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一種卷繞式真空鍍膜設(shè)備的制作方法

文檔序號:40384358發(fā)布日期:2024-12-20 12:07閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,包括放卷室、收卷室、第一磁控鍍膜室、第一蒸鍍室、第二磁控鍍膜室、第二蒸鍍室、偏壓發(fā)生裝置和控制中心;相鄰兩室之間通過狹縫連通,使柔性薄膜可通過狹縫在各室之間走膜穿行;第一磁控鍍膜室、第二磁控鍍膜室、第一蒸鍍室和第二蒸鍍室中均依次布置有前調(diào)節(jié)輥、鍍膜輥和后調(diào)節(jié)輥;在第一磁控鍍膜室和第二磁控鍍膜室中,鍍膜輥的對側(cè)設(shè)置有磁控靶,磁控靶通過磁控濺射鍍膜在繞經(jīng)鍍膜輥的柔性薄膜上沉積致密的基礎(chǔ)膜層;在第一蒸鍍室和第二蒸鍍室中,鍍膜輥的下方設(shè)置有1個以上的蒸發(fā)源,蒸發(fā)源通過蒸發(fā)鍍膜在柔性薄膜的基礎(chǔ)膜層之上沉積增長膜層;基礎(chǔ)膜層和增長膜層合在一起構(gòu)成導(dǎo)電膜層;各鍍膜輥內(nèi)均通有冷卻液,在磁控濺射鍍膜和蒸發(fā)鍍膜時對柔性薄膜進(jìn)行冷卻;偏壓發(fā)生裝置使各鍍膜輥帶有偏壓,并使除第一磁控鍍膜室及第二磁控鍍膜室中的前調(diào)節(jié)輥之外的各前調(diào)節(jié)輥和后調(diào)節(jié)輥中的至少1個調(diào)節(jié)輥帶有偏壓作為偏壓調(diào)節(jié)輥,偏壓使柔性薄膜在繞經(jīng)鍍膜輥時與鍍膜輥的表面緊密貼合,以獲得更好的冷卻效果;在鍍膜輥的下游設(shè)置有傳感器,用于在線檢測柔性薄膜與鍍膜輥之間的貼合情況,并將反映貼合情況的傳感信號傳輸給控制中心;在各鍍膜輥的走膜下游側(cè)的對側(cè)均設(shè)置有輔助電場發(fā)生裝置,在柔性薄膜行至該下游側(cè)區(qū)域需要脫離鍍膜輥表面時,輔助電場發(fā)生裝置產(chǎn)生的輔助電場起輔助脫輥作用。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,在第一磁控鍍膜室和第一蒸鍍室中,在柔性薄膜的正面上分別沉積基礎(chǔ)膜層和增長膜層;在第二磁控鍍膜室和第二蒸鍍室中,在柔性薄膜的反面上分別沉積基礎(chǔ)膜層和增長膜層;各室中均設(shè)置有導(dǎo)向輥;柔性薄膜在繞經(jīng)第一蒸鍍室和第二磁控鍍膜室中的導(dǎo)向輥時實現(xiàn)翻面轉(zhuǎn)換。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,輔助電場發(fā)生裝置包括電場屏蔽殼和按矩陣方式排布的多個電場發(fā)生單元,控制中心對各電場發(fā)生單元進(jìn)行單獨控制;控制中心根據(jù)傳感信號對輔助電場的電場強度大小及分布進(jìn)行在線反饋控制。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,當(dāng)傳感器將檢測到的傳感信號傳輸給控制中心時,控制中心根據(jù)收到的傳感信號判斷柔性薄膜與鍍膜輥之間的貼合程度偏高或偏低,并向各電場發(fā)生單元發(fā)出控制指令,調(diào)整某些電場發(fā)生單元產(chǎn)生的電場強度,提高或降低輔助電場的電場強度,改變電場分布,使輔助電場對此貼合程度進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)整,對柔性薄膜脫離輥面形成有效的輔助脫輥作用。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,各鍍膜輥、偏壓調(diào)節(jié)輥的偏壓大小由控制中心根據(jù)傳感信號進(jìn)行單獨的在線反饋控制。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,當(dāng)控制中心根據(jù)收到的傳感信號判斷柔性薄膜需要提高或降低冷卻效果時,控制中心向偏壓發(fā)生裝置發(fā)出控制指令,提高或降低某個鍍膜輥及與該鍍膜輥相近的偏壓調(diào)節(jié)輥的偏壓,在線調(diào)整柔性薄膜與該鍍膜輥表面的貼合程度,使柔性薄膜獲得所需的、穩(wěn)定的冷卻效果。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,輔助電場為強度漸變電場,電場強度的漸變趨勢為沿柔性薄膜走膜方向逐漸增強。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,偏壓調(diào)節(jié)輥的偏壓極性與各鍍膜輥的偏壓極性相反;輔助電場的極性與鍍膜輥的偏壓極性相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,在第一磁控鍍膜室和第二磁控鍍膜室中,鍍膜輥對側(cè)設(shè)置的磁控靶為多個;在第一蒸鍍室和第二蒸鍍室中布置的鍍膜輥均為2個以上;導(dǎo)電膜層的厚度為0.3-2μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷繞式真空鍍膜設(shè)備,其特征在于,第二磁控鍍膜室和第二蒸鍍室中的鍍膜輥的表面外層還設(shè)置有導(dǎo)熱的電絕緣層,電絕緣層的成分為氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氧化硅、氧化鋯、樹脂中的一種。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種卷繞式真空鍍膜設(shè)備,包括第一、第二磁控鍍膜室和第一、第二蒸鍍室以及偏壓發(fā)生裝置。第一、第二磁控鍍膜室和第一、第二蒸鍍室中均依次布置有前調(diào)節(jié)輥、鍍膜輥和后調(diào)節(jié)輥。在磁控鍍膜室中,通過磁控濺射鍍膜在柔性薄膜上沉積致密的基礎(chǔ)膜層;在蒸鍍室中,通過蒸發(fā)鍍膜在基礎(chǔ)膜層之上沉積增長膜層。鍍膜輥內(nèi)通有冷卻液,對柔性薄膜進(jìn)行冷卻。偏壓發(fā)生裝置使鍍膜輥以及至少1個調(diào)節(jié)輥帶有偏壓,使柔性薄膜在繞經(jīng)鍍膜輥時與鍍膜輥的表面緊密貼合,以獲得更好的冷卻效果。在鍍膜輥的走膜下游側(cè)的對側(cè)均設(shè)置有輔助電場發(fā)生裝置,在柔性薄膜行至該下游側(cè)區(qū)域需要脫離鍍膜輥表面時,輔助電場發(fā)生裝置產(chǎn)生的輔助電場起輔助脫輥作用。

技術(shù)研發(fā)人員:陳樹雷,杜雪峰,陳正偉,李成林
受保護(hù)的技術(shù)使用者:泊肅葉科技(沈陽)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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