本發(fā)明涉及顯示器制造工藝技術(shù)領域，尤其是指一種磁控濺射裝置、設備及磁控濺射方法。

背景技術(shù)：

磁控濺射是物理氣相沉積(physicalvapordeposition，pvd)的一種，一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多種材料，例如顯示器制造中的金屬薄膜沉積則正是采用磁控濺射工藝實現(xiàn)的其中一種實施例，采用該工藝具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點。

磁控濺射根據(jù)工藝上的不同包括多個種類，但通常工作原理為：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶材表面附近成螺旋狀運行，以增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率，所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶材的靶面從而使靶材發(fā)生濺射。

基于上述原理，在進行磁控濺射時需要使靶材處于均勻磁場環(huán)境下，現(xiàn)有技術(shù)均勻磁場的實現(xiàn)結(jié)構(gòu)原理如圖1所示，磁鐵1在靶材2的下方位置，在靶材2的相對兩個邊緣之間往復高速運動，產(chǎn)生均勻磁場。然而當磁鐵1運動到靶材2的其中一邊緣時，由于需要進行換向產(chǎn)生停滯，磁鐵停滯時，中心磁場弱、邊緣磁場強，因此相對于整個靶材2的靶面造成磁場分布不均。在此情況下隨著鍍膜時間的增長，會在磁鐵1停滯時所對應靶材2位置形成凹痕，如圖2所示，并隨著鍍膜時間的增長凹痕會逐漸加深，使該位置直至擊穿，造成整個靶材2使用壽命的結(jié)束，但靶材2的中間位置并未完全消耗，從而造成靶材2的利用率較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明技術(shù)方案的目的是提供一種磁控濺射裝置、設備及磁控濺射方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)磁控濺射過程所產(chǎn)生磁場作用下，靶材的邊緣位置相較于中間位置被提前消耗完，造成靶材利用率低的問題。

本發(fā)明提供一種磁控濺射裝置，其中，包括：

靶材承載部，配置為在其上承載靶材；

磁體承載部，配置為在其上承載磁體；

電場施加單元，配置為提供電場，所述靶材處于所述電場之內(nèi)；

驅(qū)動單元，配置為當所述電場施加單元呈電場打開狀態(tài)時，驅(qū)動所述磁體承載部運動，使所述磁體以預定路徑上的一定位位置作為起始位置和終點位置，沿所述預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動；

其中，在磁控濺射裝置工作過程中，所述驅(qū)動單元間隔預設個往復運動周期，向所述電場施加單元輸出關閉電場信號，調(diào)整所述定位位置。

優(yōu)選地，所述的磁控濺射裝置，其中，所述磁控濺射裝置還包括：

測距單元，配置為檢測所述磁體的位置，向所述驅(qū)動單元傳輸位置信息；

其中，所述驅(qū)動單元根據(jù)所述位置信息確定所述預定路徑上的所述定位位置，并驅(qū)動所述磁體移動至所述定位位置。

優(yōu)選地，所述的磁控濺射裝置，其中，所述測距單元設置于所述驅(qū)動單元或所述磁體承載部上。

優(yōu)選地，所述的磁控濺射裝置，其中，所述磁體在所述預定路徑的延伸方向上的寬度為l，所述驅(qū)動單元調(diào)整所述定位位置時，沿所述預定路徑調(diào)整的長度值為小于等于l。

優(yōu)選地，所述的磁控濺射裝置，其中，所述驅(qū)動單元包括：

驅(qū)動構(gòu)件，配置為為所述磁體的往復運動提供驅(qū)動力；

連接構(gòu)件，與所述驅(qū)動構(gòu)件和所述磁體承載部相連接。

優(yōu)選地，所述的磁控濺射裝置，其中，所述驅(qū)動構(gòu)件包括轉(zhuǎn)動電機；所述連接構(gòu)件包括滾珠絲杠，所述滾珠絲杠的螺桿與所述轉(zhuǎn)動電機連接，所述滾珠絲杠的螺母與所述磁體承載部相連接。

