技術(shù)編號(hào)：11768072
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及噴頭。背景技術(shù)在一些半導(dǎo)體工藝期間，通過(guò)沉積來(lái)處理襯底或晶圓。例如，在等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)或等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)中，處理氣體被允許進(jìn)入保持在減小的壓力下的反應(yīng)室內(nèi)，并且對(duì)腔室施加射頻(RF)的振動(dòng)電能以將氣體激發(fā)成等離子體。該氣體與暴露于等離子體的襯底或晶圓的表面反應(yīng)以在晶圓上形成源自處理氣體的組分的膜。期望形成在晶圓或襯底上的膜具有良好的均勻性。因此，用于半導(dǎo)體工藝的半導(dǎo)體裝置必須設(shè)計(jì)為確保沉積在晶圓或襯底上的膜的良好的均勻性。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。