本實用新型涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種免停機拆洗真空管道的清洗系統(tǒng)以及化學氣相沉積設備。

背景技術：

平板顯示行業(yè)所采用的等離子體化學氣相沉積設備(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，通常用于制備含硅材料的膜層，如無定形硅a-Si，以及各種硅的化合物(SiO2、SixNy等)。如圖1所示，PECVD設備包括工藝腔1’和真空泵2’，工藝腔1’和真空泵2’通過真空管道3’相連接。然而，實際使用過程中，真空泵2’經(jīng)常卡死，以致PECVD設備頻繁性地停機，嚴重降低了生產(chǎn)效率。

經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，PECVD設備在使用一段時間后，真空管道3’內(nèi)會存在一些白色粉末狀沉積物，使得真空泵2’對工藝腔1’抽真空時，真空管道3’內(nèi)的沉積物進入真空泵2’，從而造成真空泵2’之轉(zhuǎn)子以及泵腔之間的間隙堵塞，卡死真空泵2’。

為了解決上述問題，慣用的做法是定期地拆卸真空管道并送外清洗。但是，此做法不僅繁瑣，而且設備停機時間長，維護成本高。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種清洗系統(tǒng)以及化學氣相沉積設備，在不需要拆卸真空管道，尤其是不停機的情況下，便可以完成對真空管道的清洗，以解決PECVD設備在維護過程中成本高、操作繁瑣、停機時間長等問題。

在一個實施例中，為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種用于真空管道清洗的清洗系統(tǒng)，所述清洗系統(tǒng)包括檢測裝置、離化裝置、抽吸裝置和開關裝置；

所述檢測裝置設置于所述真空管道上并用于檢測所述真空管道內(nèi)沉積物的含量；所述離化裝置連接所述真空管道并用于將能與所述沉積物反應的清潔物質(zhì)注入所述真空管道；所述抽吸裝置連接并用于抽吸所述真空管道；所述開關裝置設置于所述真空管道上并用于在沉積物的含量超過預設上限值時切斷所述真空管道。

優(yōu)選地，所述清洗系統(tǒng)還包括與所述檢測裝置、離化裝置、抽吸裝置以及開關裝置通訊連接的控制裝置，所述控制裝置用于控制所述開關裝置切斷所述真空管道，以及用于控制所述離化裝置和所述抽吸裝置開啟。

優(yōu)選地，所述真空管道包括并聯(lián)設置的多個真空管道單元，所述檢測裝置設置于至少一個真空管道單元上，所述離化裝置和抽吸裝置對應連接所述至少一個真空管道單元；其中，所述開關裝置用于切斷所述至少一個真空管道單元并實現(xiàn)剩余真空管道單元中至多一個真空管道單元的連接。

優(yōu)選地，所述清洗系統(tǒng)還包括與所述至少一個真空管道單元連接的清掃管道，通過所述清掃管道將清潔氣體注入所述至少一個真空管道單元。

優(yōu)選地，與所述至少一個真空管道單元連接的所述離化裝置為多個，所述抽吸裝置通過多個抽吸管路與所述至少一個真空管道單元連接。

優(yōu)選地，所述至少一個真空管道單元上設置有多個檢測裝置。

優(yōu)選地，所述清潔物質(zhì)為氟自由基，所述氟自由基與含硅元素的所述沉積物反應生成揮發(fā)性物質(zhì)。

進一步，本實用新型還提供了一種化學氣相沉積設備，包括沉積腔、真空管道以及真空泵，所述真空管道的一端連接所述沉積腔，另一端連接所述真空泵，且所述化學氣相沉積設備還包括上述任一項所述的清洗系統(tǒng)。

優(yōu)選地，所述化學氣相沉積設備之真空管道包括并聯(lián)設置的兩個真空管道單元。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的清洗系統(tǒng)以及化學氣相沉積設備，通過檢測裝置實時監(jiān)測真空管道內(nèi)沉積物的含量，一旦真空管道內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值，通過開啟離化裝置便可將能夠與沉積物發(fā)生反應的清潔物質(zhì)引入真空管道，另通過開啟抽吸裝置便可以抽出真空管道內(nèi)的反應物。如此一來，清洗真空管道時，免去了拆卸真空管道的麻煩，而且無需送外清洗，節(jié)省了清洗時間和清洗成本，特別地，由于本實用新型的清洗系統(tǒng)為在線清洗，故而可以縮短化學氣相沉積設備的停機時間，提高生產(chǎn)效率。

