本發(fā)明的實(shí)施例涉及噴頭。

背景技術(shù)：

在一些半導(dǎo)體工藝期間，通過沉積來處理襯底或晶圓。例如，在等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(pecvd)或等離子體增強(qiáng)原子層沉積(peald)中，處理氣體被允許進(jìn)入保持在減小的壓力下的反應(yīng)室內(nèi)，并且對(duì)腔室施加射頻(rf)的振動(dòng)電能以將氣體激發(fā)成等離子體。該氣體與暴露于等離子體的襯底或晶圓的表面反應(yīng)以在晶圓上形成源自處理氣體的組分的膜。期望形成在晶圓或襯底上的膜具有良好的均勻性。因此，用于半導(dǎo)體工藝的半導(dǎo)體裝置必須設(shè)計(jì)為確保沉積在晶圓或襯底上的膜的良好的均勻性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種噴頭，所述噴頭配置為安裝在處理室之上并且將處理氣體提供在所述處理室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓上，所述噴頭包括：供氣腔；花盤，設(shè)置在所述供氣腔的一側(cè)處以用于提供從所述供氣腔流至所述半導(dǎo)體晶圓的所述處理氣體；以及電極板組件，設(shè)置在氣體源和所述供氣腔之間以用于將所述處理氣體從所述氣體源提供至所述供氣腔，所述電極板組件包括：第一板，具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第一氣孔；和第二板，具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第二氣孔，其中，所述第二板位于所述第一板和所述供氣腔之間并且與所述第一板分離，所述多個(gè)第二氣孔與所述多個(gè)第一氣孔部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體處理裝置，包括：處理室；襯底支撐件，配置為支撐設(shè)置在所述處理室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓；以及噴頭，配置為安裝在所述處理室上以用于將處理氣體提供在所述半導(dǎo)體晶圓上，所述噴頭包括：

供氣腔；

花盤，設(shè)置在所述供氣腔的一側(cè)處以用于提供從所述供氣腔流至所述半導(dǎo)體晶圓的所述處理氣體；和電極板組件，設(shè)置在氣體源和所述供氣腔之間以用于將所述處理氣體從所述氣體源提供至所述供氣腔，所述電極板組件包括：第一板，具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第一氣孔；和第二板，具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第二氣孔，其中，所述第二板位于所述第一板和所述供氣腔之間并且與所述第一板分離，并且所述多個(gè)第二氣孔與所述多個(gè)第一氣孔部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體工藝，包括：將半導(dǎo)體晶圓定位在處理室中；以及通過噴頭將處理氣體提供在所述處理室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓上，所述噴頭包括：供氣腔；花盤，設(shè)置在所述供氣腔的一側(cè)處以用于提供從所述供氣腔流至所述半導(dǎo)體晶圓的所述處理氣體；和電極板組件，設(shè)置在氣體源和所述供氣腔之間以用于將所述處理氣體從所述氣體源提供至所述供氣腔，所述電極板組件包括：第一板，具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第一氣孔；和第二板，具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第二氣孔，所述第二板位于所述第一板和所述供氣腔之間并且與所述第一板分離；以及通過使所述第二板相對(duì)于所述第一板偏移以使所述多個(gè)第二氣孔與所述多個(gè)第一氣孔部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)來調(diào)節(jié)所述處理氣體。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體處理裝置的示意性截面圖。

