本發(fā)明涉及用于在被成膜基板上形成規(guī)定圖案的蒸鍍膜的蒸鍍單元、蒸鍍裝置以及蒸鍍方法。

背景技術(shù)：

近年來，在各種商品和領(lǐng)域中利用平板顯示器，且要求平板顯示器進(jìn)一步大型化、高畫質(zhì)化、低消耗電力化。

在這樣的狀況下，具備利用有機(jī)材料的電場發(fā)光(電致發(fā)光；以下記為「el」)的有機(jī)el元件的有機(jī)el顯示裝置，作為全固體型且在低電壓驅(qū)動(dòng)、高速響應(yīng)性、自發(fā)光性等方面優(yōu)異的平板顯示器，受到高度關(guān)注。

有機(jī)el顯示裝置，例如在有源矩陣方式的情況下，具有如下結(jié)構(gòu)：在設(shè)置有tft(薄膜晶體管)的由玻璃基板等構(gòu)成的基板上，設(shè)置有與tft電連接的薄膜狀的有機(jī)el元件。

在全彩色的有機(jī)el顯示裝置中，一般而言，在基板上作為子像素排列形成有紅色(r)、綠色(g)、藍(lán)色(b)的各色的有機(jī)el元件，使用tft使這些有機(jī)el元件有選擇地以期望的亮度發(fā)光，由此，進(jìn)行圖像顯示。

因此，為了制造這樣的有機(jī)el顯示裝置，需要在每個(gè)有機(jī)el元件以規(guī)定圖案形成至少發(fā)光層，該發(fā)光層包含發(fā)出各色的光的有機(jī)發(fā)光材料。

使用例如真空蒸鍍法形成發(fā)光層的圖案。在真空蒸鍍法中，通過形成有規(guī)定圖案的開口的蒸鍍掩膜(也被稱為陰影掩膜(shadowmask))蒸鍍蒸鍍顆粒于被成膜基板。此時(shí)，按發(fā)光層的每種顏色進(jìn)行蒸鍍(將此稱為「分涂蒸鍍」)。

此時(shí)，批量生產(chǎn)工藝一般使用于被成膜基板密合與所述被成膜基板相同大小的蒸鍍掩膜進(jìn)行蒸鍍的方法。然而，在該情況下，伴隨被成膜基板的大型化，蒸鍍掩膜也大型化。

當(dāng)蒸鍍掩膜大型化時(shí)，由于蒸鍍掩膜的自重彎曲和伸長，在被成膜基板與蒸鍍掩膜之間容易產(chǎn)生間隙。因此，在大型的被成膜基板的情況下，難以進(jìn)行高精度的圖案化，會(huì)發(fā)生蒸鍍位置的錯(cuò)位或混色，難以實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化。

另外，當(dāng)被成膜基板大型化時(shí)，蒸鍍掩膜和保持其的框架等也變得巨大，其重量也增加。因此，當(dāng)被成膜基板變大時(shí)，蒸鍍掩膜和框架等的操作變得困難，有可能對生產(chǎn)率和安全性造成障礙。另外，蒸鍍裝置本身和附隨于其的裝置也同樣巨大化、復(fù)雜化，因此，裝置設(shè)計(jì)變得困難，設(shè)置成本也變高。

相對于此，將被成膜基板及蒸鍍掩膜隔開地掃描的同時(shí)蒸鍍于被成膜基板整面上的掃描蒸鍍法，使用比被成膜基板小的蒸鍍掩膜。因此，在掃描蒸鍍法中，在使用大型的蒸鍍掩膜的情況可以解決特有的上述問題。

在掃描蒸鍍法中，在蒸鍍源，在與掃描方向垂直的方向上以一定間距設(shè)置有射出蒸鍍顆粒的多個(gè)射出口。

因此，近年來，提出了如下方法：通過使用限制板對蒸鍍顆粒的流動(dòng)(蒸鍍流)進(jìn)行限制，使得在被成膜基板的被成膜面中與某個(gè)射出口對應(yīng)的區(qū)域，蒸鍍區(qū)域(成膜區(qū)域)，不會(huì)飛來來自射出口(相鄰噴嘴)的蒸鍍顆粒，該射出口使蒸鍍顆粒射出到與該蒸鍍區(qū)域相鄰的區(qū)域(以下記為「相鄰被成膜區(qū)域」)。

