數(shù)(最好是一次)經(jīng)過(guò)涂料裝置來(lái)完成，無(wú)需停止以改換條片的移動(dòng)方向。因此需要一種在基帶上淀積多層結(jié)構(gòu)的連續(xù)涂料方法。工業(yè)上更需要一種在基帶上生成多層磁-光記錄膜的有效方法。相信本文所公開(kāi)的應(yīng)用連續(xù)淀積原理制成的設(shè)備必然是一種制造多層產(chǎn)品的新穎設(shè)備。
圖2表示了一種按本發(fā)明的工藝方法和結(jié)構(gòu)制成的產(chǎn)品的舉例。圖2所示的實(shí)施例中有一條其上通過(guò)真空淀積生成淀積層40的基帶36。詳細(xì)地說(shuō)，淀積層40是一種多層結(jié)構(gòu)，此多層結(jié)構(gòu)進(jìn)一步由多次重復(fù)的分層44、45組成。圖中可清楚看出結(jié)構(gòu)的周期性、厚度、組成和總層數(shù)。此外，組成淀積層40的每一層以及基帶36可由有機(jī)的、無(wú)機(jī)的、或由有機(jī)和無(wú)機(jī)組合的材料構(gòu)成。
圖3是制造具有多層涂料的帶狀制品的設(shè)備實(shí)施例。加工設(shè)備52包括多個(gè)淀積源60。每個(gè)源60被配備用于盛裝淀積原材料58，例如稀土金屬、其它的無(wú)機(jī)物、過(guò)渡金屬或有機(jī)物，它們適用于在連續(xù)移動(dòng)的基帶36上進(jìn)行汽相淀積?；鶐鬏斞b置62用來(lái)使基帶36連續(xù)移動(dòng)，使基帶36在物理汽相淀積過(guò)程中經(jīng)過(guò)多個(gè)淀積源60。最好設(shè)屏蔽裝置，用于限制和規(guī)定原材料淀積在基帶36的指定區(qū)域內(nèi)。具體而言，屏蔽裝置包括與源60相鄰的淀積流束防護(hù)屏70。圖4表示與圖3中所示實(shí)施例相似的設(shè)備端視圖，用來(lái)表示背噴防護(hù)屏74，以防原材料汽相流束16c、16d淀積在基帶36背面。
涂層設(shè)備52可在窄條片或基帶上高質(zhì)量高速度地淀積多層結(jié)構(gòu)。使用這種涂層設(shè)備52的一個(gè)例子是生產(chǎn)磁-光記錄帶。如圖3所示，窄條片或基帶36以某一角度導(dǎo)向傳輸裝置62，所以基帶36在傳輸裝置的有關(guān)構(gòu)件上卷繞多次。卷繞次數(shù)取決于帶寬W、帶與帶的間距S和垂直于帶移動(dòng)方向的源流束總寬度e。在帶的傳輸裝置62上移過(guò)的基帶36，在離開(kāi)傳輸裝置62到下一個(gè)淀積源或卷帶軸去之前，暴露在源汽相流速中約e(w+s)次。
下面舉一個(gè)按圖2至4中所示本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)室規(guī)模涂層設(shè)備實(shí)例。此例中假設(shè)1)帶寬w約1.2厘米;
2)帶與帶的間距s為0.3厘米;
3)結(jié)構(gòu)重復(fù)距離(循環(huán)周期)d為1毫微米;
4)垂直于帶移動(dòng)方向源流束總寬度e約為15厘米;
5)活性磁光層厚度h為30毫微米;
6)分開(kāi)的稀土金屬源和過(guò)渡金屬源;以及7)一對(duì)源在孔口a上方單通道的有效淀積速率r為20毫微米/秒，對(duì)每個(gè)源沿帶移動(dòng)方向的孔a為10厘米。
