技術編號：12858420
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于在基底上沉積膜的DC磁控濺射設備。本發(fā)明還涉及在基底上沉積膜的相關方法。背景技術現(xiàn)今，許多MEMS(微機電系統(tǒng))裝置利用壓電材料，諸如氮化鋁(AlN)以及二元金屬氮化物，諸如氮化鋁鈧(AlScN)作為裝置控制中的組件。在許多裝置中，沉積的壓電薄膜的應力裝置對裝置的性質和有效性具有直接的影響。諸如膜狀物和懸臂(cantilever)的裝置是所沉積的壓電薄膜的應力狀態(tài)極其重要的裝置的實例。一些裝置適用于具有適度壓縮應力的膜，而其它裝置適用于具有適度拉伸應力的膜。許多裝置僅要求存在小...
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