技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種采用沉積法在硅基底上制備氧化鈦薄膜的方法，本發(fā)明通過對硅基底表面進行預處理可很好地提高其對導電溶膠的親和性能，使得噴涂過程中導電溶膠更加均勻的分布在硅基底表面，本發(fā)明采用原子層沉積方法，基于TiO2自身的優(yōu)異的寬禁帶性能，采用能夠在較低溫度下能夠氣化的三（乙基甲基氨基）叔丁酰胺鉻作為鉻前驅(qū)體源，有效降低了實驗條件和能耗，且原子層沉積工藝過程參數(shù)易于控制。

技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護的技術(shù)使用者：蘇州南爾材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.12
技術(shù)公布日：2017.07.07