優(yōu)選地，所述的磁控濺射裝置，其中，所述磁控濺射裝置還包括：

沿所述預定路徑在不同位置設置的多個限位單元，多個所述限位單元中的其中一限位單元能夠被啟動用于確定所述定位位置。

優(yōu)選地，所述的磁控濺射裝置，其中，所述限位單元包括：

第一限位單元，配置為定位所述第一限定邊緣；

第二限位單元，配置為定位所述第二限定邊緣。

本發(fā)明實施例還提供一種磁控濺射設備，其中，包括反應腔室和設置在所述反應腔室內(nèi)的如上任一項所述的磁控濺射裝置。

本發(fā)明實施例還提供一種磁控濺射方法，其中，所述方法包括：

向磁控濺射設備的電場施加單元發(fā)出電場打開信號，并控制磁控濺射設備的磁體承載部運動，磁體以預定路徑上的第一定位位置作為起始位置和終點位置，沿預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動；

當監(jiān)測到所述磁體運動達到預設個往復運動周期時，向所述電場施加單元發(fā)出電場關閉指令，并控制所述磁體承載部帶動所述磁體移動至所述預定路徑上的第二定位位置；

向所述電場施加單元發(fā)出電場打開指令，并控制所述磁體承載部帶動所述磁體以所述第二定位位置作為起始位置和終點位置，沿所述預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動。

本發(fā)明的一個或多個實施例至少具有以下有益效果：

采用本發(fā)明所述磁控濺射裝置，驅(qū)動單元能夠在磁控濺射工作過程中，調(diào)整磁體沿預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動的起始位置和終點位置，并能夠根據(jù)磁體進行往復運動的運動周期，向電場施加單元輸出打開或關閉信號，使得磁控濺射工作過程中，磁體的可停滯位置向靶面的內(nèi)部移動，增加磁體相對于靶面上的每一位置的停滯機會，避免僅在邊緣位置停滯，造成邊緣位置的過度消耗，以達到延長靶材使用壽命的目的。

附圖說明

圖1為采用現(xiàn)有技術(shù)磁控濺射裝置進行磁控濺射的原理示意圖；

圖2為采用現(xiàn)有技術(shù)磁控濺射裝置進行磁控濺射時靶材形成凹痕的狀態(tài)示意圖；

圖3為本發(fā)明具體實施例所述磁控濺射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為用于說明預定路徑上一定位位置的示意圖；

圖5為用于說明預定路徑上不同定位位置的示意圖之一；

圖6為用于說明預定路徑上不同定位位置的示意圖之二；

圖7為本發(fā)明具體實施例所述磁控濺射方法的流程示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖3所示，本發(fā)明實施例提供一種磁控濺射裝置，該裝置包括：

靶材承載部10，配置為在其上承載靶材100；

磁體承載部20，配置為在其上承載磁體200；

電場施加單元(圖中未顯示)，配置為提供電場，其中靶材100處于所述電場之內(nèi)；

驅(qū)動單元30，配置為當所述電場施加單元呈電場打開狀態(tài)時，驅(qū)動磁體承載部20運動，使磁體200以預定路徑300上的一定位位置作為起始位置和終點位置，沿預定路徑300在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間作往復運動；

其中在磁控濺射裝置進行濺射工作過程中，驅(qū)動單元30間隔預設個往復運動周期，向電場施加單元輸出關閉電場信號，調(diào)整定位位置。

本發(fā)明實施例所述磁控濺射裝置，在磁控濺射工作過程中，通過關閉電場信號，調(diào)整磁體在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間往復運動的起始位置，使得磁體的可停滯位置向靶面的內(nèi)部移動，增加磁體相對于靶面上的每一位置的停滯機會，避免僅在邊緣位置停滯，造成邊緣位置的過度消耗，以達到延長靶材使用壽命的目的。