因此，通過(guò)每一個(gè)源對(duì)的汽相流束的次數(shù)n為e/(w+s)＝10次。在本例中，達(dá)到所希望的厚度需要30層對(duì)(h/d＝30);所以需要三組稀土和過(guò)渡金屬源。在帶上完成結(jié)構(gòu)中一個(gè)循環(huán)的淀積所需要的流束暴露時(shí)間為d/r，帶必須在這一時(shí)間內(nèi)走完距離a，于是V＝(ar)/d米/秒，V是帶的移動(dòng)速度。上述例子中對(duì)帶速作了非常保守的估算，其中，改變假設(shè)值的數(shù)量級(jí)可使乘積(ar)增加。應(yīng)當(dāng)指出，多層磁光材料的結(jié)構(gòu)重復(fù)距離假設(shè)為≤1毫微米這樣的微小值是一種極端的例子。此外，較寬的帶和不太復(fù)雜的帶可以使結(jié)構(gòu)有較大的循環(huán)周期。
圖5至8表示帶的傳輸裝置62的結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)結(jié)構(gòu)的端視圖5，圖中帶的傳輸裝置62由第一傳輸機(jī)構(gòu)80和第二傳輸機(jī)構(gòu)84組成。第一傳輸機(jī)構(gòu)80和第二傳輸機(jī)構(gòu)84之一或兩者可有連續(xù)輸入和接收基帶36的裝置。第一傳輸機(jī)構(gòu)80有一個(gè)卷軸，此卷軸可進(jìn)一步分成多個(gè)分段88，其結(jié)構(gòu)被設(shè)計(jì)成便于接收和傳送基帶36。如第一傳輸機(jī)構(gòu)80那樣的分段卷軸可以(但并非必須)由能獨(dú)立工作的分段88組成，它們有公共的旋轉(zhuǎn)軸線J-J，如圖8所示。
圖中可清楚看出，在組件中構(gòu)成分段式卷軸的分段88還可以裝配成多個(gè)傾斜的卷軸。每個(gè)卷軸的分段88可有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)軸線96，它相對(duì)于通過(guò)各分段卷軸中點(diǎn)的公共軸線X-X成銳角。在這種情況下，有傾斜分段88的卷軸與第二傳輸機(jī)構(gòu)84共同工作，所以當(dāng)基帶在互相傾斜的傳輸機(jī)構(gòu)之間移動(dòng)時(shí)必須扭曲。顯然，基帶36沒(méi)有滑動(dòng)或擺動(dòng)。若僅采用傳統(tǒng)的卷軸作為傳輸機(jī)構(gòu)，則會(huì)造成滑動(dòng)或擺卻。導(dǎo)邊100用于在每個(gè)基帶接觸面98的兩側(cè)控制基帶。再參看圖6，圖中表示帶的傳輸裝置62正處于在第一傳輸機(jī)構(gòu)80和第二傳輸機(jī)構(gòu)84之間傳輸基帶36的過(guò)程中。
圖9表示了按本發(fā)明另一種實(shí)施例的設(shè)備152。圖9舉例表示了一種在基帶或條片上走直線淀積原材料的系統(tǒng)。這種新穎的工作是用常規(guī)的基帶輸送裝置完成的，輸送裝置使基帶36經(jīng)過(guò)適當(dāng)數(shù)量的原材料例如58a、58b連續(xù)移動(dòng)。原材料58a、58b在適合于對(duì)基帶36進(jìn)行物理汽相淀積的多個(gè)位置上。淀積用的原材料最好位于基帶36支托平面的下方，基帶由傳輸裝置傳送。防護(hù)屏70設(shè)計(jì)成交替的淀積流束軌跡71、72的隔板，以便能使原材料汽相流束16a、16b依次淀積在基帶36上。
圖10是沿圖9中10-10線的剖視圖。圖10還表示了防護(hù)屏70的結(jié)構(gòu)關(guān)系，其結(jié)構(gòu)提供了在直線軌跡中多個(gè)淀積原材料室110、111，所以當(dāng)輸送裝置移動(dòng)基帶36，使之按單一軌跡在原材料上方連續(xù)移動(dòng)時(shí)，原材料被淀積在基帶36上。設(shè)備152還有另外一種在條片或基帶上淀積多層結(jié)構(gòu)的高效設(shè)備和方法的實(shí)施例。這種設(shè)備可有很高的淀積速率、較低的每單位面積成本以及最后所得結(jié)構(gòu)有均勻的磁特性。