更特別地，本實用新型的真空管道包括并聯(lián)的多個真空管道單元，所述檢測裝置設置于至少一個真空管道單元上，也可以設置在不同的真空管道單元上，所述離化裝置和抽吸裝置可選擇性地連接至少一個真空管道單元。這樣，當至少一個真空管道單元內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值時，對應的真空管道單元便與化學氣相沉積設備斷開，并同時保證剩余真空管道單元中最多一個真空管道單元與化學氣相沉積設備連接，如此，可以實現(xiàn)對多個并聯(lián)的真空管道單元進行交替清洗的功能，從而一方面避免了因一個真空管道單元清洗而引起的化學氣相沉積設備停機問題，保證了清洗和生產(chǎn)可以同時作業(yè)，另一方面多個真空管道單元可以交替使用，提高了生產(chǎn)效率，降低了維護成本。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術中PECVD設備的結構框圖；

圖2是本實用新型實施例一的清洗系統(tǒng)與PECVD設備相連接的結構框圖；

圖3是本實用新型實施例二的清洗系統(tǒng)與PECVD設備相連接的結構框圖；

圖4是本實用新型實施例三的清洗系統(tǒng)與PECVD設備相連接的結構框圖。

圖2-4的附圖標記說明如下：

1-沉積腔；

2-真空管道；

21-主真空管道單元；22-輔助真空管道單元；

3-真空泵；

4-洗滌裝置；

110-檢測裝置；

120-離化裝置；

130-抽吸裝置；

140-控制裝置；

150-清掃管道；

160-抽吸管路；

S-沉積物傳感器；

V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12-閥門。

具體實施方式

以下結合附圖2至圖4和具體實施例對本實用新型提出的一種清洗系統(tǒng)以及化學氣相沉積設備作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

<實施例一>

參考圖2，其是本實用新型實施例一的清洗系統(tǒng)與PECVD設備相連接的結構框圖，本實施例的清洗系統(tǒng)適用于對生產(chǎn)設備中使用的真空管道進行在線清洗，該生產(chǎn)設備特別是等離子體化學氣相沉積設備(簡稱PECVD設備)。為了簡明起見，以下描述中以PECVD設備作為示意，對清洗系統(tǒng)在線清洗真空管道的結構和原理作詳細的說明，但不應以此作為對本實用新型的限定。

如圖2所示，所述PECVD設備包括沉積腔1、真空管道2和真空泵3，所述真空管道2的一端連接沉積腔1，所述真空管道2的另一端連接真空泵3。所述真空泵3用于對沉積腔1抽真空，而所述沉積腔1即為實施等離子化學氣相沉積工藝的反應室。本實施例的清洗系統(tǒng)包括檢測裝置110、離化裝置120、抽吸裝置130和開關裝置(圖中未示出)。

所述檢測裝置110設置于真空管道2上，用于檢測真空管道2內(nèi)沉積物的含量。

所述離化裝置120連接真空管道2(可選連接位置靠近沉積腔1)，用于將能夠與所述沉積物反應的清潔物質(zhì)注入真空管道2，以清除真空管道2內(nèi)的沉積物。

所述抽吸裝置130連接真空管道2(可選連接位置相較于離化裝置120遠離沉積腔1)，用于抽吸真空管道2，比如真空抽吸等，從而抽去真空管道2內(nèi)殘留的物質(zhì)(該殘留的物質(zhì)包括反應產(chǎn)物以及通入的清潔物質(zhì)等)。