具體地，結(jié)合圖3，磁體200與靶材100相對，且磁體200沿預定路徑300在第一限定邊緣a運動與第二限定邊緣b之間作往復運動時，運動平面平行于靶材100。本發(fā)明實施例中，磁體200與靶材100均為水平，且磁體200位于靶材100的下方，當然實際磁控濺射裝置中，磁體200與靶材100之間的設置結(jié)構(gòu)并不限于此，例如磁體200可以位于靶材100的上方，又或者磁體200與靶材100均為豎直狀態(tài)。上述的磁體200與靶材100的各種設置方式均適用于本發(fā)明實施例所述磁控濺射裝置，只要保證磁體200與靶材100相對，且磁體200的運動平面平行于靶材100即可。

較佳地，第一限定邊緣a和第二限定邊緣b在靶材100的靶面上的投影分別位于靶面的相對兩個邊緣。

以下將以磁體200與靶材100均為水平，且磁體200位于靶材100下方為例對本發(fā)明實施例所述磁控濺射裝置的具體結(jié)構(gòu)進行詳細描述。

本發(fā)明實施例中，靶材承載部10可以包括支撐背板、卡槽或者支撐架等，用于承載并固定靶材100。較佳地，該靶材承載部10能夠用于承載不同規(guī)格的靶材100。靶材100根據(jù)需要可以為不同類型、不同規(guī)格，例如可以為長方形的金屬材料。

磁體承載部20形成為用于支撐并固定磁體200的結(jié)構(gòu)，可以包括磁體固定支架，較佳地，磁體固定支架上所固定的磁體并不限于為一個，可以為多個，驅(qū)動單元30通過驅(qū)動磁體承載部20移動，使固定其上的所有磁體200同步移動，形成包圍靶材100的均勻磁場。

驅(qū)動單元30可以包括：

驅(qū)動構(gòu)件31，配置為用于為所述磁體的往復運動提供驅(qū)動力；

連接構(gòu)件32，與驅(qū)動構(gòu)件31和磁體承載部20相連接；

本發(fā)明實施例中，驅(qū)動構(gòu)件31可以包括轉(zhuǎn)動電機，連接構(gòu)件32可以包括滾珠絲杠，滾珠絲杠的螺桿與轉(zhuǎn)動電機連接，滾珠絲杠的螺母與磁體承載部20相連接。通過轉(zhuǎn)動電機驅(qū)動滾珠絲杠的螺桿轉(zhuǎn)動，滾珠絲杠的螺母帶動磁體承載部20沿螺桿移動，另外螺桿平行于預定路徑300設置，當轉(zhuǎn)動電機的轉(zhuǎn)動方向不同時，螺母帶動磁體承載部20沿螺桿朝不同方向移動，實現(xiàn)磁體200沿預定路徑300在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間的往復運動。

較佳地，磁控濺射裝置還可以包括平行于預定路徑300設置的導軌，磁體承載部20設置于導軌上，驅(qū)動構(gòu)件31通過連接構(gòu)件32驅(qū)動磁體承載部20運動時，磁體承載部20在導軌上往復移動，從而帶動磁體200沿預定路徑300在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間往復運動。

當然，以上驅(qū)動單元30的設置結(jié)構(gòu)僅為本發(fā)明的其中一實施例，具體并不以此為限，只要能夠?qū)崿F(xiàn)磁體200沿預定路徑300在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間的往復運動即可。

采用本發(fā)明實施例所述磁控濺射裝置，結(jié)合圖4，通過驅(qū)動單元30驅(qū)動磁體承載部20運動，磁體200以預定路徑300上的一定位位置310作為起始位置和終點位置，沿預定路徑300在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間作往復運動。

具體地，參閱圖3和圖4，本發(fā)明實施例中預定路徑300為平行于靶材100的水平直線，定位位置310為預定路徑300上的其中一位置點，以水平向右方向為起始運動方向為例，磁體200以定位位置310作為起始位置和終點位置，沿預定路徑300在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間往復運動的一個往復運動周期為：步驟s1，以定位位置310為起始位置水平向右移動至第二限定邊緣b；步驟s2，從第二限定邊緣b水平向左移動至第一限定邊緣a；步驟s3，從第一限定邊緣a水平向右移動至定位位置310。

