本發(fā)明涉及晶體硅電池片表面減反膜制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種改善pecvd鍍膜膜色的方法。
背景技術(shù)：
目前在晶體硅電池片表面制作的減反膜，普遍采用具有良好的減反射和表面鈍化作用的氮化硅膜。在太陽能電池生產(chǎn)工藝中，普遍采用pecvd(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的方式進(jìn)行鍍氮化硅膜，主要分為管式pecvd和板式pecvd。在管式pecvd的工藝制程中，石墨舟作為硅片的載體，硅片固定在石墨舟上也起到了電極作用，一片硅片通常通過三個定位柱卡點固定在石墨舟上。
石墨舟使用一定次數(shù)后，由于石墨舟表面鍍的氮化硅比較厚導(dǎo)致石墨舟的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能變差從而引起鍍膜色差等異常，這時需對石墨舟進(jìn)行酸洗去除石墨舟表面的氮化硅，然后水洗和烘干。對清洗好的石墨舟，由于石墨表面有一定的粗糙度會導(dǎo)致鍍膜不均勻，同時由于管式pecvd是直接式的pecvd，等離子體直接打在石墨舟片表面也會使石墨舟片的石墨粉脫落。因此清洗好的石墨舟在使用前需進(jìn)行預(yù)處理，就是在石墨舟表面鍍上一層一定厚度的氮化硅膜，使舟片表面平整，同時可以保護(hù)石墨舟，減少石墨粉掉落。
現(xiàn)有技術(shù)對于石墨舟的預(yù)處理方法普遍為空舟預(yù)處理，即將清洗好的石墨舟在空載的情況下直接進(jìn)行預(yù)處理，此方法存在以下問題：空舟預(yù)處理時，定位柱卡點處于暴露狀態(tài)，因此在預(yù)處理過程中，定位柱卡點及定位柱卡點與舟片的縫隙中會沉積氮化硅膜，導(dǎo)致在正常鍍膜工藝過程中，定位柱卡點與硅片之間的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性均受到影響，從而導(dǎo)致氮化硅膜沉積不均勻，造成鍍膜均勻性較差且石墨舟使用次數(shù)偏低。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種改善pecvd鍍膜膜色的方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
一種改善pecvd鍍膜膜色的方法，將石墨舟清洗好后進(jìn)行兩次飽和，包括以下步驟：
步驟1：對石墨舟舟片的定位柱卡點進(jìn)行保護(hù)，然后進(jìn)行第一次飽和；
步驟2：將步驟1中定位柱卡點的保護(hù)物取出，然后進(jìn)行第二次飽和。
優(yōu)選的，步驟1的具體步驟如下：先把石墨舟拆開，然后在兩片舟片的定位柱卡點對應(yīng)位置裝上陶瓷粒，最后把石墨舟組裝好，進(jìn)行第一次飽和。
優(yōu)選的，步驟2的具體步驟如下：把石墨舟兩側(cè)的螺絲擰松，晃動舟頁把定位柱卡點處的陶瓷粒取出來，擰緊石墨舟兩側(cè)的螺絲并校準(zhǔn)，然后進(jìn)行第二次飽和。
優(yōu)選的，步驟1的第一次飽和完成后，待石墨舟冷卻后，再進(jìn)行步驟2。
優(yōu)選的，步驟1和步驟2的兩次飽和工藝的沉積時間之和與原有一次飽和工藝的沉積時間相同。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：
本發(fā)明既保證了石墨舟的飽和度，又盡可能少的在定位柱卡點上沉積氮化硅，使定位柱卡點與硅片之間的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性受到的影響相對較少，增加石墨舟的使用次數(shù)，從而使氮化硅膜沉積更均勻，減輕鍍膜的色差。
具體實施方式
下面將對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：
一種改善pecvd鍍膜膜色的方法，對使用多次的石墨舟進(jìn)行酸洗去除石墨舟表面的氮化硅，然后水洗、烘干，將石墨舟清洗好后進(jìn)行兩次飽和，包括以下步驟：
步驟1：對石墨舟舟片的定位柱卡點進(jìn)行保護(hù)，然后進(jìn)行第一次飽和；
先把石墨舟拆開，然后在兩片舟片的定位柱卡點對應(yīng)位置裝上陶瓷粒，最后把石墨舟組裝好，進(jìn)行第一次飽和，第一次飽和時由于定位柱卡點處被陶瓷粒保護(hù)起來，定位柱卡點及定位柱卡點與舟片的縫隙中基本上沒有沉積氮化硅。
步驟1的第一次飽和完成后，待石墨舟完全冷卻后，再進(jìn)行步驟2。
步驟2：將步驟1中定位柱卡點的保護(hù)物取出，然后進(jìn)行第二次飽和；
把石墨舟兩側(cè)的螺絲擰松，晃動舟頁把定位柱卡點處的陶瓷粒取出來，擰緊石墨舟兩側(cè)的螺絲并校準(zhǔn)，然后進(jìn)行第二次飽和，第二次飽和就是為了在定位柱卡點上沉積一定厚度的氮化硅，在保證硅片卡點印正常時盡可能少地在定位柱卡點上沉積氮化硅。
所以如果沒有進(jìn)行第二次飽和，因為定位柱卡點上沒有沉積氮化硅，在做正常工藝時定位柱上會較快地沉積氮化硅，會導(dǎo)致硅片與定位柱卡點接觸處鍍膜較慢，最終導(dǎo)致硅片卡點印偏大。
且步驟1和步驟2的兩次飽和工藝的沉積時間之和與原有一次飽和工藝的沉積時間相同，相同的時間下，飽和效果更好，大大提高定位柱卡點與硅片之間的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。
本發(fā)明既保證了石墨舟的飽和度，又盡可能少的在定位柱卡點上沉積氮化硅，使定位柱卡點與硅片之間的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性受到的影響相對較少，從而使氮化硅膜沉積更均勻，石墨舟使用次數(shù)更多。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。