所述開關裝置部分設置于真空管道2上，用于實現(xiàn)真空管道2的通斷。所述開關裝置在本實施例中為閥門，如電磁閥、單向閥、截止閥等。例如圖2中，所述開關裝置包括設置在鄰近真空泵3的輸入端的一個閥門V1、以及在鄰近沉積腔1的輸出端設置的另一個閥門V2，分別用于實現(xiàn)真空管道2與真空泵3和沉積腔1間的通斷。所述開關裝置還包括控制離化裝置120和抽吸裝置130的閥門。

在PECVD設備使用過程中，所述清洗系統(tǒng)10在線清洗真空管道2的原理如下：

首先，通過檢測裝置110實時檢測真空管道2內(nèi)沉積物(對應于等離子體化學氣相沉積工藝，該沉積物為含硅元素的化合物)的含量；一旦所述真空管道2內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值，通過所述開關裝置切斷真空管道2與真空泵3和沉積腔1之間的連接，隨后，分別開啟離化裝置120和抽吸裝置130；開啟后，通過離化裝置120輸出的清潔物質(zhì)來與真空管道2內(nèi)沉積物進行反應生成易揮發(fā)的物質(zhì)(如SiF4)，進而同步通過抽吸裝置130將真空管道2內(nèi)反應產(chǎn)生的物質(zhì)抽出管道外；最后，清洗完畢后，關閉離化裝置120和抽吸裝置130即可。

優(yōu)選方案中，所述清洗系統(tǒng)還包括控制裝置140，所述檢測裝置110、離化裝置120、抽吸裝置130和開關裝置均與控制裝置140通訊連接，用于實現(xiàn)控制裝置140對各個裝置的自動化調(diào)控，這樣可以實現(xiàn)真空管道的在線自動化清洗，提高清洗效率。具體地，所述控制裝置140在沉積物的含量超過所述預設上限值時，控制所述開關裝置切斷真空管道2，以及控制離化裝置120和抽吸裝置130開啟。

優(yōu)選地，清洗過程中，當所述檢測裝置110所檢測的沉積物的含量到達預設下限值時，所述控制裝置140控制離化裝置120關閉，更優(yōu)選地，延遲一定時間后，所述控制裝置140控制抽吸裝置130關閉。在此，所述預設上限值和下限值為人工設定的數(shù)據(jù)，其可以數(shù)據(jù)形式存儲于控制裝置140中。所述控制裝置140可采用現(xiàn)有的PLC等控制裝置，本領域技術人在本申請公開的內(nèi)容基礎上，應當知曉如何實現(xiàn)控制裝置與其他設備諸如檢測裝置110、離化裝置120、抽吸裝置130和開關裝置的通訊連接。例如，當所述檢測裝置110所檢測的沉積物的含量到達預設上限值時，所述控制裝置140發(fā)送一個高電平信號至開關裝置，當開關裝置接收到該高電平信號時，便開啟以切斷生產(chǎn)中的真空管道2，之后，所述控制裝置140接收到開關裝置的開啟信號后，便發(fā)送另一個高電平信號至離化裝置120和抽吸裝置130，當離化裝置120和抽吸裝置130接收到所述另一個高電平信號時，便開啟以對被切斷的真空管道2進行清洗。反之，當所述檢測裝置110所檢測的沉積物的含量到達預設下限值時，所述控制裝置140發(fā)送一個低電平信號至離化裝置120和抽吸裝置130，當離化裝置120和抽吸裝置130接收到該低電平信號時，便關閉以結束真空管道2的清洗動作。

更優(yōu)選地，所述清洗系統(tǒng)還包括與真空管道2連接的清掃管道150，以通過清掃管道150將清潔氣體注入真空管道2，這樣一方面可實現(xiàn)真空管道的破真空，另一方面便于管道內(nèi)壁附著的殘留物因失去真空吸附力而掉落，進而掉落的殘留物可通過抽吸裝置130排出。具體來說，清洗過程中，在離化裝置120關閉后，延遲一定時間關閉抽吸裝置130，之后，通過清掃管道150將清潔氣體注入真空管道2，優(yōu)選一定時間后切斷清掃管道150，隨后，再次開啟抽吸裝置130進行吹掃，如此清洗，可更徹底地清洗真空管道，提升真空管道的清洗效果，且還可多次重復這樣的操作。所述清潔氣體可選是氮氣或壓縮空氣。