例如，專利文獻(xiàn)1中公開了在蒸鍍源的一側(cè)設(shè)置遮斷壁組件，該遮斷壁組件具備將蒸鍍源與蒸鍍掩膜之間的空間劃分成多個(gè)蒸鍍空間的多個(gè)遮斷壁作為限制板。根據(jù)專利文獻(xiàn)1，通過利用遮斷壁來限制蒸鍍范圍，能夠不使蒸鍍圖案變寬而進(jìn)行高精細(xì)的圖案蒸鍍。

專利文獻(xiàn)1：日本國公開專利公報(bào)「特開2010-270396號(hào)公報(bào)(2010年12月2日公開)」

專利文獻(xiàn)2：日本國公開專利公報(bào)「特開2014-162969號(hào)公報(bào)(2014年9月8日公開)」

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

然而，當(dāng)蒸鍍密度變高時(shí)(即，在高速率時(shí))，在僅使用限制板的情況下，不能防止來自相鄰噴嘴的蒸鍍顆粒的飛來。

圖10(a)、(b)是示意性地表示俯視時(shí)在蒸鍍源401與蒸鍍掩膜411之間，沿著與掃描方向垂直的方向設(shè)置有多片限制板421的情況下，由蒸鍍密度的不同導(dǎo)致的蒸鍍流的差異的圖。

其中，圖10(a)表示蒸鍍密度相對低的情況(低速率時(shí))，圖10(b)表示蒸鍍密度相對高的情況(高速率時(shí))。

另外，圖10(a)、(b)中，y軸表示沿著被成膜基板200的掃描方向的水平方向軸，x軸表示不沿著與被成膜基板200的掃描方向垂直的方向的水平方向軸，z軸表示作為被成膜基板200的被成膜面201(被成膜面)的法線方向和與被成膜面201正交的蒸鍍軸線延伸的方向的、與x軸和y軸垂直的垂直方向軸(上下方向軸)。

如圖10(a)所示，在低速率時(shí)，從蒸鍍源401的各射出口402(噴嘴)射出的蒸鍍顆粒301通過各限制板421間的限制板開口422遮擋(捕捉)指向性不好的蒸鍍顆粒，限制于高指向性分布。結(jié)果，成膜規(guī)定圖案的蒸鍍膜302于相對應(yīng)于各射出口402的區(qū)域。

然而，如圖10(b)所示，在高速率時(shí)，飛來來自相鄰的射出口402的蒸鍍顆粒，混入正常圖案的蒸鍍膜302(正常圖案膜)，或者在正常圖案的蒸鍍膜302間形成異常圖案的蒸鍍膜303(異常圖案膜)。

這是因?yàn)橐韵碌睦碛?。高速率下蒸鍍?01內(nèi)的蒸鍍顆粒301增大，但在蒸鍍源401，只有成膜用的射出口402設(shè)置開口部。因此，在射出口402蒸鍍密度局部的變高，產(chǎn)生壓力增大。其結(jié)果是，在開口面積小的射出口402中，平均自由工程變小的蒸鍍顆粒容易散射，如圖10(b)雙點(diǎn)畫線所示，射出口402外觀上(擬似)擴(kuò)大。從這射出口402擬似擴(kuò)大的部分飛來的蒸鍍顆粒301，通過限制板開口422，通過對應(yīng)于相鄰噴嘴的掩膜開口412，在正常圖案膜混入來自相鄰射出口402的蒸鍍顆粒301，或者形成異常圖案的蒸鍍膜303。這些的現(xiàn)象引起混色發(fā)光等異常發(fā)光，有可能會(huì)大大損害顯示品質(zhì)。

另外，專利文獻(xiàn)2中公開了蒸鍍裝置，從檢測蒸鍍源(坩堝)內(nèi)壓力的第一壓力傳感器與檢測真空腔室內(nèi)壓力的第二壓力傳感器的測量值的差，測量蒸鍍材料的蒸鍍速率，通過控制流量控制閥的開度以使測量的蒸鍍速率成為規(guī)定的蒸鍍速率，調(diào)整蒸鍍材料的流量，所述蒸鍍材料的流量提供至從蒸鍍源傳送蒸鍍材料的誘導(dǎo)路徑。

