技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種制備高度C軸取向的ScAlN的工藝以及降低工藝難度的制備方式，在真空環(huán)境中，使用射頻使得N2氣體電離在基片上產(chǎn)生局部等離子體，利用該等離子體在上述基片上形成氮化層，使用射頻磁控濺射方式，在室溫條件下完成了在所述的具有淡化層的基片上制備形成Sc摻雜AlN薄膜，ScAlN薄膜中Sc元素的摻雜量相對(duì)分子含量為0％～28.87％，根據(jù)需要實(shí)現(xiàn)調(diào)控，制備薄膜中包含的Sc元素的相對(duì)原子含量具體有0、7.45％、11.45％、14.49％、21.50％、28.87％這六種含量值，此工藝可以?xún)?yōu)化ScAlN薄膜的取向，同時(shí)降低制備的難度。

技術(shù)研發(fā)人員：楊雪梅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.08
技術(shù)公布日：2017.07.04