技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及一種用于在基底上沉積膜的DC磁控濺射設備，所述DC磁控濺射設備包括：腔室；放置在所述腔室內的基底支撐件；DC磁控管；以及用于提供電偏壓信號的電信號供應裝置，在使用期間所述電偏壓信號致使離子轟擊放置在所述基底支撐件上的基底；其中，所述基底支撐件包括被邊緣區(qū)域環(huán)繞的中心區(qū)域，所述中心區(qū)域相對于所述邊緣區(qū)域是凸起的。本發(fā)明還涉及一種用于在基底上沉積膜的方法。

技術研發(fā)人員：斯科特·海莫爾;阿米特·拉斯托吉;R·辛德曼;史蒂夫·伯吉斯;I·蒙克里夫;克里斯·肯德爾
受保護的技術使用者：SPTS科技有限公司
技術研發(fā)日：2017.04.10
技術公布日：2017.11.03