圖2是圖1的半導(dǎo)體處理裝置的電極板組件的示意性部分頂視圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示出半導(dǎo)體工藝的流程圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的示出半導(dǎo)體工藝的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗Ｏ旅婷枋隽私M件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對(duì)術(shù)語，以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而本文使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體處理裝置的示意性截面圖。參照?qǐng)D1，半導(dǎo)體處理裝置100包括處理室110、襯底支撐件120和噴頭130。襯底支撐件120設(shè)置在處理室110內(nèi)并且配置為支撐半導(dǎo)體晶圓122。噴頭130配置為安裝在處理室110上并且在處理室110內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓122上提供處理氣體。噴頭130包括供氣腔132、花盤134和電極板組件136。花盤134設(shè)置在供氣腔132的一側(cè)處以用于提供從供氣腔132流至半導(dǎo)體晶圓122的處理氣體。電極板組件136設(shè)置在氣體源140和供氣腔132之間以用于將來自氣體源140的處理氣體提供至供氣腔132。電極板組件136包括第一板152和第二板154。第一板152具有一體化結(jié)構(gòu)并且包括多個(gè)第一氣孔152a。第二板154具有一體化結(jié)構(gòu)并且包括多個(gè)第二氣孔154a。第二板154位于第一板152和供氣腔132之間并且與第一板152分離。第二氣孔154a與第一氣孔152a部分地重疊但是與第一氣孔152a未對(duì)準(zhǔn)。

在一些實(shí)施例中，花盤134和襯底支撐件120限定用于在其中設(shè)置半導(dǎo)體晶圓122的處理室110。即，半導(dǎo)體晶圓122設(shè)置在由花盤134和襯底支撐件120限定的處理室110中以在處理室110中進(jìn)行處理。因此，處理室110是處理氣體流入并且處理半導(dǎo)體晶圓122的區(qū)域或氣體室。

在一些實(shí)施例中，第一氣孔152a與第二氣孔154a布置成相同的圖案。即，第一板152上的第一氣孔152a的圖案與第二板154上的第二氣孔154a的圖案相同。此外，每個(gè)第一氣孔152a與每個(gè)第二氣孔154a具有相同的尺寸。即，第一板152和第二板154彼此相同，并且相應(yīng)的第一板152和第二板154的第一氣孔152a與第二氣孔154a也彼此相同并且相同地定位。因此，第一板152和第二板154相對(duì)于彼此偏移，從而使得第一氣孔152a與第二氣孔154a部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)。然而，本發(fā)明不限于此。第一氣孔152a與第二氣孔154a不必以相同的方式布置并且不必具有相同的尺寸以部分地重疊并且彼此未對(duì)準(zhǔn)。此外，第一板152和第二板154不必彼此相同，而是可以根據(jù)用戶需求進(jìn)行不同的設(shè)計(jì)。用戶可以設(shè)計(jì)第一板152和第二板154以及第一氣孔152a與第二氣孔154a，從而使得它們部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)，而不必使它們?nèi)勘舜讼嗤?/p>

在一些實(shí)施例中，噴頭130還包括設(shè)置在氣體源140和電極板組件136之間的氣體分布歧管組件160以用于將處理氣體供應(yīng)至第一板152的第一氣孔152a。即，將處理氣體從氣體源140供應(yīng)至氣體分布歧管組件160。然后處理氣體流過氣體分布歧管組件160至電極板組件136的第一板152。然后處理氣體流過第一板152的第一氣孔152a至與第一氣孔152a部分地重疊的第二氣孔154a，并且流出第二板154的第二氣孔154a至供氣腔132。