如圖2所示，為了實現(xiàn)清掃管道150的通斷，所述清掃管道150上設置有一個閥門V3，當需要通入清潔氣體時，所述控制裝置140控制閥門V3開啟，以連接真空管道2和清掃管道150。所述清掃管道150的數(shù)量優(yōu)選與離化裝置120的數(shù)量相匹配，更優(yōu)選與離化裝置120并聯(lián)設置。

進一步，所述檢測裝置110優(yōu)選是沉積物傳感器S，其可響應于真空管道2內(nèi)已經(jīng)積累的沉積物的量。所述沉積物傳感器S的數(shù)量優(yōu)選為多個并間隔布置于真空管道2上。更進一步，當任意一個沉積物傳感器S所檢測的沉積物的含量超過所述預設上限值時，所述開關裝置便切斷真空管道2與真空泵3和沉積腔1之間的連接，且相應地，所述離化裝置120和抽吸裝置130隨之開啟。所述沉積物傳感器S的數(shù)量可選為2～3個，例如圖2所示的3個。

若所述真空管道2具有一個或多個彎道，由于彎道處容易積累更多的沉積物，因此，優(yōu)選于彎道處布置一個沉積物傳感器S。

本實施例中，所述離化裝置120為等離子體發(fā)生器，其能夠產(chǎn)生化學活性較強的氟自由基(F*)，以令氟自由基與含硅元素的沉積物(如SixNy、SiO2等)反應生產(chǎn)易揮的物質(zhì)(如SiF4)。在一個實施例中，將含氟化合物(如NF3)裝入離化裝置120，在離化裝置120中由含氟化合物形成氟自由基，氟自由基能與不需要的沉積物反應并由此形成揮發(fā)性物質(zhì)。例如，將三氟化氮(NF3)以及能形成氟自由基的自由基引發(fā)劑(如氬氣Ar)裝入離化裝置120，進而生成氟自由基，并將氟自由基遞送至真空管道2，從真空管道2除去反應的揮發(fā)性物質(zhì)。

可選地，所述離化裝置120具有兩個輸入端口和一個輸出端口，一個輸入端口用于裝入氟自由基引發(fā)劑，另一個輸入端口用于裝入含氟化合物，最后反應生成的氟自由基通過輸出端口輸出。

在一個優(yōu)選方案中，所述離化裝置120的數(shù)量為兩個并同時連接一根真空管道2，其中一個優(yōu)選鄰近真空管道2的一端設置，另一個優(yōu)選鄰近真空管道2的另一端設置，如此，通過正反向?qū)φ婵展艿?進行清潔，不僅清潔效率高，而且清潔效果好。

本實施例中，所述抽吸裝置130為真空泵，其易拆卸，且在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性高。當然，所述抽吸裝置130還可以是真空發(fā)生器，然而相比于真空泵，其所產(chǎn)生的真空度相對比較低，因此，在對真空度要求高的場合，優(yōu)選真空泵。

在一個較佳實施例中，所述抽吸裝置130通過多個抽吸管路160與真空管道2連接，每個抽吸管路160的一端連接真空管道2，另一端連接抽吸裝置130。具體地，每個抽吸管路160的另一端連接在一起后與抽吸裝置130的入口連接。通過多個抽吸管路160吹掃真空管道2，可以提高吹掃效率。如圖2所示，兩個抽吸管路160上分別設置有一個閥門V4、V5，用于控制對應抽吸管路的通斷。

在上述實施例中，所述抽吸裝置130連接真空管道2的位置，還可以是相交于離化裝置120連接真空管道2的位置遠離真空泵3。

本實施例中，鄰近離化裝置120的輸出端口處設置有一個閥門V6，用以控制離化裝置120與真空管道2的通斷。

較佳地，所述PECVD設備還包括與真空泵3的輸出端連接的洗滌裝置4，所述洗滌裝置4用于對真空泵3排出的尾氣進行無公害處理，如焚燒、化學、物理處理等，以避免工業(yè)尾氣污染環(huán)境。優(yōu)選地，所述抽吸裝置130的出口連接洗滌裝置4?？蛇x地，在抽吸裝置130和洗滌裝置4之間設置一個閥門V7，而且，在真空泵3和洗滌裝置4之間另設置一個閥門V8。

