專利名稱：有定向及自控制功能的真空鍍膜機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及真空鍍膜裝置，尤其是一種具有定向控制及自控制功能的改進(jìn)型真空鍍膜機(jī)。
背景技術(shù)：
在過(guò)去的15-20年中，光學(xué)薄膜鍍制設(shè)備出現(xiàn)了令人矚目的變化?，F(xiàn)有真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)一般是在10-2Pa～10-3Pa的真空中加熱金屬、金屬化合物或其他鍍膜材料，使其在極短時(shí)間內(nèi)蒸發(fā)，從而把純凈的原子沉積到基板表面上形成鍍膜層，屬于物理氣相沉積(PVD)。由于鍍制過(guò)程中幾乎無(wú)雜質(zhì)進(jìn)入，可以使鍍層質(zhì)量十分優(yōu)異。真空鍍膜室的真空度、鍍膜材料的蒸發(fā)速率、基板和蒸發(fā)源的間距，以及基板表面狀態(tài)和溫度等都是影響鍍膜層質(zhì)量的因素。
最常見(jiàn)的現(xiàn)有真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)如圖1，其結(jié)構(gòu)有放置在平臺(tái)34上的真空罩15、通過(guò)平臺(tái)34上的開(kāi)孔連接的真空泵33、置于真空罩15內(nèi)的支架2、置于支架2上端的帶有圓孔的基板托架12、置于真空罩15內(nèi)基板14下方的鎢絲35；真空泵33通過(guò)平臺(tái)34上的開(kāi)孔與平臺(tái)34和真空罩15構(gòu)成封閉的空間——真空室。
鍍膜時(shí)，基板14放置于基板托架12上，真空室由真空泵33抽真空，再由通電的鎢絲35加熱鍍膜材料使其在極短時(shí)間內(nèi)蒸發(fā)，把純凈的鍍膜材料的原子沉積到基板表面上，形成鍍膜層。
現(xiàn)有的真空鍍膜機(jī)具有設(shè)備簡(jiǎn)單、制備工藝容易、多數(shù)物質(zhì)均可以蒸鍍的優(yōu)點(diǎn)，但也存在一些不足1、鍍膜時(shí)，鍍膜材料大面積揮發(fā)，浪費(fèi)將是非常嚴(yán)重的，而且使得每鍍一次都得清洗鐘罩。
2、鍍層與基板表面結(jié)合力太弱。
3、淀積速度較慢。
4、膜層厚度不十分均勻，且膜厚難以控制。
5、受宏觀顆粒影響比較嚴(yán)重。伴隨熔融鍍膜材料液滴的蒸發(fā)，少量未完全熔化的鍍膜材料和同時(shí)蒸發(fā)的鎢及其它雜質(zhì)分子也會(huì)淀積在基板表面上，從而增大薄膜表面粗糙度，降低薄膜附著力，使薄膜密度不均勻，膜層中宏觀顆粒與連續(xù)薄膜之間存在明顯的分解面。
實(shí)用新型內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服背景技術(shù)的不足，在現(xiàn)有真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，使得鍍膜材料蒸鍍更加集中，鍍層與基板表面結(jié)合力大大增強(qiáng)，加快淀積速度，膜層厚度更加均勻且膜厚可以控制，所鍍的薄膜密度更加均勻，純度提高，從而可以控制并提高鍍膜的質(zhì)量。
本發(fā)明的有定向及自控制功能的真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)保留了背景技術(shù)的所有部件，增加設(shè)計(jì)了定向裝置和3個(gè)控制裝置膜厚控制裝置、淀積速率控制裝置、基板傳動(dòng)裝置。
所說(shuō)的定向裝置由蒸發(fā)器1、玻璃漏斗4和漏斗托架3組成。蒸發(fā)器1呈橢球殼狀，中間開(kāi)孔，開(kāi)孔處具有凹陷卡口22；玻璃漏斗4由漏斗托架3支撐，其下端套于蒸發(fā)器1凹陷卡口22處，其上端靠近擋板基座5的下面與基板14相對(duì)(如圖2)。