然而，專利文獻(xiàn)2的蒸鍍裝置因?yàn)槟軆H監(jiān)控坩堝內(nèi)及真空腔室內(nèi)的壓力，不能對應(yīng)蒸鍍材料的射出口中的壓力變動(dòng)。此外，壓力控制系統(tǒng)是復(fù)雜，有可能增加成本。

本發(fā)明是鑒于上述問題而作出的，其目的在于，提供一種蒸鍍單元、蒸鍍裝置及蒸鍍方法，用以通過簡單的方法，可以抑制在射出口附近的壓力上升，防止異常成膜的發(fā)生。

為了解決上述課題，涉及本發(fā)明一方式(建議用“方式”表達(dá))的蒸鍍單元，使規(guī)定圖案的蒸鍍膜成膜于被成膜基板上，其特征在于，包含：蒸鍍源；配置于所述蒸鍍源及所述被成膜基板之間的蒸鍍掩膜；以及配置于所述蒸鍍源及所述蒸鍍掩膜之間的限制板單元；所述限制板單元具有在從與所述蒸鍍掩膜的主面垂直的方向看時(shí)彼此隔開地設(shè)置的多片第一限制板；所述蒸鍍源具有在從與所述蒸鍍掩膜的主面垂直的方向看時(shí)分別設(shè)置在所述第一限制板間的間隙的用于蒸鍍顆粒射出的多個(gè)第一開口部、及設(shè)置在不與所述間隙相對的位置的至少一個(gè)用于泄壓的第二開口部。

另外，為了解決上述課題，涉及本發(fā)明一方式的蒸鍍裝置，具備：涉及本發(fā)明一方式的蒸鍍單元；以及移動(dòng)裝置，其在使所述蒸鍍單元中的蒸鍍掩膜及被成膜基板相對配置的狀態(tài)下，使所述蒸鍍單元及所述被成膜基板中的至少一方，以從與所述蒸鍍掩膜的主面垂直的方向看時(shí)與所述第一限制板的排列方向垂直的方向成為掃描方向的方式相對移動(dòng)；所述蒸鍍掩膜在所述掃描方向的寬度比所述被成膜基板在所述掃描方向的寬度窄；一邊沿著所述掃描方向掃描一邊使從所述第一開口部射出的蒸鍍顆粒通過所述限制板單元及所述蒸鍍掩膜蒸鍍至所述被成膜基板。

另外，為了解決上述課題，涉及本發(fā)明一方式的蒸鍍方法，使用涉及本發(fā)明一方式的蒸鍍裝置成膜規(guī)定圖案的蒸鍍膜于被成膜基板上，其特征在于，包含：將所述蒸鍍單元中的蒸鍍掩膜及被成膜基板以一定距離隔開地相對配置的配置工序；以及所述蒸鍍單元及所述被成膜基板中的至少一方，在從與所述蒸鍍掩膜的主面垂直的方向看時(shí)在與所述第一限制板的排列方向垂直的方向相對移動(dòng)的同時(shí)，將從所述第一開口部射出的蒸鍍顆粒通過所述限制板單元及所述蒸鍍掩膜覆蓋至所述被成膜基板的覆蓋工序；所述覆蓋工序通過所述第二開口部使所述蒸鍍源內(nèi)的壓力消散的同時(shí)，從所述第一開口部朝向所述被成膜基板射出蒸鍍顆粒。

根據(jù)本發(fā)明的一方式，提供一種蒸鍍單元、蒸鍍裝置及蒸鍍方法，依據(jù)在成膜時(shí)通過所述第二開口部使壓力消散，以簡單的方法，抑制在所述第一開口部附近的上升壓力，防止異常成膜的發(fā)生。

附圖說明

[圖1]表示涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板一起表示的剖面圖。

[圖2]表示涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板一起表示的立體圖。

[圖3]表示具備涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的蒸鍍單元的蒸鍍裝置的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的示意剖面圖。

[圖4](a)、(b)分別表示涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的蒸鍍單元中的限制板單元的構(gòu)成例的立體圖。

[圖5](a)～(c)分別表示涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的蒸鍍單元中，蒸鍍源的第二開口部的配置與蒸鍍顆粒的飛散路徑的關(guān)系的主要部分剖面圖。