此外，沿著真空管道2的延伸方向還設置有加熱帶(未圖示)，以通過加熱帶產(chǎn)生的熱量避免雜質(zhì)附著于管道內(nèi)壁上，以確保真空管道的正常使用。另外，所述控制裝置140優(yōu)選包括報警模塊，當真空管道2內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值或預設下限值時，透過所述報警模塊發(fā)出預警，以提示是否實施清洗或結束清洗。所述報警模塊例如是蜂鳴器。

<實施例二>

本實施例中提供的清洗系統(tǒng)與實施例一基本相同，以下僅針對不同點進行描述。

參考圖3，其是本實用新型實施例二的清洗系統(tǒng)與PECVD設備相連接的結構框圖。本實施例的真空管道2包括并聯(lián)設置的多個真空管道單元，為了敘述方便，現(xiàn)以兩個真空管道單元作為例子來描述本實施例，但不應以此作為對本實用新型的限定。本實施例的清洗系統(tǒng)用于對至少一個真空管道單元進行在線清洗，且清洗時，確保未清洗的真空管道單元中，未清洗的真空管道單元與真空泵3和沉積腔1連接，以實現(xiàn)正常的生產(chǎn)作業(yè)，這樣的設置可以避免因清洗一根真空管道而引起的設備停機問題，保證了清洗和生產(chǎn)可以同時作業(yè)。

例如圖3所示的清洗系統(tǒng)用于對其中一個真空管道單元進行在線清洗，所述真空管道2包括并聯(lián)設置的主真空管道單元21和輔助真空管道單元22，所述輔助真空管道單元22的一端與主真空管道單元21的一端連接在一起后與沉積腔1連接，所述輔助真空管道單元22的另一端與主真空管道單元21的另一端連接在一起后與真空泵3連接。

在一個實施例中，一個或多個沉積物傳感器S僅設置于主真空管道單元21上，用于檢測主真空管道單元21內(nèi)沉積物的含量，相對應地，所述離化裝置120和抽吸裝置130均連接主真空管道單元21以對其進行清洗作業(yè)。當然，本實用新型在此僅是舉例說明，實際應用中，所述沉積物傳感器S也可僅設置于輔助真空管道單元22上，用于檢測輔助真空管道單元22內(nèi)沉積物的含量，同時離化裝置120和抽吸裝置130均連接輔助真空管道單元22，以對輔助真空管道單元22進行清洗。總之，所述沉積物傳感器S只要設置于其中一個真空管道單元上即可，而所述離化裝置120和抽吸裝置130，與檢測裝置110相對應地，連接同一個真空管道單元。

接著，以僅清洗主真空管道單元21來說，生產(chǎn)過程中，當所述主真空管道單元21內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值時，所述開關裝置通過閥門V9和V10切斷主真空管道單元21與真空泵3和沉積腔1之間的連接，并通過閥門V11和V12保證輔助真空管道單元22與真空泵3和沉積腔1之間的連接，進而所述離化裝置120和抽吸裝置130開啟后，便對主真空管道單元21進行清洗。清洗的方式具體可參閱實施例一，如正反同時清洗，通過多個抽吸管路160抽吸，以及通過清掃管道150注入清潔氣體至主真空管道單元21等，在此，不再詳細敘述。

進而，當主真空管道2清洗完畢后，便可控制閥門V11、V12開啟而切斷輔助真空管道單元22，進而控制閥門V9、V10閉合而連接主真空管道單元21與真空泵3以及沉積腔1，后續(xù)生產(chǎn)便可利用主真空管道單元21進行生產(chǎn)。