在一些實(shí)施例中，氣體分布歧管組件160包括第一氣體板162、第二氣體板164、第三氣體板166和頂部接地板168。在一些實(shí)施例中，第一氣體板162、第二氣體板164和第三氣體板166的材料是陶瓷。然而，本發(fā)明不限于此?？梢愿鶕?jù)用戶調(diào)整第一氣體板162、第二氣體板164和第三氣體板166的材料。在一些實(shí)施例中，噴頭130包括頂板170。來自氣體源140的處理氣體從頂板170中的至少一個(gè)開口供應(yīng)至噴頭130(如從氣體源140的箭頭所示)。隨著處理氣體流入頂板170中的至少一個(gè)開口，處理氣體流入氣體分布歧管組件160。第一氣體板162、第二氣體板164、第三氣體板166和頂部接地板168的每個(gè)包括多個(gè)開口。開口可以彼此對(duì)準(zhǔn)或未對(duì)準(zhǔn)，并且可以根據(jù)用戶需求調(diào)整第一氣體板162、第二氣體板164、第三氣體板166和頂部接地板168的每個(gè)相對(duì)于彼此的位置的配置。此外，也可以根據(jù)用戶需求調(diào)整第一氣體板162、第二氣體板164、第三氣體板166和頂部接地板168的每個(gè)的開口的位置、形狀和尺寸的配置。在一些實(shí)施例中，處理氣體流入氣體分布歧管組件160并且流過頂部接地板168、第一氣體板162、第二氣體板164和第三氣體板166的開口。然后處理氣體離開氣體分布歧管組件160以流至電極板組件136。第一氣體板162、第二氣體板164和第三氣體板166的順序不限于圖1中所示的順序。第一氣體板162、第二氣體板164和第三氣體板166可以以用戶所期望的任何順序布置在氣體分布歧管組件160內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，對(duì)第一板152和第二板154的至少一個(gè)供電，并且花盤134接地以電離處理氣體并且在供氣腔132中形成電離氣體等離子體。在一些實(shí)施例中，第一板152與射頻(rf)電源142連接。然而，在其他實(shí)施例中，第二板154與射頻(rf)電源142連接。即，rf電源142連接至噴頭130的電極板組件136，并且與噴頭130的接地花盤134作用以形成處理氣體的電離等離子體并且流至供氣腔132。取決于設(shè)計(jì)，第一板152可以設(shè)置在第二板154上。在這種情況下，第一板152與rf電源142連接。類似地，如果第二板154設(shè)置在第一板152上，則第二板154與rf電源142連接。本發(fā)明不限制是第一板152還是第二板154連接至rf電源142，只要rf電源142連接至電極板組件136以給第一板152或第二板154供電。在一些實(shí)施例中，第一板152和第二板154均可以連接至rf電源142，并且第一板152和第二板154均由rf電源142供電。

在一些實(shí)施例中，例如，從氣體源140供應(yīng)的處理氣體可以是氮化硅、二氧化硅、氮?dú)?、氫氣或在沉積工藝中的任何合適的處理氣體。沉積工藝可以是化學(xué)汽相沉積工藝或原子層沉積工藝或用于處理半導(dǎo)體晶圓122的任何合適的沉積工藝。然而，本發(fā)明不限于此。處理氣體可以是用于用戶所期望的任何合適的半導(dǎo)體工藝的任何合適的處理氣體。此外，處理氣體可以提供有電離氣體等離子體以激活成等離子體。此外，半導(dǎo)體處理裝置100不限于僅供應(yīng)處理氣體。例如，半導(dǎo)體處理裝置100也可以供應(yīng)清潔氣體以在用戶期望時(shí)清潔噴頭130和處理室110。例如，半導(dǎo)體處理裝置100也可以供應(yīng)凈化氣體以在用戶期望時(shí)進(jìn)行凈化工藝。本發(fā)明不限制供應(yīng)至半導(dǎo)體處理裝置100的氣體的類型。

在一些實(shí)施例中，如上所述，處理氣體從氣體分布歧管組件160流至電極板組件136。由于電極板組件136連接至rf電源142并且花盤134接地，處理氣體電離以形成電離等離子體。即，連接至電極板組件136的rf電源142和接地的花盤134產(chǎn)生rf(射頻)場(chǎng)。由偏壓電極板組件136產(chǎn)生的rf場(chǎng)激發(fā)處理氣體，從而產(chǎn)生等離子體并且流至供氣腔132中。在圖1中，第一板152連接至rf電源142。然而，如上所述，第二板154或第二板154和第一板152兩者可以連接至rf電源142。

在一些實(shí)施例中，襯底支撐件120是旋轉(zhuǎn)襯托器。即，襯底支撐件120旋轉(zhuǎn)并且支撐半導(dǎo)體晶圓122。襯底支撐件120與半導(dǎo)體晶圓122旋轉(zhuǎn)以產(chǎn)生在半導(dǎo)體晶圓122的方向上的向下抽吸作用。旋轉(zhuǎn)襯托器120或襯底支撐件120的向下抽吸作用吸引等離子體從供氣腔132朝向半導(dǎo)體晶圓122的表面流出花盤134的開口。在半導(dǎo)體晶圓122的表面處，等離子體從半導(dǎo)體晶圓122的中心以基本均勻的層流圖案向外徑向流動(dòng)以形成沉積在處理室110中的半導(dǎo)體晶圓122的表面上的薄膜層。