按本文介紹的各種方法和設(shè)備制造的產(chǎn)品的一種實(shí)例是，其上有多層結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)形條片或基帶。這種薄膜制品確實(shí)是極好的。盡管有些資料談到在盤(pán)襯底上制造多層結(jié)構(gòu)，但這些資料沒(méi)有解決在帶狀介質(zhì)領(lǐng)域中使用的問(wèn)題。因此，本發(fā)明針對(duì)一種窄帶的多層薄膜，它有小寬度的適用于接受多層淀積材料的基帶。淀積層由以連續(xù)方式淀積在基帶上的多層淀積原材料組成。表示在圖2中組成層40的這些層，如層44，45，被淀積在基帶36上，所以層數(shù)超過(guò)淀積源數(shù)。各層組合后呈顯出極佳的薄膜特性，各層是以連續(xù)方式真空淀積的。例如，在磁性薄膜的情況下，多層結(jié)構(gòu)在矯頑性、各向異性、磁化等方面具有極好的薄膜磁特性。淀積層可為有機(jī)物、無(wú)機(jī)物或有機(jī)與無(wú)機(jī)成分的組合。
圖11示意表示按本發(fā)明制造具有多層淀積的帶狀制品的設(shè)備。此實(shí)施例表示了一種單通道連續(xù)淀積系統(tǒng)202，它在基帶上生成多層結(jié)構(gòu)的薄膜。系統(tǒng)202的工作包括輸送基帶206使之經(jīng)過(guò)裝有閘板的淀積源210。多個(gè)源210最好配置成能在源中暴露的時(shí)間內(nèi)得到均勻的淀積層。有必要采用適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)屏，以避免交叉污染或能將源互相分隔開(kāi)。為做到這一點(diǎn)可用一種在常規(guī)的卷軸到卷軸的基礎(chǔ)上改進(jìn)后的傳輸系統(tǒng)。閘板212按一定的周期循環(huán)工作，因此，當(dāng)基帶或條片206經(jīng)過(guò)源時(shí)，每個(gè)源按順序淀積，從而在基帶上制成多層結(jié)構(gòu)的薄膜。單個(gè)制品的襯底或條片最好是盤(pán)狀的襯底，但這種襯底也可以作為其它襯底的載體。
采用這種工藝過(guò)程使基片沿長(zhǎng)度順序暴露在淀積源材料流束中。因此，此方法使原材料順序淀積在基片的長(zhǎng)度上。汽相淀積循環(huán)交替的方式，使源交替暴露的次數(shù)大于源數(shù)。暴露在源中的次數(shù)與源數(shù)的比例最好大于1∶1，最佳比大于2∶1。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，源的暴露比大于4∶1和10∶1是所希望的，也是可行的。
閘板212最好是圖11所示的遮截式閘門(mén)。不過(guò)也可以用另一種如圖12所示有多個(gè)可分別控制的閘板212的閘門(mén)結(jié)構(gòu)，或如圖13所示的聯(lián)動(dòng)閘門(mén)。圖3所示的聯(lián)動(dòng)閘門(mén)尤其是可用于長(zhǎng)形源216。閘門(mén)的結(jié)構(gòu)、運(yùn)動(dòng)速度以及幾何尺寸，決定了基片經(jīng)暴露區(qū)時(shí)每個(gè)淀積源的暴露時(shí)間和暴露頻率。