本發(fā)明實施例中，在磁控濺射裝置進行磁控濺射的過程中，當磁體200以上述方式運動預設個往復運動周期時，驅(qū)動單元30關閉電場施加單元所施加的電場，調(diào)整定位位置。較佳地，每間隔一個往復運動周期，驅(qū)動單元30調(diào)整一次定位位置。

具體地，結(jié)合圖5，當磁體200以第一定位位置311作為起始位置和終點位置，沿預定路徑300在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間往復運動預設個往復運動周期后，也即從第一定位位置311起，采用上述一個往復運動周期的運動方式，運動返回至第一定位位置311后，調(diào)整定位位置，使磁體200從第一定位位置311移動至第二定位位置312，以第二定位位置312作為起始位置和終點位置，采用上述一個往復運動周期的運動方式，運動預設個往復運動周期后，再次重新調(diào)整定位位置。

基于以上，本發(fā)明實施例所述磁控濺射裝置，還包括：

測距單元(圖中未顯示)，配置為用于檢測磁體200的位置，向驅(qū)動單元30傳輸位置信息；

其中，驅(qū)動單元30根據(jù)測距單元所檢測獲得的位置信息，確定預定路徑上的定位位置，并驅(qū)動磁體200移動至所確定的定位位置。

具體地，測距單元可以包括紅外線距離傳感器，設置于驅(qū)動單元30或者磁體承載部20上。該紅外線距離傳感器與驅(qū)動單元30電連接，通過紅外線距離傳感器向磁體200上的其中一位置發(fā)射紅外線，利用紅外線的發(fā)射時間和接收紅外線在磁體200上反射的反射光線的接收時間的差值，即能夠確定磁體200的位置信息。

驅(qū)動單元30通過實時地獲取紅外線距離傳感器所檢測獲得的位置信息，監(jiān)測磁體200在沿預定路徑進行往復運動時的運動位置和往復運動周期的次數(shù)，并當磁體200從一定位位置作為起始位置，沿預定路徑在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間往復運動預設個往復運動周期，返回至該定位位置后，驅(qū)動磁體200從當前的定位位置移動至預定路徑上的另一定位位置，以另一定位位置作為起始位置，重新執(zhí)行磁控濺射的往復運動周期。

進一步地，所述磁控濺射裝置還包括：

電場施加單元，配置為用于提供靶材濺射的電場；

其中，在驅(qū)動單元30驅(qū)動磁體承載部20運動，使磁體200以預定路徑300上的一定位位置作為起始位置和終點位置，沿預定路徑在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間作往復運動時，電場施加單元呈工作狀態(tài)，用于提供靶材濺射的電場；當驅(qū)動單元30調(diào)整定位位置時，電場施加單元呈非工作狀態(tài)，關閉電場。具體地，當磁體200從一定位位置作為起始位置，沿預定路徑300在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間往復運動預設個往復運動周期的過程中，電場施加單元呈工作狀態(tài)；當磁體200運動預設個往復運動周期返回至該定位位置后，電場施加單元關閉電場，直至當驅(qū)動單元30驅(qū)動磁體200從當前的定位位置移動至預定路徑上的另一定位位置后，電場施加單元再打開電場，呈工作狀態(tài)，繼續(xù)磁控濺射的下一個往復運動周期。

本發(fā)明實施例中，電場施加單元與驅(qū)動單元30電連接，電場施加單元根據(jù)驅(qū)動單元30的控制指令，使電場打開或關閉。當然，也可以獨立設置一控制單元，根據(jù)磁體200的位置信息和運動狀態(tài)，向電場施加單元輸出電場打開或關閉的控制指令。

本發(fā)明實施例所述磁控濺射裝置中，當靶材承載部10包括用于承載靶材100的背板時，可以通過背板上施加負電壓作為陰極形成電場，使靶材100處于該電場中以用于磁控濺射，因此靶材承載部10上的背板形成為電場施加單元的一其中一部分。當然，也可以設置獨立于靶材承載部10之外的電場施加單元，用于特定為靶材100提供電場。