[圖6]表示涉及本發(fā)明第二實(shí)施方式的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板一起表示的剖面圖。

[圖7]表示在涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的蒸鍍單元中，從第二開口部射出的蒸鍍顆粒的飛散角度與圖1不同的情況中的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成的剖面圖。

[圖8]表示涉及本發(fā)明第二實(shí)施方式的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板一起表示的剖面圖。

[圖9]表示涉及本發(fā)明第二實(shí)施方式變形例的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板一起表示的剖面圖。

[圖10](a)、(b)表示在蒸鍍源與蒸鍍掩膜之間俯視時(shí)，在沿著與掃描方向垂直的方向多片設(shè)置限制板的情況中，不同蒸鍍密度導(dǎo)致不同蒸鍍流的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下，對本發(fā)明的實(shí)施方式的一個(gè)例子進(jìn)行詳細(xì)說明。

[第一實(shí)施方式]

根據(jù)圖1至圖5(a)～(c)對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。

圖1是將本實(shí)施方式所涉及的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板200一起表示的剖面圖。另外，圖2是將本實(shí)施方式所涉及的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板200一起表示的立體圖。圖3是示意性地表示具備本實(shí)施方式所涉及的蒸鍍單元1的蒸鍍裝置100的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的剖面圖。

另外，以下，也是將沿著被成膜基板200的掃描方向(掃描軸)的水平方向軸作為y軸，將沿著與被成膜基板200的掃描方向垂直的方向的水平方向軸作為x軸，將作為被成膜基板200的被成膜面201的法線方向、與x軸及y軸垂直的垂直方向軸(上下方向軸)作為z軸進(jìn)行說明。另外，為了便于說明，只要沒有特別指明，將z軸方向的箭頭一側(cè)(圖1的上側(cè))作為“上(側(cè))”進(jìn)行說明。

<蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成>

如圖1～圖3所示，本實(shí)施方式所涉及的蒸鍍單元1具備蒸鍍掩模10、限制板單元20和蒸鍍源30。

這些蒸鍍掩模10、限制板單元20和蒸鍍源30沿著z軸方向，從被成膜基板200側(cè)依次例如隔開一定距離相對配置。

蒸鍍裝置100是通過掃描蒸鍍法進(jìn)行蒸鍍的蒸鍍裝置。因此，在蒸鍍裝置100中，在蒸鍍掩模10與被成膜基板200之間設(shè)置有一定空隙的狀態(tài)下，使被成膜基板200及蒸鍍單元1中的至少一方相對移動(dòng)(掃描)。

因此，蒸鍍掩模10、限制板單元20和蒸鍍源30彼此的相對位置是固定的。因而，這些蒸鍍掩模10、限制板單元20和蒸鍍源30可以是例如圖3所示的保持件40這樣，由同一保持件等未圖示的保持部件保持，也可以是一體化的。換句話說，蒸鍍單元1也可以具備保持蒸鍍掩模10、限制板單元20和蒸鍍源30的保持件40。

(蒸鍍掩模10)

如圖1～圖3所示，蒸鍍掩模10是作為其主面的掩模面與xy平面平行的板狀物。在進(jìn)行掃描蒸鍍的情況下，作為蒸鍍掩模10，使用至少y軸方向的尺寸比被成膜基板200小的蒸鍍掩模。

在蒸鍍掩模10的主面設(shè)置有多個(gè)掩模開口11(開口部)。掩模開口11是貫通口，功能是作為蒸鍍時(shí)使蒸鍍顆粒301(蒸鍍材料)通過的通過部。另一方面，在蒸鍍掩模10中的掩模開口11以外的區(qū)域是非開口部12，功能是作為蒸鍍時(shí)遮斷蒸鍍顆粒301的流動(dòng)的遮斷部。

為了使蒸鍍顆粒301不附著于被成膜基板200中的與各蒸鍍膜302的圖案對應(yīng)并作為目標(biāo)的被成膜圖案區(qū)域202以外的非成膜區(qū)域203，各掩模開口11是與各蒸鍍膜302的一部分圖案對應(yīng)設(shè)置的。僅通過掩模開口11的蒸鍍顆粒301才會(huì)到達(dá)被成膜基板200，在被成膜基板200形成與掩模開口11對應(yīng)的圖案的蒸鍍膜302。