在這里，暴露區(qū)是指基片上受到來(lái)自源的汽相淀積的一個(gè)規(guī)定的部分或長(zhǎng)度，例如圖11中的部分220。其它一些對(duì)于成功的淀積具有決定性意義的因素還有，源的淀積速度、基帶的傳輸速度、孔口尺寸和可調(diào)性以及源的類(lèi)型。淀積中要求提供單層的或小厚度的材料，因此本發(fā)明的遮截式閘板是最實(shí)用的。這部分原因是由于采用本實(shí)施例的閘門(mén)結(jié)構(gòu)，可使淀積速率和最后所得的結(jié)構(gòu)得到極佳的控制。
采用圖11、12和13中表示的實(shí)施例得到多層薄膜，其中的各層與基帶表面略有傾斜。傾斜量取決于層厚和兩次暴露之間的時(shí)間。例如，假定基帶經(jīng)過(guò)一個(gè)單孔交替暴露在兩個(gè)不同的淀積源中，此孔位于靠近基帶的地方。還假定在兩個(gè)源中暴露之間的時(shí)間為零，第一源和第二源的淀積速度分別為r1和r2，基帶移動(dòng)速度為V，以及兩個(gè)源的暴露時(shí)間均為t。那么各層相對(duì)于基帶的傾斜角在任何給定時(shí)刻均為tan-1(r1/V)或tan-1(r2/V)，并將按周期Vt在這兩個(gè)角度之間變動(dòng)。
按本發(fā)明的工藝方法尤其適用于制造具有可調(diào)諧磁特性的制品。這種制品包括磁帶和磁光帶。此工藝方法還可方便地淀積多種材料的組合，這在過(guò)去公認(rèn)為是難于進(jìn)行的。按上述方法進(jìn)行加工改善了成分控制。這些工藝方法還可用于制造促進(jìn)科學(xué)研究和發(fā)展生產(chǎn)力的制品。
例1采用圖11的實(shí)施例，以實(shí)驗(yàn)室規(guī)模的系統(tǒng)進(jìn)行工作，按單通道連續(xù)法在窄帶上涂多層結(jié)構(gòu)。在高真空度系統(tǒng)中，采用從卷軸到卷軸的基帶傳輸裝置，按兩個(gè)電子束發(fā)射源組合的順序傳送基帶。設(shè)有防護(hù)屏，所以任何時(shí)刻在帶上一次只暴露在一個(gè)源組合中。這些組合中之一個(gè)由兩個(gè)電子槍源組成，它們位于基帶平面之下約8寸(20厘米)處，在垂直于此帶的平面內(nèi)對(duì)此帶對(duì)稱(chēng)地安裝著。遮截式閘板在這兩個(gè)電子槍源的上方中央。一個(gè)源淀積鉑，另一個(gè)源淀積鈷。閘板旋轉(zhuǎn)使基帶交替暴露在兩個(gè)電子槍源的一個(gè)中。每個(gè)電子槍源的淀積速率可獨(dú)立監(jiān)控，并反饋，以保持淀積速率為常值。可根據(jù)需要改變電子槍源淀積速率、閘板轉(zhuǎn)速、基帶傳送速度、在多層結(jié)構(gòu)中的各層厚度、以及多層結(jié)構(gòu)的總厚度。在此例中，鈷層厚在3至6埃之間變化，鉑層厚保持常數(shù)為10埃?；蜚K層厚度在8埃至12埃之間變化，而鈷層厚保持4埃不變。每層有鉑和鈷共約12層淀積在鉑/鈷多層結(jié)構(gòu)薄膜的每個(gè)長(zhǎng)度中。在本例中，除此兩個(gè)電子槍組合外，有四穴單電子槍源1，它正好位于基帶中央下方。此電子槍源用于將其它材料按要求淀積在多層薄膜下或薄膜上，以造成絕緣或外包層等。