采用上述結(jié)構(gòu)的磁控濺射裝置，結(jié)合圖4和圖5，在磁控濺射過程中，當作為起始位置的定位位置與第一限定邊緣a和第二限定邊緣b不重合時，定位位置與靶材100相對的位置位于靶材100的靶面內(nèi)部，因此使得磁體200的可停滯位置向靶面的內(nèi)部移動，增加磁體200相對于靶面上的每一位置的停滯機會，避免僅在邊緣位置停滯，造成邊緣位置的過度消耗。

較佳地，結(jié)合圖3和圖6所示，在磁控濺射過程中，磁體200以第一限定邊緣a作為第一個定位位置，沿預定路徑300間隔預設距離w，依次確定每一個定位位置310，直至定位位置310移動至與第二限定邊緣b相重合。

結(jié)合圖3，當磁體200在預定路徑300的延伸方向上的寬度為l時，預設距離w小于等于l，進一步較佳地，w等于l，以保證靶材消耗的均勻性。

另外，較佳地，磁控濺射裝置還可以包括：

沿預定路徑在不同位置設置的多個限位單元，多個限位單元中的其中一限位單元能夠被啟動用于確定定位位置。

具體地，限位單元可以為磁力型的接近傳感器、光電型的接近傳感器、超聲波型的接近傳感器或者為限位開關，當磁體接近限位單元時，限位單元產(chǎn)生觸發(fā)信號，驅(qū)動單元可以接收該觸發(fā)信號，確定磁體的當前位置。

舉例說明，當磁控濺射裝置包括導軌，磁體承載部設置于導軌上，能夠沿導軌移動，帶動磁體在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間作往復運動時，導軌平行于預定路徑，多個限位單元可以被設置于導軌上。當其中一限位單元被啟動，其他限位單元關閉時，被啟動的限位單元的設置位置可以被確定為定位位置。驅(qū)動單元通過接收限位單元發(fā)出的觸發(fā)信號，確定磁體移動至被啟動限位單元所在的位置，并通過統(tǒng)計磁體經(jīng)過被啟動限位單元位置處的次數(shù)，確定磁體在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間往復運動是否達到預設個往復運動周期，當達到預設個往復運動周期時，控制當前被啟動限位單元關閉，相鄰的另一個限位單元被啟動，將磁體移動至另一個限位單元的位置處，繼續(xù)磁控濺射過程中的另一往復運動周期。

較佳地，多個限位單元中包括位于第一限定邊緣a處的第一限位單元和位于第二限定邊緣b處的第二限位單元，其中在磁控濺射過程中，第一限位單元和第二限位單元始終處于被啟動狀態(tài)，用于限定預定路徑的范圍。

本發(fā)明實施例所述磁控濺射裝置，通過設置能夠調(diào)整磁體的起始位置和終點位置的驅(qū)動單元，使得在磁控濺射工作過程中，磁體的可停滯位置向靶面的內(nèi)部移動，增加磁體相對于靶面上的每一位置的停滯機會，避免僅在邊緣位置停滯，造成邊緣位置的過早擊穿，使用壽命較低的問題。

本發(fā)明實施例另一方面還提供一種磁控濺射設備，包括反應腔室和設置在所述反應腔室內(nèi)的如上結(jié)構(gòu)的磁控濺射裝置。

本發(fā)明實施例所述磁控濺射設備，驅(qū)動單元能夠在磁控濺射工作過程中，調(diào)整磁體沿預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動的起始位置和終點位置，并能夠根據(jù)磁體進行往復運動的運動周期，向電場施加單元輸出打開或關閉信號，使得磁體在以預定路徑上的一定位位置作為起始位置和終點位置，沿所述預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動，也即進行磁控濺射工作時，電場施加單元呈電場打開狀態(tài)；當調(diào)整起始位置和終點位置時，關閉電場信號。通過磁控濺射工作過程對起始位置和終點位置的調(diào)整，使得磁體的可停滯位置向靶面的內(nèi)部移動，增加磁體相對于靶面上的每一位置的停滯機會，避免僅在邊緣位置停滯，造成邊緣位置的過度消耗，以達到延長靶材使用壽命的目的。