在一些實(shí)施例中，電極板組件136是可調(diào)節(jié)電極板組件136。如圖2所示，圖2是圖1的半導(dǎo)體處理裝置的電極板組件的示意性部分頂視圖。在一些實(shí)施例中，第一板152具有一體化結(jié)構(gòu)。即，第一板152制造為單件。此外，第二板154具有一體化結(jié)構(gòu)。類似地，第二板154也制造為單件。第一板152和第二板154的每個(gè)均制造為單件，并且具有一體化結(jié)構(gòu)。第二板154位于第一板152和供氣腔132之間并且與第一板152分離。如圖1和圖2所示，以這種方式，第一板152和第二板154可以相對(duì)于彼此偏移。結(jié)果，第一氣孔152a和第二氣孔154a部分地重疊但是彼此未對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，如圖1和圖2所示，例如，第一板152位于第二板154上，從而使得第一氣孔152a位于第二氣孔154a之上。為了使第一氣孔152a和第二氣孔154a未對(duì)準(zhǔn)，第一板152和第二板154相對(duì)于彼此偏移，從而使得它們未對(duì)準(zhǔn)。由于第一氣孔152a和第二氣孔154a部分地重疊，處理氣體仍可以流至供氣腔132。由于第一氣孔152a和第二氣孔154a彼此未對(duì)準(zhǔn)，由rf場(chǎng)形成的等離子體的密度可以更高，并且等離子體的流速可以更低。因?yàn)榈谝话?52和第二板154可以相對(duì)于圖2中的偏移更多或更少地偏移，所以電極板組件136是可調(diào)節(jié)的。即，圖2中所示的第一板152和第二板154之間的偏移僅是示例性的，并且用戶可以使第一板152和第二板154相對(duì)于彼此更多或更少地偏移以獲得期望的結(jié)果。例如，如果用戶可以調(diào)整等離子體密度或等離子體或處理氣體的流速，則可以調(diào)節(jié)或調(diào)整第一板152和第二板154之間的偏移。因此，可通過使第一板152和第二板154相對(duì)于彼此偏移來調(diào)節(jié)電極板組件136。根據(jù)用戶需要，通過使第一板152和第二板154相對(duì)于彼此偏移，也可以調(diào)節(jié)或調(diào)整第一氣孔152a和之上的第二氣孔154a重疊和未對(duì)準(zhǔn)的程度。