另外，在所述蒸鍍材料是有機(jī)el顯示裝置中的發(fā)光層的材料的情況下，有機(jī)el蒸鍍工藝中的發(fā)光層的蒸鍍按發(fā)光層的每種顏色進(jìn)行。

蒸鍍掩模10可以直接使用，也可以為了抑制自重彎曲而在施加張力的狀態(tài)下固定于未圖示的掩?？蚣?。掩?？蚣芨┮晻r(shí)其外形形成為與蒸鍍掩模10相同或比蒸鍍掩模10大一圈的矩形形狀。

(限制板單元20)

圖4(a)、(b)分別是表示蒸鍍單元1中的限制板單元20的構(gòu)成例的立體圖。

限制板單元20具備限制板列21，限制板列21包括在俯視時(shí)彼此隔開且彼此平行地設(shè)置的多個(gè)限制板22(第一限制板)。另外，俯視時(shí)表示“從與蒸鍍掩模10的主面垂直的方向(即，與z軸平行的方向)看時(shí)”。

限制板單元20可以具有如圖4(a)所示的結(jié)構(gòu)，也可以具有如圖4(b)所示的結(jié)構(gòu)。

圖4(a)所示的限制板單元20是塊狀的單元，具有在以xy平面作為主面并以x軸方向作為長軸的矩形形狀的一片板上沿著x軸方向設(shè)置有多個(gè)限制板開口23的結(jié)構(gòu)。由此，圖4(a)所示的限制板單元20具有設(shè)置于相鄰的限制板開口23間的限制板22沿著x軸方向排列有多片的結(jié)構(gòu)。在圖4(a)中，框狀的保持體部24及限制板22是通過在構(gòu)成所述限制板單元20的一片板中的限制板開口23以外的部分(即，非開口部)一體形成的。

另外，圖4(b)所示的限制板單元20具有如下結(jié)構(gòu)：通過限制板開口23排列的限制板22利用螺絲固定或熔接等，固定到包括與x軸方向平行的一對第一保持部件24a及與y軸平行的一對第二保持部件24b的框狀保持體部24。

這樣，各限制板22以及各限制板22與保持部24分別可以如圖4(a)所示一體形成，也可以如圖4(b)所示分體地形成。

另外，只要能夠?qū)⒏飨拗瓢?2的相對位置和姿勢維持為一定即可，保持各限制板22的方法不限定于上述的方法。

另外，圖2是列舉使用圖4(a)所示的限制板單元20的情況作為例子進(jìn)行圖示。如圖2及圖4(a)所示，限制板單元20形成塊狀，由此，具有各限制板22的對位和限制板單元20的更換作業(yè)變?nèi)菀椎葍?yōu)點(diǎn)。

限制板22分別以yz平面作為主面，每一主面于x軸方向相鄰，且相對于蒸鍍掩模10的掩模面以及被成膜基板200的被成膜面201垂直配置。另外，限制板22俯視時(shí)，分別與y軸平行地延伸設(shè)置，在x軸方向以相同間距配置。由此，限制板22的長軸與y軸方向平行地配置，短軸與z軸方向平行地配置。

限制板開口23的間距形成得比掩模開口11的間距大，俯視時(shí)，在x軸方向相鄰的限制板22之間配置有多個(gè)掩模開口11。

限制板單元20通過各限制板22將蒸鍍掩模10與蒸鍍源30之間的空間劃分成包括限制板開口23的多個(gè)蒸鍍空間，由此，限制從蒸鍍源30射出的蒸鍍顆粒301的通過角度。

當(dāng)蒸鍍密度變高時(shí)，因?yàn)檎翦兞鞯臄U(kuò)展變大，為了抑制蒸鍍流的擴(kuò)展，需要使蒸鍍流的擴(kuò)展立體地縮小。

從蒸鍍源30射出的蒸鍍顆粒301，通過限制板開口23后，通過在蒸鍍掩模10形成的掩模開口11，被蒸鍍在被成膜基板200上。

限制板單元20對于入射到該限制板單元20的蒸鍍顆粒301，如圖1所示，根據(jù)其入射角度有選擇地進(jìn)行遮擋(捕捉)。即，限制板單元20捕捉碰撞到限制板22的蒸鍍顆粒301的至少一部分，由此，限制蒸鍍顆粒301向限制板22的配設(shè)方向(即，x軸方向和傾斜方向)的移動(dòng)。