<實施例三>

本實施例中提供的清洗系統(tǒng)與實施例二基本相同，以下僅針對不同點進行描述。

如圖4所示，其是本實用新型實施例三的清洗系統(tǒng)與PECVD設備相連接的結構框圖，圖中以虛線指示各個裝置與控制裝置之間的通訊連接，上同。

本實施例的真空管道2包括并聯(lián)設置的多個真空管道單元，為了敘述方便，現(xiàn)以兩個真空管道單元作為例子來描述本實施例，但不應以此作為對本實用新型的限定。本實施例的清洗系統(tǒng)用于對其中一個真空管道單元進行在線清洗，且清洗時，確保未清洗的真空管道單元中，未清洗的真空管道單元與真空泵3和沉積腔1連接，以實現(xiàn)正常的生產(chǎn)作業(yè)，這樣的設置可以避免因清洗一根真空管道而引起的設備停機問題，保證了清洗和生產(chǎn)可以同時作業(yè)。

本實施例中的清洗系統(tǒng)用于對任意一個真空管道單元進行在線清洗，每個真空管道單元上設置有一個或多個沉積物傳感器S，用于對對應的真空管道單元內(nèi)沉積物的含量進行檢測，而且每個真空管道單元至少連接一個離化裝置120和一個抽吸管路160，那么，當任意一個真空管道單元內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值時，所述開關裝置便切斷該真空管道單元與真空泵3和沉積腔1之間的連接，與此同時，所述離化裝置120和抽吸裝置130開啟以對該真空管道進行清洗，這樣的做法可以實現(xiàn)對任意一個真空管道單元的清洗，使用更為方便，生產(chǎn)效率更高。

具體地，以兩個真空管道單元作為示意來描述和說明本實施例的清洗系統(tǒng)，即所述沉積物傳感器S既設置于主真空管道單元21上，又設置于輔助真空管道單元22上。此外，所述離化裝置120的數(shù)量在本實施例中與真空管道單元的數(shù)量相匹配，例如兩個，其中一個離化裝置120與主真空管道單元21連接，另一個離化裝置120與輔助真空管道單元22連接。另外，所述抽吸裝置130的抽吸管路160至少為兩個，其中一個抽吸管路160連接主真空管道單元21，另一個抽吸管路160連接輔助真空管道單元22。

根據(jù)圖4所揭示的，生產(chǎn)過程中，當沉積物傳感器S所檢測的主真空管道單元21內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值時，所述閥門V9、V10開啟以切斷主真空管道單元21與真空泵3和沉積腔1之間的連接，且所述閥門V4閉合以連接抽吸裝置130與主真空管道單元21，另所述閥門V5開啟以切斷輔助真空管道22與抽吸裝置130的連接，與此同時，所述閥門V11、V12閉合以實現(xiàn)輔助真空管道單元22與真空泵3和沉積腔1之間的連接(當然，此時，用于清洗輔助真空管道單元22的離化裝置120關閉)，如此，閉合閥門V6，并開啟用于清洗主真空管道單元21的離化裝置120，以及抽吸裝置130，便可實現(xiàn)對主真空管道單元21的清洗。這樣的設置，一方面借助于輔助真空管道單元22可實現(xiàn)正常的生產(chǎn)作業(yè)，另一方面通過離化裝置120和抽吸裝置130，可對主真空管道單元21實施清潔。

反之，當沉積物傳感器S所檢測的輔助真空管道單元22內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值時，所述閥門V11、V12開啟以切斷輔助真空管道單元22與真空泵3和沉積腔1之間的連接，并同時所述閥門V9、V10閉合以實現(xiàn)主真空管道單元21與真空泵3和沉積腔1之間的連接，另閥門V4開啟以切斷抽吸裝置130與主真空管道單元21的連接，而對應的閥門V5閉合以連接抽吸裝置130與輔助真空管道單元22，進而，閉合閥門V6，并開啟用于清洗輔助真空管道單元22的離化裝置120，以及抽吸裝置130，同樣可實現(xiàn)對輔助真空管道單元22的清洗。如此一來，一方面通過主真空管道單元21實現(xiàn)正常的生產(chǎn)作業(yè)，另一方面通過離化裝置120和抽吸裝置130對輔助真空管道單元22實施清潔。本實施例的清洗系統(tǒng)，在PECVD設備使用過程中，當其中任意一根真空管道實施清洗時，另有一根真空管道可正常使用，進而當該真空管道清洗完畢時便可重新投入使用，與此同時便可對之前使用的真空管道實施清洗，如此交替，可以較大提高真空管道的在線利用率，并且還可以較大提高生產(chǎn)效率。