所說(shuō)的膜厚控制裝置由膜厚檢測(cè)裝置和擋板自動(dòng)控制裝置組成。膜厚檢測(cè)裝置安裝在基板托架12上，由微量天平13加裝一個(gè)高靈敏度壓力傳感器37和控制電路(如圖5)而成。擋板自動(dòng)控制裝置(如圖3、4)包括中心有鍍膜孔29的擋板基座5、其上安有卡座a 26和卡座b 24，帶轉(zhuǎn)動(dòng)柄28的活動(dòng)擋板6能蓋住擋板基座5上的鍍膜孔29、沿轉(zhuǎn)動(dòng)柄28軸向開(kāi)有滑槽25，擋板基座5上固定有轉(zhuǎn)動(dòng)軸27、滑槽25套在轉(zhuǎn)動(dòng)軸27上，彈簧B 7一端固定在擋板基座5上，另一端連接點(diǎn)36固定在轉(zhuǎn)動(dòng)柄28靠近活動(dòng)擋板6和滑槽25的地方，彈簧A 8一端固定在轉(zhuǎn)動(dòng)軸27上，另一端固定在轉(zhuǎn)動(dòng)柄28遠(yuǎn)離活動(dòng)擋板6的端頭，電磁鐵9安裝在轉(zhuǎn)動(dòng)柄28的端頭、且在在擋板開(kāi)啟時(shí)與其處在同一高度并固定于鐘罩外的永磁鐵10相對(duì)，電磁鐵9的線圈11通過(guò)控制電路與微量天平13中的壓力傳感器37相連，控制電路主要由線圈11、微量天平13、壓力傳感器37、繼電器開(kāi)關(guān)38、電鍵42、導(dǎo)電觸片39、40、41及電源等組成。
所說(shuō)的淀積速率控制裝置由固定于支架2上的上極板16和下極板23，及外接直流高壓電源構(gòu)成。上極板16水平放置于基板托架12之上，下極板23水平放置于蒸發(fā)器1之下。
所說(shuō)的基板傳動(dòng)裝置由安裝于基板托架12上的電動(dòng)機(jī)19、墊于基板14下的滑圈30、固定圈32、傳動(dòng)帶18和滾珠31組成，固定圈32同心的固定在基板托架12上的圓孔外，滑圈30通過(guò)滾珠31同心的放置于固定圈32上，并能在電動(dòng)機(jī)19通過(guò)傳動(dòng)帶18帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)(如圖6、圖7)。
膜厚控制裝置中的微量天平13，可選用石英振蕩器式微量天平。采用石英振蕩器式微量天平作為膜厚檢測(cè)裝置的原因是因其不但價(jià)格比較低廉，而且裝置簡(jiǎn)單。
為了進(jìn)一步提高鍍膜的質(zhì)量，本實(shí)用新型還可以加裝基板溫控裝置和蒸發(fā)源與基板間距控制裝置。
所說(shuō)的基板溫控裝置由位于上極板16和基板托架12間的加熱器17構(gòu)成。
所說(shuō)的蒸發(fā)源與基板間距控制裝置，由分別置于基板托架12上面和下面并擰于支架2上的調(diào)高螺母21組成，支架2上對(duì)應(yīng)的螺紋20僅刻于加熱器17所在高度與擋板基座5所在高度之間。
本實(shí)用新型的有定向及自控制功能的真空鍍膜機(jī)，由于加裝了定向裝置使蒸發(fā)出的膜材分子定向擴(kuò)散到基板14表面，避免了蒸汽分子散射造成的浪費(fèi)；又可防止在氣化時(shí)大顆粒的膜材熔融物飛濺到基板14上，影響薄膜的質(zhì)量；同時(shí)，蒸發(fā)器提供了一種半封閉環(huán)境，使得各部分蒸發(fā)出的氣體分子的溫度近似相同，從而使膜層與基板結(jié)合得更均勻，更致密。本實(shí)用新型能夠通過(guò)膜厚控制裝置測(cè)量并控制鍍膜的厚度；通過(guò)淀積速率控制裝置，使金屬膜材蒸汽的離子化程度大大增高，而且在一定程度上使蒸發(fā)出的膜材蒸汽分子方向性更高，并加速淀積過(guò)程，通過(guò)控制與調(diào)節(jié)正負(fù)兩極間的電壓，實(shí)現(xiàn)控制與調(diào)節(jié)膜材淀積到基板上的速率快慢；通過(guò)基板傳動(dòng)裝置、基板溫控裝置、定向裝置、蒸發(fā)源與基板間距控制裝置、和淀積速率控制裝置等的協(xié)同工作，從而保證了膜層均勻性，也使膜層與基板附著得更加緊密。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的六個(gè)裝置并不只具各自的單一功用，而是互有裨益的，如淀積速率控制裝置中正負(fù)電極產(chǎn)生的電場(chǎng)也使得蒸發(fā)出的膜材蒸汽方向性更好，定向裝置也使得膜層的均勻性和致密性更好。同時(shí)本實(shí)用新型只是在原有設(shè)備的基礎(chǔ)上改進(jìn)而實(shí)現(xiàn)的，所以設(shè)備簡(jiǎn)單，投資較小。