例2圖14表示用例1所述方法制成的磁-光薄膜疊層224。在1寸(2.54厘米)寬的聚酰胺基帶226上，按順序形成100埃厚的鉻層228，400埃厚的鋁層230，250埃厚的硅層232，200埃厚的多層結(jié)構(gòu)的鉑/鈷層234，以及200埃厚的硅層236。多層結(jié)構(gòu)的鉑/鈷層234由交替成對(duì)的層組成，每一個(gè)層對(duì)包括10埃的鉑和4埃鈷。M(H)測(cè)量表明，沿帶全長(zhǎng)的磁特性相當(dāng)均勻。從帶上取樣得到的M(H)回線表示在圖15中，回線Ⅲ代表100%剩磁值。用作比較，圖中還表示了回線Ⅰ和Ⅱ，它們分別代表50%和0%剩磁值。在780毫微米波長(zhǎng)時(shí)薄膜疊層反射率為29%。具有淀積在其上面的磁光疊層的帶保持平的型面，在薄膜中的應(yīng)力水平不足以造成薄膜-基片組合的翹曲。
權(quán)利要求
1.在基帶表面順序淀積原材料的方法包括下列步驟a)設(shè)置基帶傳輸裝置，使基帶經(jīng)多個(gè)淀積源連續(xù)移動(dòng)；b)使多個(gè)淀積源面朝基帶定位，基帶被支托在基帶傳輸裝置上；以及c)使基帶傳輸裝置工作，在淀積原材料的汽相淀積期間使基帶經(jīng)淀積源連續(xù)移動(dòng)，所以基帶的每一部分以一種交替循環(huán)的方式暴露在來(lái)自淀積源的淀積流束中，交替暴露在淀積源中的次數(shù)大于源數(shù)。
2.按照權(quán)利要求1所述之方法，其特征為此方法中進(jìn)行了原材料的淀積，所以至少一個(gè)暴露源淀積了少于原材料的一個(gè)完整的單層。
3.按照權(quán)利要求1所述之方法，其特征為基底作為另一種基底的載體。
4.制造具有多層結(jié)構(gòu)的基帶的設(shè)備包括a)淀積源區(qū)，包括多個(gè)面朝基帶的淀積源，基帶支托在一個(gè)基帶傳輸裝置上;以及b)基帶傳輸裝置支托基帶，并使基帶經(jīng)淀積源區(qū)連續(xù)移動(dòng)，在汽相淀積期間，在基帶上生成一個(gè)多層結(jié)構(gòu)，其層數(shù)大于淀積源數(shù)。
5.按照權(quán)利要求4所述之設(shè)備，其特征為設(shè)備中有淀積源的控制機(jī)構(gòu)，所以原材料可以順序淀積。
6.按照權(quán)利要求5所述之設(shè)備，其特征為控制機(jī)構(gòu)是閘板。
7.按照權(quán)利要求4所述之設(shè)備，其特征為基帶傳輸裝置包括具有將基帶連續(xù)送入和接受裝置的第一傳輸機(jī)構(gòu)和第二傳輸機(jī)構(gòu)。
8.按照權(quán)利要求7所述之設(shè)備，其特征為第一傳輸機(jī)構(gòu)包括多個(gè)分段卷軸。
9.在基帶上的多層薄膜包括a)基帶;以及b)淀積在基帶上構(gòu)成多層薄膜結(jié)構(gòu)的多層淀積原材料，層數(shù)超過(guò)提供原材料的淀積源數(shù)。
10.在基帶上的多層薄膜包括a)具有接受多層淀積原材料的指定表面的基帶;以及b)淀積在基帶上構(gòu)成多層薄膜結(jié)構(gòu)的多層淀積原材料，其中的每一層相對(duì)于此指定的表面有一個(gè)傾斜角。
全文摘要
在基帶36，206上順序淀積原材料60、210的方法。基帶傳輸裝置62、202使基帶36，206在原材料汽相淀積期間，經(jīng)多個(gè)淀積源60、210連續(xù)移動(dòng)?；鶐?6、206的每一部分以一種交替循環(huán)的方式暴露在來(lái)自淀積源60、210的淀積流束中。暴露在源中的次數(shù)可大于源數(shù)。
文檔編號(hào)C23C14/20GK1083544SQ9310717
公開(kāi)日1994年3月9日 申請(qǐng)日期1993年6月11日 優(yōu)先權(quán)日1992年6月12日
發(fā)明者邁克爾·B·殷茲, 約瑟夫·H·塞克斯頓, 威廉姆·G·密切爾, 約翰·W·尤爾塞斯 申請(qǐng)人:明尼蘇達(dá)州采礦制造公司