清洗的方式具體可參閱實施例一，如正反同時清洗，通過多個抽吸管路160抽吸，以及通過清掃管道150注入清潔氣體至主真空管道單元21或者輔助真空管道單元22等，在此，不再詳細敘述。

在其他實施例中，所述離化裝置120的數(shù)量小于真空管道單元的數(shù)量，例如一個離化裝置120，一個離化裝置120可通過換向閥選擇性連接任意一個真空管道單元，如本實施例的主真空管道單元21或輔助真空管道單元22。具體地，當清洗主真空管道單元21時，所述換向閥控制離化裝置120與主真空管道單元21連接，并控制離化裝置120與輔助真空管道單元22斷開，而清洗輔助真空管道單元22時，所述換向閥控制離化裝置120與輔助真空管道單元22連接，并控制離化裝置120與主真空管道單元21斷開。

同理，還可通過另一換向閥控制一個抽吸裝置130選擇性連接主真空管道單元21或輔助真空管道單元22，即，當清洗主真空管道單元21時，所述另一換向閥控制抽吸裝置130與主真空管道單元21連接，并控制抽吸裝置130與輔助真空管道單元22斷開，而清洗輔助真空管道單元22時，所述另一換向閥控制抽吸裝置130與輔助真空管道單元22連接，并控制抽吸裝置130與主真空管道單元21斷開。優(yōu)選地，所述控制裝置140通訊連接所述換向閥，實現(xiàn)對換向閥的自動控制。

綜上，本實用新型較佳實施例如上所述，但并不局限于上述實施例所公開的范圍，例如閥門的數(shù)量以及位置，離化裝置以及抽吸管路的數(shù)量不限于兩個，再例如，并聯(lián)設置的真空管道單元的數(shù)量優(yōu)選為兩個，在滿足基本需求的前提下節(jié)省成本和空間。但是，實際使用過程中，真空管道單元的數(shù)量不限于兩個，若為兩個以上，一旦檢測裝置檢測到使用中的真空管道單元內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值，本申請的開關裝置便切斷該真空管道單元進行清洗，與此同時，在其余待用的真空管道單元中，選擇其中一個真空管道單元投入使用而繼續(xù)生產(chǎn)便可。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的清洗系統(tǒng)以及化學氣相沉積設備，通過檢測裝置實時監(jiān)測真空管道內(nèi)沉積物的含量，一旦真空管道內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值，通過開啟離化裝置便可將能夠與沉積物發(fā)生反應的清潔物質(zhì)引入真空管道，另通過開啟抽吸裝置便可以抽出真空管道內(nèi)的反應物。如此一來，清洗真空管道時，免去了拆卸真空管道的麻煩，而且無需送外清洗，節(jié)省了清洗時間和清洗成本，特別地，由于本實用新型的清洗系統(tǒng)為在線清洗，故而可以縮短化學氣相沉積設備的停機時間，提高生產(chǎn)效率。

更特別地，本實用新型的真空管道包括并聯(lián)的多個真空管道單元，所述檢測裝置設置于至少一個真空管道單元上，也可以設置在不同的真空管道單元上，所述離化裝置和抽吸裝置可選擇性地連接至少一個真空管道單元。這樣，當至少一個真空管道單元內(nèi)沉積物的含量超過預設上限值時，對應的真空管道單元便與化學氣相沉積設備斷開，并同時保證剩余真空管道單元中最多一個真空管道單元與化學氣相沉積設備連接，如此，可以實現(xiàn)對多個并聯(lián)的真空管道單元進行交替清洗的功能，從而一方面避免了因一個真空管道單元清洗而引起的化學氣相沉積設備停機問題，保證了清洗和生產(chǎn)可以同時作業(yè)，另一方面多個真空管道單元可以交替使用，提高了生產(chǎn)效率，降低了維護成本。

上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述，并非對本實用新型范圍的任何限定，本實用新型領域的普通技術人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權利要求書的保護范圍。