由此，限制板單元20將向蒸鍍掩模10的掩模開口11入射的蒸鍍顆粒301的入射角限制在一定范圍內(nèi)，防止蒸鍍顆粒301從傾斜方向附著于被成膜基板200。

限制板22的高度(z軸方向的厚度，換句話說，限制板開口23的z軸向的開口長)及寬度(x軸方向的厚度)以及限制板開口23的x軸方向的開口寬度只要適當(dāng)設(shè)定成使得規(guī)定圖案的蒸鍍膜302成膜于被成膜基板200的被成膜面201中的由限制板開口23及掩模開口11限制并與各第一開口部31相對應(yīng)的區(qū)域204即可，不特別進(jìn)行限定。

另外，限制板22為了遮擋(捕捉)傾斜的蒸鍍成分，不進(jìn)行加熱，或進(jìn)行冷卻。因此，限制板22的溫度是比蒸鍍材料成為氣體的蒸鍍顆粒發(fā)生溫度低的溫度。

因而，在限制板單元20，也可以設(shè)置有冷卻限制板22的未圖示的冷卻機(jī)構(gòu)。由此，能夠使碰撞到限制板22的蒸鍍顆粒301固化而將其捕捉，所以能夠防止蒸鍍顆粒301彼此的碰撞和散射。因此，能夠使蒸鍍顆粒301的前進(jìn)方向接近被成膜基板200的法線方向，能夠進(jìn)一步抑制異常圖案膜的成膜。

(蒸鍍源30)

蒸鍍源30例如是在內(nèi)部容納蒸鍍材料的容器。蒸鍍源30可以是在容器內(nèi)部直接容納蒸鍍材料的容器，也可以形成為具有負(fù)載鎖定式的配管，從外部供給蒸鍍材料。

如圖1～圖3所示，蒸鍍源30形成為例如矩形形狀。蒸鍍源30在其上表面(即，與限制板單元20及蒸鍍掩模10相對的相對面)具備多個(gè)第一開口部31及多個(gè)第二開口部32。

如圖1所示，第一開口部31及第二開口部32分別是射出蒸鍍顆粒301的射出口(貫通口、噴嘴)。

蒸鍍源30通過對蒸鍍材料進(jìn)行加熱使其蒸發(fā)(在蒸鍍材料為液體材料的情況下)或升華(在蒸鍍材料為固體材料的情況下)來產(chǎn)生氣態(tài)的蒸鍍顆粒301。蒸鍍源30將這樣成為氣體的蒸鍍材料作為蒸鍍顆粒301從第一開口部31及第二開口部32向蒸鍍源30的外部射出。

第一開口部31是蒸鍍膜302往被成膜基板200上的成膜用開口部，俯視時(shí)，分別設(shè)置在限制板22間的間隙以使與限制板開口23重疊。因此，從第一開口部31射出的蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)的大部分通過限制板開口23。

從第一開口部31射出的蒸鍍顆粒301先是各向同性地?cái)U(kuò)展。然后，向x軸方向兩端側(cè)擴(kuò)展并碰撞到限制板22的蒸鍍顆粒301被限制板22遮擋，其余的通過限制板開口23。通過限制板開口23的蒸鍍顆粒301，通過蒸鍍掩模10的掩模開口11覆蓋于被成膜基板200的被成膜面201。由此，在所述被成膜面201中，規(guī)定圖案的蒸鍍膜302成膜于由限制板開口23及掩模開口11限制并與各第一開口部31相對應(yīng)的區(qū)域204中的被成膜圖案區(qū)域202。

第二開口部32是使蒸鍍源30內(nèi)的壓力消散至外部的泄壓用開口部(泄壓孔)。第二開口部32俯視時(shí)與限制板22相對(重疊)地設(shè)置在第一開口部31間。從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301，如圖1箭頭線所示被限制板22的側(cè)面和限制板22的底面完全遮擋，不會(huì)到達(dá)蒸鍍掩模和被成膜基板200上。因此，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301不會(huì)對所述被成膜面201中的成膜圖案有影響。

