本發(fā)明涉及蒸發(fā)鍍膜領(lǐng)域，尤其是涉及一種蒸發(fā)鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、真空蒸鍍技術(shù)廣泛應(yīng)用于家用電器、鐘表、工藝美術(shù)品、玩具、車燈、反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層領(lǐng)域。通過真空蒸鍍技術(shù)，可以在塑件表面沉積各種金屬和非金屬薄膜，得到非常薄的表面鍍層，且附著力強(qiáng)、均勻性好。蒸鍍是一種在真空條件下進(jìn)行的氣相沉積技術(shù)。其基本原理是：在真空環(huán)境中，采用一定的加熱蒸發(fā)方式將鍍膜材料(或稱膜料)蒸發(fā)并使之氣化，隨后這些氣化的粒子飛至基片表面并凝聚成膜。這一工藝方法具有成膜方法簡(jiǎn)單、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能獨(dú)特等優(yōu)點(diǎn)。蒸發(fā)源是真空蒸鍍中的核心部件，它負(fù)責(zé)加熱膜料并使其氣化蒸發(fā)。常用的蒸發(fā)源加熱方式包括電阻加熱、電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、電弧加熱和激光加熱等，蒸發(fā)源用于進(jìn)行蒸發(fā)操作，使鍍膜材料氣化并沉積在基片表面形成薄膜。然而，當(dāng)前的蒸鍍獲得的產(chǎn)品中，所鍍材料與高分子材料結(jié)合力仍然容易發(fā)生問題，因此現(xiàn)有技術(shù)還有待改進(jìn)和提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種蒸發(fā)鍍膜設(shè)備。

2、為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案：

3、本發(fā)明提供了一種蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，包括真空室，所述真空室內(nèi)設(shè)置有蒸發(fā)源和待鍍膜體，所述待鍍膜體位于所述真空室內(nèi)的上部，所述蒸發(fā)源位于所述真空室內(nèi)的下部，所述蒸發(fā)源包括坩堝，所述坩堝包括坩堝堝體和坩堝堝蓋，所述坩堝堝蓋蓋設(shè)于所述坩堝堝體上，所述坩堝堝蓋上設(shè)置有開口，所述開口上下貫穿所述坩堝堝蓋，所述坩堝堝蓋的上頂面上的開口為狹長的開口。

4、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述坩堝堝蓋的上頂面的面積大于所述坩堝堝蓋的下底面的面積，所述開口貫穿所述坩堝堝蓋的上頂面和所述坩堝堝蓋的下底面，所述開口位于所述上頂面的中部和所述下底面的中部，所述坩堝堝蓋從所述上頂面到所述下底面呈漏斗狀。

5、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述坩堝堝蓋的上頂面為橢圓形，所述坩堝堝蓋的下底面為圓形。

6、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述，所述坩堝堝蓋的上頂面的短軸長度不小于所述坩堝堝蓋的下底面的直徑，所述坩堝堝蓋于上頂面的長軸方向或短軸方向的前后側(cè)設(shè)置有互相吸引的磁性體，所述開口沿所述上頂面的短軸方向或長軸方向設(shè)置。

7、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述開口于所述坩堝堝蓋的上頂面的出口小于所述開口于所述坩堝堝蓋的下底面的入口，在所述坩堝堝蓋上，所述開口的橫切面為梯形。

8、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述坩堝堝蓋的上頂面為圓形，所述坩堝堝蓋的下底面為圓形，所述坩堝堝蓋的上頂面與所述坩堝堝蓋的下底面上下對(duì)齊且面積相等，所述開口的縱切面為矩形或梯形。

9、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述開口內(nèi)設(shè)置有分流板，所述分流板的下表面為凸出的弧形面，所述分流板的上表面為平板面，所述分流板的兩端分別固定在所述開口內(nèi)部兩側(cè)的側(cè)壁上。

10、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述坩堝堝體呈圓桶狀，所述坩堝堝蓋的下底面的直徑大于所述坩堝堝體的直徑。

11、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述坩堝堝體的內(nèi)徑為100mm～120mm，所述坩堝堝體的外徑為120mm～140mm。

12、在一較佳實(shí)施例中，所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，所述坩堝堝蓋的上頂面到所述坩堝堝蓋的下底面之間的距離為40mm～150mm，所述坩堝堝體為氮化硅或碳化硅堝體，所述坩堝堝蓋為石墨堝蓋。

