本技術(shù)涉及超微晶帶材熱處理，尤其涉及一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置。

背景技術(shù)：

1、超微晶帶材是一種超薄磁性材料，厚度小于1mm，主要由磁性金屬和合金制品組成；超微晶帶材的熱處理可以增強材料的性能和穩(wěn)定性；一般來說，熱處理可以有效地提高材料的導(dǎo)電性和機械強度，同時還可以增強材料的耐磨性和耐腐蝕性，在熱處理過程中，超微晶帶材需要加熱到一定溫度并保持一段時間，以實現(xiàn)材料的均勻化和晶粒細(xì)化，這個過程可以通過控制加熱速度保溫時間和冷卻速度等參數(shù)來控制，在冷卻過程中，可以采用水淬、油淬或空冷等方式，以獲得不同的組織和性能，需要注意的是，熱處理過程中可能會產(chǎn)生變形和開裂等問題；

2、因此現(xiàn)有技術(shù)中采用多級的熱處理裝置完成超微晶帶材的穩(wěn)定處理，但是超微晶帶材在向熱處理箱內(nèi)進(jìn)給時，通過直線型的進(jìn)給路徑會造成發(fā)熱元件與超微晶帶材之間的接觸不夠全面，即熱處理范圍過小影響進(jìn)度，及連續(xù)的環(huán)繞式進(jìn)給路徑會造成帶材的正反面無法得到相同的溫度處理，導(dǎo)致超微晶帶材熱處理過程中的受熱不均勻現(xiàn)象；

3、針對上述的技術(shù)缺陷，現(xiàn)提出一種解決方案。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，去解決超微晶帶材在熱處理過程中采用直線型進(jìn)給路徑造成的熱處理范圍過小及采用連續(xù)環(huán)繞式進(jìn)給路徑造成帶材正反面無法得到相同的溫度處理的問題。

2、本實用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，包括前處理箱、全處理箱和后處理箱，所述前處理箱、全處理箱和后處理箱依次相間隔設(shè)置，且所述前處理箱和后處理箱的下端與全處理箱上端相對齊，所述前處理箱、全處理箱和后處理箱的內(nèi)部均安裝有熱處理機構(gòu)，所述熱處理機構(gòu)包括有傳輸輥和電磁加熱棒，所述傳輸輥分別設(shè)置于前處理箱和后處理箱的上端中部、全處理箱的下端中部，待處理帶材穿插至前處理箱、全處理箱和后處理箱內(nèi)且與傳輸輥相繞設(shè)。

3、優(yōu)選的，所述前處理箱、全處理箱和后處理箱對應(yīng)傳輸輥的內(nèi)底端安裝有安裝環(huán)，所述安裝環(huán)內(nèi)開設(shè)有多個插孔，所述安裝環(huán)對應(yīng)插孔的外端安裝有定位環(huán)。

4、優(yōu)選的，所述傳輸輥的后端安裝有插桿，所述插桿與插孔相匹配，所述插桿外螺紋安裝有螺紋環(huán)套，所述螺紋環(huán)套也與定位環(huán)相螺紋連接。

5、優(yōu)選的，所述前處理箱、全處理箱和后處理箱對應(yīng)繞設(shè)的帶材外側(cè)安裝有鎖緊栓，所述鎖緊栓與前處理箱、全處理箱和后處理箱相轉(zhuǎn)動連接，所述鎖緊栓的外端安裝有擺動桿，所述電磁加熱棒均勻分布至擺動桿的外側(cè)且與待處理帶材在豎直方向上相平行。

6、優(yōu)選的，所述前處理箱和后處理箱的下端與全處理箱上端兩側(cè)分別開設(shè)有穿孔一和穿孔二，帶材通過穿孔一并延伸至穿孔二內(nèi)。

7、優(yōu)選的，所述前處理箱、全處理箱和后處理箱的后側(cè)共同安裝有基板，所述基板對應(yīng)穿孔一和穿孔二的外側(cè)均安裝有導(dǎo)向輥，帶材通過導(dǎo)向輥、傳輸輥完成連續(xù)繞設(shè)。

8、本實用新型的有益效果：

9、(1)為了使帶材的同一側(cè)受到不同的溫度熱處理，通過連續(xù)設(shè)置的前處理箱、全處理箱及后處理箱，使得超微晶帶材經(jīng)過前處理箱完成一側(cè)的熱處理后，再經(jīng)過全處理箱完成另一側(cè)的熱處理，最后由后處理箱完成第一側(cè)的熱處理，達(dá)到全面的熱處理目的，且使金屬帶材能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)不斷地?zé)崽幚砹鞒蹋?/p>