本發(fā)明實施例另一方面還提供一種磁控濺射方法，如圖7所示，該方法包括：

s710，向磁控濺射設備的電場施加單元發(fā)出電場打開信號，并控制磁控濺射設備的磁體承載部運動，磁體以預定路徑上的第一定位位置作為起始位置和終點位置，沿預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動；

s720，當監(jiān)測到所述磁體運動達到預設個往復運動周期時，向所述電場施加單元發(fā)出電場關閉指令，并控制所述磁體承載部帶動所述磁體移動至所述預定路徑上的第二定位位置；

s730，向所述電場施加單元發(fā)出電場打開指令，并控制所述磁體承載部帶動所述磁體以所述第二定位位置作為起始位置和終點位置，沿所述預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動。

采用本發(fā)明實施例所述磁控濺射方法，對一個基材的磁控濺射過程，可以包括多個磁控濺射周期，其中當一磁控濺射周期到達時，關閉電場信號，調(diào)整沿磁體沿預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動的起始位置和終點位置，以調(diào)整后位置作為起始位置和終點位置，沿預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動。這樣，使得磁體的可停滯位置向靶面的內(nèi)部移動，增加磁體相對于靶面上的每一位置的停滯機會，避免僅在邊緣位置停滯，造成邊緣位置的過度消耗，以達到延長靶材使用壽命的目的。

本發(fā)明實施例所述方法的步驟s710中，所述磁體執(zhí)行從所述第一定位位置移動至所述第一限定邊緣、從所述第一限定邊緣移動至所述第二限定邊緣、從所述第二限定邊緣移動至所述第一定位位置的一次運動過程為一個周期次數(shù)。

較佳地，步驟s720中，當監(jiān)測到所述磁體運動達到一個往復運動周期時，向所述電場施加單元發(fā)出電場關閉指令。

此外，步驟s710和s720中，所述磁體在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動時的預定路徑平行于靶材的靶面，且所述預定路徑為一直線。

本發(fā)明實施例中，所述磁體在所述預定路徑的延伸方向上的寬度為l時，所述第一定位位置和所述第二定位位置沿所述預定路徑上的距離值為小于等于l。

較佳地，采用本發(fā)明實施例所述磁控濺射方法，還包括：

當監(jiān)測到所述磁體以所述第二定位位置作為起始位置和終點位置，沿所述預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動達到預設個往復運動周期時，向所述電場施加單元發(fā)出電場關閉指令，并控制所述磁體承載部帶動所述磁體移動至所述預定路徑上的第二定位位置；

向所述電場施加單元發(fā)出電場打開指令，并控制所述磁體承載部帶動所述磁體以所述第三定位位置作為起始位置和終點位置，沿所述預定路徑在第一限定邊緣與第二限定邊緣之間作往復運動。其中，第三定位位置為所述預定路徑上的其中一位置，且第三定位位置與第一定位位置、第二定位位置不同。

另外，本發(fā)明實施例中，第一定位位置可以與第一限定邊緣相重合，第三定位位置可以與第二限定邊緣相重合。

采用本發(fā)明實施例所述磁控濺射裝置、設備和方法，通過驅(qū)動單元調(diào)整磁體在第一限定邊緣a與第二限定邊緣b之間往復運動的起始位置，使得磁體的可停滯位置向靶面的內(nèi)部移動，增加磁體相對于靶面上的每一位置的停滯機會，避免僅在邊緣位置停滯，造成邊緣位置的過度消耗，以達到延長靶材使用壽命的目的。

以上所述的是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出對于本技術(shù)領域的普通人員來說，在不脫離本發(fā)明所述的原理前提下還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。