圖1是背景技術(shù)的真空鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的可定向控制的真空鍍膜機(jī)整體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本實(shí)用新型的膜厚控制裝置中擋板部分開(kāi)啟狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本實(shí)用新型的膜厚控制裝置中擋板部分關(guān)閉狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本實(shí)用新型的膜厚檢測(cè)裝置的控制電路圖。
圖6是本實(shí)用新型的基板傳動(dòng)裝置俯視圖。
圖7是圖6的基板傳動(dòng)裝置縱截面圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程。
實(shí)施例1本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2，與背景技術(shù)相同的結(jié)構(gòu)部分有放置在平臺(tái)34上的真空罩15、通過(guò)平臺(tái)34上的開(kāi)孔連接的真空泵33、置于真空罩15內(nèi)的支架2、置于支架2上端的帶有圓孔的基板托架12、置于真空罩15內(nèi)并在基板托架12下方的鎢絲35。圖1、圖2中14為基板。
增加設(shè)計(jì)的定向裝置由帶凹陷卡口22的蒸發(fā)器1、放置在漏斗托架3上的玻璃漏斗4、鎢絲35構(gòu)成。
增加設(shè)計(jì)的膜厚控制裝置由基板托架12上、加裝了一個(gè)高靈敏度壓力傳感器37和控制電路的石英振蕩器式微量天平13和擋板自動(dòng)控制裝置構(gòu)成。其中的擋板自動(dòng)控制裝置由擋板基座5、帶轉(zhuǎn)動(dòng)柄28的活動(dòng)擋板6、彈簧A8、彈簧B7和電磁鐵9、永磁鐵10等組成。
增加設(shè)計(jì)的淀積速率控制裝置由上極板16、下極板23，外接直流高壓電源構(gòu)成。
增加設(shè)計(jì)的基板傳動(dòng)裝置由電動(dòng)機(jī)19、墊于基板14下的滑圈30、固定圈32、傳動(dòng)帶18和滾珠31構(gòu)成。圖2中滑圈30、固定圈32和滾珠31未畫出。
增加設(shè)計(jì)的基板溫控裝置由輔助加熱器17構(gòu)成。
增加設(shè)計(jì)的蒸發(fā)源與基板間距控制裝置由調(diào)高螺母21和旋刻在支柱2上的與調(diào)高螺母21對(duì)應(yīng)的螺紋20構(gòu)成。
通常支架2有三根立柱，所以調(diào)高螺母21可以有三個(gè)。
實(shí)施例2本實(shí)用新型的定向裝置見(jiàn)圖2，定向裝置由蒸發(fā)器1、玻璃漏斗4和漏斗托架3組成。蒸發(fā)器1呈橢球殼狀，并具凹陷卡口22，中間開(kāi)孔；套于蒸發(fā)器1凹陷卡口22處的玻璃漏斗4是可拆卸的，并由漏斗托架3支撐，以方便鍍膜材料的裝填；鍍膜材料熔在蒸發(fā)器內(nèi)的鎢絲上。加熱時(shí)，氣化的膜材蒸汽經(jīng)由中間圓孔擴(kuò)散出，沿玻璃漏斗4到達(dá)基板14表面，淀積為薄膜。
這樣，由于蒸發(fā)器1提供了一種半封閉環(huán)境，膜材分子沿玻璃漏斗4定向的擴(kuò)散到基板14表面，避免了蒸汽分子散射造成的浪費(fèi)；又可防止在氣化時(shí)大顆粒的膜材熔融物飛濺到基板14上，影響薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，由于蒸發(fā)器1中的半封閉環(huán)境，還使得各部分蒸發(fā)出的氣體分子的溫度近似相同，從而使膜層與基板結(jié)合得更均勻，更致密。