10、(2)根據(jù)擺桿通過鎖緊栓完成轉(zhuǎn)動后，使得擺桿上的電磁加熱棒與進(jìn)給中的超微晶帶材的距離發(fā)生改變，且還能夠通過改變傳輸輥于安裝環(huán)內(nèi)的位置改變帶材的繞設(shè)位置，具體如下：首先將螺紋環(huán)套脫離定位環(huán)，再將插桿插設(shè)至不同的插孔內(nèi)，再使用螺紋環(huán)套與該插孔對應(yīng)的定位環(huán)完成套接，達(dá)到對傳輸輥的固定，且此時的傳輸輥與兩側(cè)內(nèi)壁之間的距離改變，結(jié)合上述，通過鎖緊栓轉(zhuǎn)動電磁加熱棒的位置，達(dá)到電磁加熱棒與進(jìn)給中的超微晶帶材的距離的改變，即非平行式的設(shè)置能夠改變超微晶帶材的某一位置在熱處理過程中得到連續(xù)式的按級升溫或降溫，使帶材正反面得到相同的溫度處理。

技術(shù)特征：

1.一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，包括前處理箱(2)、全處理箱(3)和后處理箱(4)，其特征在于，所述前處理箱(2)、全處理箱(3)和后處理箱(4)依次相間隔設(shè)置，且所述前處理箱(2)和后處理箱(4)的下端與全處理箱(3)上端相對齊，所述前處理箱(2)、全處理箱(3)和后處理箱(4)的內(nèi)部均安裝有熱處理機構(gòu)，所述熱處理機構(gòu)包括有傳輸輥(6)和電磁加熱棒(8)，所述傳輸輥(6)分別設(shè)置于前處理箱(2)和后處理箱(4)的上端中部、全處理箱(3)的下端中部，待處理帶材穿插至前處理箱(2)、全處理箱(3)和后處理箱(4)內(nèi)且與傳輸輥(6)相繞設(shè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，其特征在于，所述前處理箱(2)、全處理箱(3)和后處理箱(4)對應(yīng)傳輸輥(6)的內(nèi)底端安裝有安裝環(huán)(9)，所述安裝環(huán)(9)內(nèi)開設(shè)有多個插孔(10)，所述安裝環(huán)(9)對應(yīng)插孔(10)的外端安裝有定位環(huán)(11)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，其特征在于，所述傳輸輥(6)的后端安裝有插桿(12)，所述插桿(12)與插孔(10)相匹配，所述插桿(12)外螺紋安裝有螺紋環(huán)套(13)，所述螺紋環(huán)套(13)也與定位環(huán)(11)相螺紋連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，其特征在于，所述前處理箱(2)、全處理箱(3)和后處理箱(4)對應(yīng)繞設(shè)的帶材外側(cè)安裝有鎖緊栓(14)，所述鎖緊栓(14)與前處理箱(2)、全處理箱(3)和后處理箱(4)相轉(zhuǎn)動連接，所述鎖緊栓(14)的外端安裝有擺動桿(7)，所述電磁加熱棒(8)均勻分布至擺動桿(7)的外側(cè)且與待處理帶材在豎直方向上相平行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，其特征在于，所述前處理箱(2)和后處理箱(4)的下端與全處理箱(3)上端兩側(cè)分別開設(shè)有穿孔一(15)和穿孔二(16)，帶材通過穿孔一(15)并延伸至穿孔二(16)內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，其特征在于，所述前處理箱(2)、全處理箱(3)和后處理箱(4)的后側(cè)共同安裝有基板(1)，所述基板(1)對應(yīng)穿孔一(15)和穿孔二(16)的外側(cè)均安裝有導(dǎo)向輥(5)，帶材通過導(dǎo)向輥(5)、傳輸輥(6)完成連續(xù)繞設(shè)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于超微晶帶材熱處理技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種超微晶帶生產(chǎn)用多級熱處理裝置，用于解決超微晶帶材在熱處理過程中采用直線型進(jìn)給路徑造成的熱處理范圍過小，以及采用連續(xù)環(huán)繞式進(jìn)給路徑造成帶材正反面無法得到相同的溫度處理的技術(shù)問題；包括前處理箱、全處理箱和后處理箱，前處理箱、全處理箱和后處理箱依次相間隔設(shè)置，且前處理箱和后處理箱的下端與全處理箱上端相對齊；多級熱處理裝置能夠?qū)崿F(xiàn)超微晶帶材在生產(chǎn)過程中的連續(xù)式多級熱處理，并且以擺動式的受熱結(jié)合可調(diào)節(jié)的帶材受熱接觸面積的方式設(shè)置，其目的是：使超微晶帶材在某一位置熱處理過程中得到不同的溫度處理，提升整個帶材在熱處理過程中的全面性。

技術(shù)研發(fā)人員：王金武,徐玉川,陳鳳巧
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽迪維樂普非晶器材有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231221
技術(shù)公布日：2024/12/12