即，第二開口部32無助于蒸鍍膜302往被成膜基板200的成膜，也就是偽開口，與第一開口部31不同，設(shè)置于與所述限制板22間的間隙不相對的位置。

在本實(shí)施方式中，蒸鍍源30內(nèi)的蒸鍍顆粒301通過第一開口部31及第二開口部32這兩者。在本實(shí)施方式中，在成膜時(shí)通過第二開口部32使壓力消散，由此，能夠防止在第一開口部31中蒸鍍密度局部變高。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，不用建構(gòu)如專利文獻(xiàn)2這樣復(fù)雜的系統(tǒng)，以簡單的方法，就能夠抑制第一開口部31附近的壓力上升，特別是，能夠抑制在高速率時(shí)第一開口部31附近劇烈的壓力上升。由此，根據(jù)本實(shí)施方式，既能夠達(dá)成高速率，且能夠以簡單的方法防止第一開口部31的偽擴(kuò)展。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠以簡單的方法，防止在正常圖案的蒸鍍膜302間成膜異常圖案的蒸鍍膜303(參照圖10(b))等異常成膜的發(fā)生。

<第一開口部31及第二開口部32的配置及開口徑>

接著，針對第一開口部31及第二開口部32的配置及開口徑進(jìn)行說明。

第一開口部31及第二開口部32分別在x軸方向以一定間距配置。

如圖1～圖3所示，各第一開口部31與各限制板開口23對應(yīng)地配置，例如，俯視時(shí)位于各限制板開口23的中央(x軸及y軸兩方向的中央)。

另外，圖2是列舉第一開口部31及第二開口部32在x方向一維(即線狀)地排列的情況作為例子進(jìn)行圖示，但第一開口部31及第二開口部32也可以二維(即面狀(瓦片狀))地排列。即使在第一開口部31二維地配置的情況下，各第一開口部31也以位于各限制板開口23的x軸方向的中央位置(即，在x軸方向夾著各第一開口部31的相鄰限制板22間的x軸方向的中央位置)的方式配置。

不特別限制第一開口部31的開口徑(開口尺寸)及個(gè)數(shù)。在蒸鍍掩模10上，對應(yīng)于多個(gè)第一開口部31，在與掃描軸方向垂直的x方向上設(shè)置有多個(gè)掩模開口11(狹縫開口)，形成有包括這些掩模開口11群的一個(gè)掩模開口群區(qū)域13。第一開口部31的開口徑(開口尺寸)及個(gè)數(shù)只要根據(jù)被成膜基板200中的與所述掩模開口群區(qū)域13對應(yīng)的x軸方向的被成膜區(qū)域205的大小，適當(dāng)設(shè)定成能得到期望的蒸鍍密度(蒸鍍速率)即可。

圖5(a)～(c)分別是表示在蒸鍍單元1中蒸鍍源30的第二開口部32的形成位置與蒸鍍顆粒301的飛散路徑的關(guān)系的主要部分剖面圖。

第二開口部32如上述設(shè)置于與限制板22間的間隙不相對的位置。

在圖1～圖3中，第二開口部32與各限制板22對應(yīng)地配置，以俯視時(shí)與限制板22重疊的方式在各第一開口部31間分別配置有一個(gè)。

然而，第二開口部32俯視時(shí)在各第一開口部31間分別配置一個(gè)時(shí)，如圖5(a)雙點(diǎn)劃線所示，若使第二開口部32接近第一開口部31而俯視時(shí)設(shè)置于限制板22間的間隙，則從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301會(huì)通過該限制板22間的間隙，即通過限制板開口23。

因此，有如下可能：由從該第二開口部32射出而未被限制板22遮擋的蒸鍍顆粒301形成異常圖案的蒸鍍膜300；或者，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301到達(dá)被成膜基板200中的由從第一開口部31射出的蒸鍍顆粒301形成蒸鍍膜302的區(qū)域，而引起圖案模糊等。

因此，雖然第二開口部32設(shè)置于與限制板22間的間隙不相對的位置，但此時(shí)，特別優(yōu)選第二開口部32配置為無助于蒸鍍膜302往被成膜基板200上的成膜，例如，優(yōu)選第二開口部32設(shè)置在無助于蒸鍍膜302往被成膜基板200上的成膜的位置。下面，進(jìn)行更詳細(xì)的說明。