實(shí)施例3本實(shí)用新型的膜厚控制裝置膜厚控制裝置由膜厚檢測(cè)裝置和擋板自動(dòng)控制裝置組成。
膜厚檢測(cè)裝置安裝在基板托架12上，由石英振蕩器式微量天平13加裝一個(gè)高靈敏度壓力傳感器37和控制電路而成。
擋板自動(dòng)控制裝置見(jiàn)圖3和圖4，由電磁鐵9、與其處在同一高度并固定于鐘罩外的永磁鐵10，和擋板部分組成。其中電磁鐵9安裝在活動(dòng)擋板轉(zhuǎn)動(dòng)柄28的末端，在擋板開(kāi)啟時(shí)，其線圈11正對(duì)著鐘罩外的永磁鐵10，且此時(shí)兩磁鐵的軸向近似在一直線上；同時(shí)，此線圈11通過(guò)控制電路與微量天平13中的高靈敏度壓力傳感器37相連。擋板部分包括擋板基座5、活動(dòng)擋板6、含滑槽25的轉(zhuǎn)動(dòng)柄28、彈簧A8和彈簧B7等組成。彈簧A8一端連接轉(zhuǎn)動(dòng)柄28，另一端連接固定在擋板基座5上的轉(zhuǎn)動(dòng)軸27處；彈簧B7兩端分別連接轉(zhuǎn)動(dòng)柄28與擋板基座5；彈簧B7的彈性系數(shù)kB大于彈簧A8的彈性系數(shù)kA；其中擋板基座5在圖3位置加裝卡座a 26和卡座b 24，并在中間開(kāi)設(shè)鍍膜孔29。
當(dāng)開(kāi)始鍍膜時(shí)，先將活動(dòng)擋板轉(zhuǎn)動(dòng)柄28置于卡座a 26處(如圖3—開(kāi)啟狀態(tài))。此時(shí)，將電鍵42閉合，電磁鐵線圈11中接通電流，使其產(chǎn)生的磁場(chǎng)與鐘罩外永磁鐵10產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向相同，即它們將相互吸引，彈簧A8處于輕微拉伸狀態(tài)；彈簧B7雖然處于高度壓縮狀態(tài)，但由于其位于轉(zhuǎn)動(dòng)柄28上的連接點(diǎn)36與活動(dòng)擋板6的轉(zhuǎn)動(dòng)軸27距離非常近，所以它對(duì)活動(dòng)擋板6的轉(zhuǎn)動(dòng)力矩接近于0，并完全被卡座a 26對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)柄28的轉(zhuǎn)動(dòng)力矩抵消，故活動(dòng)擋板6扣于卡座a 26處不動(dòng)，擋板處于穩(wěn)定開(kāi)啟狀態(tài)。當(dāng)達(dá)到實(shí)驗(yàn)所需膜厚時(shí)，即由石英振蕩器式微量天平13測(cè)定，并觸動(dòng)裝在上面的高靈敏度壓力傳感器37，將繼電器開(kāi)關(guān)38從導(dǎo)電接觸片39、40處，撥至與觸片40、41相接觸，從而使電磁鐵線圈11中電流反向。由于此時(shí)電磁鐵9與永磁鐵10相互間的排斥作用，使得轉(zhuǎn)動(dòng)柄28被推離卡座a 26，同時(shí)彈簧B7對(duì)活動(dòng)擋板6的轉(zhuǎn)動(dòng)力矩增大，而且由于彈簧B的彈性系數(shù)較大，故轉(zhuǎn)動(dòng)柄28瞬間被轉(zhuǎn)至卡座b 24處，活動(dòng)擋板6擋住了擋板基座5上的鍍膜孔29，擋板處于關(guān)閉狀態(tài)，鍍膜停止(如圖4—關(guān)閉狀態(tài))。
鍍膜完成后，可以用光學(xué)膜厚監(jiān)控儀對(duì)膜厚進(jìn)行更精密檢驗(yàn)。
見(jiàn)圖5，控制電路主要由線圈11、微量天平13、壓力傳感器37、繼電器開(kāi)關(guān)38、電鍵42、導(dǎo)電觸片39、40、41及電源等組成。