13、相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的一種蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，包括真空室，所述真空室內(nèi)設(shè)置有蒸發(fā)源和待鍍膜體，所述待鍍膜體位于所述真空室內(nèi)的上部，所述蒸發(fā)源位于所述真空室內(nèi)的下部，所述蒸發(fā)源包括坩堝，所述坩堝包括坩堝堝體和坩堝堝蓋，所述坩堝堝蓋蓋設(shè)于所述坩堝堝體上，所述坩堝堝蓋上設(shè)置有開口，所述開口上下貫穿所述坩堝堝蓋，所述坩堝堝蓋的上頂面上的開口為狹長的開口。本發(fā)明的蒸發(fā)源內(nèi)部設(shè)置有待蒸鍍材料，當(dāng)蒸發(fā)源在加熱時(shí)，內(nèi)部氣壓增大，融化蒸發(fā)的待蒸鍍材料在壓力的作用下加速向上從開口中沖出，與經(jīng)過蒸發(fā)源上部的待鍍膜體結(jié)合，可以形成牢固的鍍層。

技術(shù)特征：

1.一種蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括真空室，所述真空室內(nèi)設(shè)置有蒸發(fā)源和待鍍膜體，所述待鍍膜體位于所述真空室內(nèi)的上部，所述蒸發(fā)源位于所述真空室內(nèi)的下部，所述蒸發(fā)源包括坩堝，所述坩堝包括坩堝堝體和坩堝堝蓋，所述坩堝堝蓋蓋設(shè)于所述坩堝堝體上，所述坩堝堝蓋上設(shè)置有開口，所述開口上下貫穿所述坩堝堝蓋，所述坩堝堝蓋的上頂面上的開口為狹長的開口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述坩堝堝蓋的上頂面的面積大于所述坩堝堝蓋的下底面的面積，所述開口貫穿所述坩堝堝蓋的上頂面和所述坩堝堝蓋的下底面，所述開口位于所述上頂面的中部和所述下底面的中部，所述坩堝堝蓋從所述上頂面到所述下底面呈漏斗狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述坩堝堝蓋的上頂面為橢圓形，所述坩堝堝蓋的下底面為圓形。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述坩堝堝蓋的上頂面的短軸長度不小于所述坩堝堝蓋的下底面的直徑，所述坩堝堝蓋于上頂面的長軸方向或短軸方向的前后側(cè)設(shè)置有互相吸引的磁性體，所述開口沿所述上頂面的短軸方向或長軸方向設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述開口于所述坩堝堝蓋的上頂面的出口小于所述開口于所述坩堝堝蓋的下底面的入口，在所述坩堝堝蓋上，所述開口的橫切面為梯形。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述坩堝堝蓋的上頂面為圓形，所述坩堝堝蓋的下底面為圓形，所述坩堝堝蓋的上頂面與所述坩堝堝蓋的下底面上下對(duì)齊且面積相等，所述開口的縱切面為矩形或梯形。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述開口內(nèi)設(shè)置有分流板，所述分流板的下表面為凸出的弧形面，所述分流板的上表面為平板面，所述分流板的兩端分別固定在所述開口內(nèi)部兩側(cè)的側(cè)壁上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述坩堝堝體呈圓桶狀，所述坩堝堝蓋的下底面的直徑大于所述坩堝堝體的直徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述坩堝堝體的內(nèi)徑為100mm～120mm，所述坩堝堝體的外徑為120mm～140mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述坩堝堝蓋的上頂面到所述坩堝堝蓋的下底面之間的距離為40mm～150mm，所述坩堝堝體為氮化硅或碳化硅堝體，所述坩堝堝蓋為石墨堝蓋。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供的一種蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，包括真空室，所述真空室內(nèi)設(shè)置有蒸發(fā)源和待鍍膜體，所述待鍍膜體位于所述真空室內(nèi)的上部，所述蒸發(fā)源位于所述真空室內(nèi)的下部，所述蒸發(fā)源包括坩堝，所述坩堝包括坩堝堝體和坩堝堝蓋，所述坩堝堝蓋蓋設(shè)于所述坩堝堝體上，所述坩堝堝蓋上設(shè)置有開口，所述開口上下貫穿所述坩堝堝蓋，所述坩堝堝蓋的上頂面上的開口為狹長的開口。本發(fā)明的蒸發(fā)源內(nèi)部設(shè)置有待蒸鍍材料，當(dāng)蒸發(fā)源在加熱時(shí)，內(nèi)部氣壓增大，融化蒸發(fā)的待蒸鍍材料在壓力的作用下加速向上從開口中沖出，與經(jīng)過蒸發(fā)源上部的待鍍膜體結(jié)合，可以形成牢固的鍍層。

技術(shù)研發(fā)人員：于欽芳,羅萬里
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳勁嘉聚能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26