技術(shù)編號：12794523
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制備一種ScAlN薄膜的制備工藝，即使用射頻磁控濺射制備高C軸取向ScAlN薄膜的工藝及其優(yōu)化。背景技術(shù)由磁電復(fù)合材料研制的磁場傳感器具有很高的靈敏度且體積很小，適應(yīng)于微型化器件的趨勢，可以應(yīng)用于地球物理、國防軍事以及生物醫(yī)療等眾多領(lǐng)域。近年來提出的多種結(jié)合磁電復(fù)合材料、聲表面波技術(shù)或者聲體波技術(shù)的傳感器結(jié)構(gòu)，可以使傳感器在實現(xiàn)高靈敏度時，同時應(yīng)用于DC和寬頻AC磁場探測，滿足了應(yīng)用的要求。為了得到性能更加優(yōu)異的磁場傳感器。在此結(jié)構(gòu)中的的壓電薄膜成為了一個研究熱點，AlN作為ⅢA族半導(dǎo)...
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