實(shí)施例4本實(shí)用新型的淀積速率控制裝置淀積速率控制裝置由上極板16、下極板23，外接直流高壓電源而成。上下極板分別位于加熱器17之上和蒸發(fā)器1之下。若蒸鍍的是金屬膜，因?yàn)橐话憬饘匐x子帶正電，所以上極板16加負(fù)偏壓，下極板23加正偏壓，極性標(biāo)示如圖2。在原有實(shí)驗(yàn)設(shè)備上，通過(guò)加一高壓變壓器，并經(jīng)硅整流器整流變?yōu)橹绷鞲邏汉笠胝婵帐?，加到上下極板上，這樣，金屬膜材蒸汽的離子化程度大大增高，而且在一定程度上使蒸發(fā)出的膜材蒸汽分子方向性更高，并加速淀積過(guò)程。通過(guò)控制與調(diào)節(jié)正負(fù)兩極間的電壓，即可控制與調(diào)節(jié)膜材淀積到基板上的速率快慢。
實(shí)施例5本實(shí)用新型的基板傳動(dòng)裝置見(jiàn)圖6和圖7，基板傳動(dòng)裝置主要由安裝于基板托架12上的小電動(dòng)機(jī)19、墊于基板14下的滑圈30、固定圈32、傳動(dòng)帶18和滾珠31組成，俯視圖見(jiàn)圖6，中心部分的縱截面如圖7。滑圈30為鋼制圓環(huán)狀，可以通過(guò)滾珠31繞基板托架12上固定圈32轉(zhuǎn)動(dòng)；而傳動(dòng)帶18的一端套在滑圈30上，另一端由小電動(dòng)機(jī)19帶動(dòng)而勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，從而使基板14在鍍膜時(shí)各個(gè)部分的膜層更加均勻。
實(shí)施例6本實(shí)用新型的基板溫控裝置基板溫控裝置由位于上極板16和基板14間的輔助電阻加熱器17構(gòu)成。通過(guò)調(diào)節(jié)電阻器中的電流大小，即可控制基板14表面的溫度，從而可以調(diào)節(jié)到適當(dāng)溫度使膜層與基板附著得更加緊密。
實(shí)施例7本實(shí)用新型的蒸發(fā)源與基板間距控制裝置見(jiàn)圖6，蒸發(fā)源與基板間距控制裝置可以由三對(duì)夾于基板托架12上下，并擰于三根支柱2上的扁平狀調(diào)高螺母21組成，其中三根支柱2上對(duì)應(yīng)的螺紋20僅刻于加熱器17所在高度與擋板基座5之間。擰緊這三對(duì)調(diào)高螺母21，即可固定基板托架12；而通過(guò)同時(shí)上下旋調(diào)這三對(duì)調(diào)高螺母21，即可控制基板托架12的高度，從而控制蒸發(fā)源與基板14的間距。其中調(diào)高螺母21做成比較寬的扁平狀，是為了盡可能保持整個(gè)擋板基座5處于水平位置。
權(quán)利要求1.一種有定向和自控制功能的真空鍍膜機(jī)，其結(jié)構(gòu)有放置在平臺(tái)(34)上的真空罩(15)、通過(guò)平臺(tái)(34)上的開(kāi)孔連接的真空泵(33)、置于真空罩(15)內(nèi)的支架(2)、置于支架(2)上端的帶有圓孔的基板托架(12)、置于真空罩(15)內(nèi)基板(14)下方的鎢絲(35)；真空泵(33)通過(guò)平臺(tái)(34)上的開(kāi)孔與平臺(tái)(34)和真空罩(15)構(gòu)成封閉的空間——真空室；其特征是，結(jié)構(gòu)還有定向裝置、膜厚控制裝置、淀積速率控制裝置和基板傳動(dòng)裝置；所說(shuō)的定向裝置由蒸發(fā)器(1)、玻璃漏斗(4)和漏斗托架(3)組成；蒸發(fā)器(1)呈橢球殼狀，中間開(kāi)孔，開(kāi)孔處具有凹陷卡口(22)；玻璃漏斗(4)由漏斗托架(3)支撐，其下端套于蒸發(fā)器1凹陷卡口(22)處，其上端靠近擋板基座(5)的下面與基板(14)相對(duì)；所說(shuō)的膜厚控制裝置由膜厚檢測(cè)裝置和擋板自動(dòng)控制裝置組成；膜厚檢測(cè)裝置安裝在基板托架(12)上，由微量天平(13)加裝壓力傳感器(37)和控制電路而成；擋板自動(dòng)控制裝置包括中心有鍍膜孔(29)的擋板基座(5)、其上安有卡座a(26)和卡座b(24)，帶轉(zhuǎn)動(dòng)柄(28)的活動(dòng)擋板(6)能蓋住擋板基座(