在一些實(shí)施例中，如上所述，因?yàn)榈谝话?52和第二板154可以相對(duì)于彼此偏移，所以噴頭130的電極板組件136是可調(diào)節(jié)的。隨著處理氣體流過氣體分布歧管組件160并且然后流過可調(diào)節(jié)電極板組件136，激發(fā)成等離子體的處理氣體流至供氣腔132。可以通過調(diào)節(jié)電極板組件136確定等離子體性質(zhì)。然后等離子體流出花盤134并且流至處理室110中的半導(dǎo)體晶圓122上。通過調(diào)整等離子體的性質(zhì)，沉積在處理室110中的半導(dǎo)體晶圓122上的薄膜可以具有更好的均勻性。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示出半導(dǎo)體工藝的流程圖?？梢酝ㄟ^圖1和圖2中描述的半導(dǎo)體處理裝置100實(shí)施半導(dǎo)體工藝。在半導(dǎo)體工藝中，工藝包括將半導(dǎo)體晶圓122定位在處理室110中(步驟s102)。半導(dǎo)體晶圓122定位在襯底支撐件120上，襯底支撐件120也可以是旋轉(zhuǎn)襯托器。半導(dǎo)體工藝還包括提供處理氣體，處理氣體通過噴頭130至處理室110內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓122上(步驟s104)。即，噴頭130將處理氣體提供到處理室110中的半導(dǎo)體晶圓122上。噴頭130的描述可以參考以上實(shí)施例，并且在此將不再重復(fù)。半導(dǎo)體工藝還包括通過使第二板154相對(duì)于第一板152偏移以使第二氣孔154a與第一氣孔152a部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)來調(diào)節(jié)處理氣體(步驟s106)。在半導(dǎo)體工藝中，處理氣體提供有電離氣體等離子體。即，處理氣體可以具有電離氣體等離子體以激發(fā)成等離子體。在一些實(shí)施例中，對(duì)第一板152和第二板154的至少一個(gè)供電，并且花盤134接地以電離處理氣體并且在供氣腔132中形成電離氣體等離子體。步驟s102、s104和s106不限于以以上描述的特定順序?qū)嵤２襟Es102、s104和s106可以以任何順序?qū)嵤⑶胰绻脩羝谕蛐枰?，有時(shí)可以實(shí)施其中一些。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的示出半導(dǎo)體工藝的流程圖。可以通過圖1和圖2中描述的半導(dǎo)體處理裝置100實(shí)施半導(dǎo)體工藝。圖4的步驟s202、s204和s206與圖3的步驟s102、s104和s106相同，并且在此將不重復(fù)詳細(xì)描述。半導(dǎo)體工藝還包括在半導(dǎo)體晶圓122上沉積半導(dǎo)體材料薄膜(步驟s208)。半導(dǎo)體材料薄膜是源自處理氣體的組分。通過從供氣腔132流出花盤并且流至半導(dǎo)體晶圓122上的等離子體沉積半導(dǎo)體材料薄膜。半導(dǎo)體工藝還包括在將處理氣體提供在半導(dǎo)體晶圓122上時(shí)旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶圓122(步驟s210)。即，半導(dǎo)體晶圓122位于襯底支撐件120上，并且襯底支撐件120可以是適合于旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)襯托器。旋轉(zhuǎn)襯托器的詳細(xì)描述可以參考以上實(shí)施例，并且在此將不再重復(fù)。步驟s202、s204、s206、s208和s210不限于以以上描述的特定順序?qū)嵤?。步驟s202、s204、s206、s208和s210可以以任何順序?qū)嵤?，并且如果用戶期望或需要，有時(shí)可以實(shí)施其中一些。

根據(jù)一些實(shí)施例，噴頭配置為安裝在處理室上并且將處理氣體提供在處理室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓上。噴頭包括供氣腔、花盤和電極板組件?；ūP設(shè)置在供氣腔的一側(cè)處以用于提供從供氣腔流至半導(dǎo)體晶圓的處理氣體。電極板組件設(shè)置在氣體源和供氣腔之間以用于將處理氣體從氣體源提供至供氣腔。電極板組件包括具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第一氣孔的第一板以及具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第二氣孔的第二板。第二板位于第一板和供氣腔之間并且與第一板分離。多個(gè)第二氣孔與多個(gè)第一氣孔部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)。

在上述噴頭中，還包括：氣體分布歧管組件，設(shè)置在所述氣體源和所述電極板組件之間以將所述處理氣體供應(yīng)至所述第一板的所述多個(gè)第一氣孔。

在上述噴頭中，其中，所述多個(gè)第一氣孔與所述多個(gè)第二氣孔布置為相同的圖案。

在上述噴頭中，其中，所述多個(gè)第一氣孔與所述多個(gè)第二氣孔布置為相同的圖案，所述多個(gè)第一氣孔的每個(gè)與所述多個(gè)第二氣孔的每個(gè)具有相同的尺寸。

在上述噴頭中，其中，對(duì)所述第一板和所述第二板的至少一個(gè)供電，并且所述花盤接地以電離所述處理氣體并且在所述供氣腔中形成電離氣體等離子體。

在上述噴頭中，其中，對(duì)所述第一板和所述第二板的至少一個(gè)供電，并且所述花盤接地以電離所述處理氣體并且在所述供氣腔中形成電離氣體等離子體，所述第一板與射頻(rf)電源連接。