5)上的鍍膜孔(29)、沿轉(zhuǎn)動(dòng)柄(28)軸向開(kāi)有滑槽(25)，擋板基座(5)上固定有轉(zhuǎn)動(dòng)軸(27)、滑槽(25)套在轉(zhuǎn)動(dòng)軸(27)上，彈簧B(7)一端固定在擋板基座(5)上，另一端連接點(diǎn)(36)固定在轉(zhuǎn)動(dòng)柄(28)靠近活動(dòng)擋板(6)和滑槽(25)的地方，彈簧A(8)一端固定在轉(zhuǎn)動(dòng)軸(27)上，另一端固定在轉(zhuǎn)動(dòng)柄(28)遠(yuǎn)離活動(dòng)擋板(6)的端頭，電磁鐵(9)安裝在轉(zhuǎn)動(dòng)柄(28)的端頭、且在在擋板開(kāi)啟時(shí)與其處在同一高度并固定于鐘罩外的永磁鐵(10)相對(duì)，電磁鐵(9)的線圈(11)通過(guò)控制電路與微量天平(13)中的壓力傳感器(37)相連；控制電路主要由線圈(11)、微量天平(13)、壓力傳感器(37)、繼電器開(kāi)關(guān)(38)、電鍵(42)、導(dǎo)電觸片(39、40、41)及電源組成；所說(shuō)的淀積速率控制裝置由固定于支架(2)上的上極板(16)和下極板(23)，及外接直流高壓電源構(gòu)成；上極板(16)水平放置于基板托架(12)之上，下極板(23)水平放置于蒸發(fā)器(1)之下；所說(shuō)的基板傳動(dòng)裝置由安裝于基板托架(12)上的電動(dòng)機(jī)(19)、墊于基板(14)下的滑圈(30)、固定圈(32)、傳動(dòng)帶(18)和滾珠(31)組成，固定圈(32)同心的固定在基板托架(12)上的圓孔外，滑圈(30)通過(guò)滾珠(31)同心的放置于固定圈(32)上，并能在電動(dòng)機(jī)(19)通過(guò)傳動(dòng)帶(18)帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)。
2.按照權(quán)利要求1所述的有定向和自控制功能的真空鍍膜機(jī)，其特征是，結(jié)構(gòu)還有基板溫控裝置；所說(shuō)的基板溫控裝置由位于上極板(16)和基板托架(12)間的加熱器(17)構(gòu)成。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的有定向和自控制功能的真空鍍膜機(jī)，其特征是，結(jié)構(gòu)還有蒸發(fā)源與基板間距控制裝置；所說(shuō)的蒸發(fā)源與基板間距控制裝置，由分別置于基板托架(12)上面和下面并擰于支架(2)上的調(diào)高螺母(21)組成，支架(2)上對(duì)應(yīng)的螺紋(20)僅刻于加熱器(17)所在高度與擋板基座(5)所在高度之間。
專利摘要本實(shí)用新型的有定向及自控制功能的真空鍍膜機(jī)屬改進(jìn)型的真空鍍膜裝置。其結(jié)構(gòu)有平臺(tái)34上的真空罩15、真空泵33、支架2、基板托架12、鎢絲35；加裝的定向裝置由蒸發(fā)器1、玻璃漏斗4和漏斗托架3組成；加裝的膜厚控制裝置由微量天平13、壓力傳感器37和控制電路組成；加裝的淀積速率控制裝置由上極板16和下極板23及直流高壓電源構(gòu)成。還加裝有加熱器17、基板傳動(dòng)裝置和蒸發(fā)源與基板間距控制裝置。本實(shí)用新型能避免蒸汽分子散射造成的浪費(fèi)，防止大顆粒熔融物影響薄膜的質(zhì)量；膜層與基板結(jié)合得更致密、膜層更均勻；能夠控制鍍膜的厚度；控制和加快淀積速率。本實(shí)用新型是在原設(shè)備基礎(chǔ)上的改進(jìn)，所以設(shè)備簡(jiǎn)單，投資較小。
文檔編號(hào)C23C14/54GK2743366SQ20042001252
公開(kāi)日2005年11月30日 申請(qǐng)日期2004年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月22日
發(fā)明者徐仁軍, 賀天民, 王魁香 申請(qǐng)人:吉林大學(xué)