在上述噴頭中，其中，對(duì)所述第一板和所述第二板的至少一個(gè)供電，并且所述花盤接地以電離所述處理氣體并且在所述供氣腔中形成電離氣體等離子體，所述第二板與射頻(rf)電源連接。

根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體處理裝置包括處理室、襯底支撐件和噴頭。襯底支撐件設(shè)置在處理室內(nèi)并且配置為支撐半導(dǎo)體晶圓。噴頭配置為安裝在處理室上以用于將處理氣體提供在半導(dǎo)體晶圓上。噴頭包括供氣腔、花盤和電極板組件?；ūP設(shè)置在供氣腔的一側(cè)處以用于提供從供氣腔流至半導(dǎo)體晶圓的處理氣體。電極板組件設(shè)置在氣體源和供氣腔之間以用于將處理氣體從氣體源提供至供氣腔。電極板組件包括具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第一氣孔的第一板以及具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第二氣孔的第二板。第二板位于第一板和供氣腔之間并且與第一板分離。多個(gè)第二氣孔與多個(gè)第一氣孔部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)。

在上述半導(dǎo)體處理裝置中，其中，所述噴頭還包括：氣體分布歧管組件，設(shè)置在所述氣體源和所述電極板組件之間以將所述處理氣體供應(yīng)至所述第一板的所述多個(gè)第一氣孔。

在上述半導(dǎo)體處理裝置中，其中，所述多個(gè)第一氣孔與所述多個(gè)第二氣孔布置為相同的圖案。

在上述半導(dǎo)體處理裝置中，其中，所述多個(gè)第一氣孔與所述多個(gè)第二氣孔布置為相同的圖案，所述多個(gè)第一氣孔的每個(gè)與所述多個(gè)第二氣孔的每個(gè)具有相同的尺寸。

在上述半導(dǎo)體處理裝置中，其中，對(duì)所述第一板和所述第二板的至少一個(gè)供電，并且所述花盤接地以電離所述處理氣體并且在所述供氣腔中形成電離氣體等離子體。

在上述半導(dǎo)體處理裝置中，其中，所述第一板與射頻(rf)電源連接。

在上述半導(dǎo)體處理裝置中，其中，所述第二板與射頻(rf)電源連接。

在上述半導(dǎo)體處理裝置中，其中，所述襯底支撐件是旋轉(zhuǎn)襯托器。

根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體工藝包括將半導(dǎo)體晶圓定位在處理室中。半導(dǎo)體工藝也包括通過噴頭將處理氣體提供在處理室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓上。噴頭包括供氣腔、花盤和電極板組件?；ūP設(shè)置在供氣腔的一側(cè)處以用于提供從供氣腔流至半導(dǎo)體晶圓的處理氣體。電極板組件設(shè)置在氣體源和供氣腔之間以用于將處理氣體從氣體源提供至供氣腔。電極板組件包括具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第一氣孔的第一板以及具有一體化結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)第二氣孔的第二板。第二板位于第一板和供氣腔之間并且與第一板分離。半導(dǎo)體工藝也包括通過使第二板相對(duì)于第一板偏移以使多個(gè)第二氣孔與多個(gè)第一氣孔部分地重疊但是未對(duì)準(zhǔn)來調(diào)節(jié)處理氣體。

在上述半導(dǎo)體工藝中，其中，所述處理氣體提供有電離氣體等離子體。

在上述半導(dǎo)體工藝中，其中，所述處理氣體提供有電離氣體等離子體，還包括在所述半導(dǎo)體晶圓上沉積半導(dǎo)體材料薄膜。

在上述半導(dǎo)體工藝中，其中，所述處理氣體提供有電離氣體等離子體，對(duì)所述第一板和所述第二板的至少一個(gè)供電，并且所述花盤接地以電離所述處理氣體并且在所述供氣腔中形成所述電離氣體等離子體。

在上述半導(dǎo)體工藝中，還包括在將處理氣體提供在所述半導(dǎo)體晶圓上時(shí)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶圓。

上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與本文所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。