在本實(shí)施方式中，不限制第二開口部32的個(gè)數(shù)。然而，如圖5(b)所示，當(dāng)?shù)诙_口部32的個(gè)數(shù)變多時(shí)，從設(shè)置于限制板22間的間隙的附近的第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301的一部分有可能不會(huì)被限制板22遮擋，而通過限制板22間的間隙。

另外，為了遮擋未被限制板22遮擋的成分，如圖5(c)所示，可以考慮使限制板22的底部向蒸鍍源30側(cè)延伸。然而，此時(shí)，如圖5(c)所示，第一開口部31及第二開口部32與限制板22之間的空間變窄，蒸鍍顆粒301飛散的空間體積減少。因此，在蒸鍍源30與限制板22之間以及限制板開口23內(nèi)會(huì)產(chǎn)生劇烈的壓力上升。其結(jié)果是，蒸鍍顆粒301之間的碰撞、散射機(jī)率變高，盡管以限制板22限制蒸鍍流而使蒸鍍流具有了指向性，通過限制板開口23的蒸鍍流也有可能在通過限制板開口23后各向同性地?cái)U(kuò)展。

此外，第二開口部32的個(gè)數(shù)越多，越能夠有效地抑制第一開口部31中的壓力上升，而另一方面，材料利用效率越低。

因此，優(yōu)選第二開口部32俯視時(shí)在x軸方向的第一開口部31間的中央配置有一個(gè)。換句話說，優(yōu)選第二開口部32俯視時(shí)位于各限制板22的x軸方向的中央，例如，優(yōu)選位于各限制板22的中央(即，x軸及y軸兩方向的中央)。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，能夠通過所述限制板22，更可靠地防止從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301通過限制板22間的間隙附著于被成膜基板200上。

但是，通過調(diào)整第一開口部31的間距、限制板22的高度(z軸方向的厚度)等設(shè)計(jì)參數(shù)，在x軸方向上也可以在第一開口部31間配置多個(gè)第二開口部32。

此外，在本實(shí)施方式中，不特別限制第二開口部32的開口徑(開口尺寸)。然而，當(dāng)?shù)诙_口部32的開口徑變大時(shí)，從第二開口部32射出的蒸鍍流的量就無法忽視，這會(huì)致使材料利用效率顯著下降。

由此，優(yōu)選第二開口部32的開口徑比第一開口部31的開口徑小，特別優(yōu)選第二開口部32的x軸方向的開口徑(開口寬度)比第一開口部31的x軸方向的開口徑(開口寬度)小。由此，泄壓時(shí)，能夠減少從第二開口部32射出的蒸鍍流的量，能夠抑制材料利用效率的下降。

另一方面，當(dāng)?shù)诙_口部32的開口徑與第一開口部31的開口徑相比極其小時(shí)，第一開口部31有可能堵塞。因而，優(yōu)選第二開口部32的開口徑是100μm以上。由此，能夠減小第二開口部32堵塞的可能性。

此外，圖2列舉第一開口部31及第二開口部32俯視時(shí)是圓形的情況作為例子進(jìn)行了圖示，但第一開口部31及第二開口部32的形狀不特別限定于此。因而，所述開口徑(開口尺寸)表示通過開口中心的剖面的開口徑。因而，在如所述這樣開口形狀是圓形的情況下，所述開口徑表示直徑。

(保持件40)

保持件40是保持蒸鍍掩模10、限制板單元20及蒸鍍源30的保持部件。

保持件40只要能夠保持這些蒸鍍掩模10、限制板單元20及蒸鍍源30以使這些蒸鍍掩模10、限制板單元20及蒸鍍源30的相對位置被固定即可，不特別限定其結(jié)構(gòu)。

圖3是列舉如圖1所示這樣使蒸鍍顆粒301從下方朝向上方蒸鍍(向上沉積)于被成膜基板200的情況作為例子進(jìn)行圖示。因此，在圖3中，圖示的是保持件40從上方依次具備擱架41、擱架42、擱架43，配置蒸鍍掩模10于擱架41、配置限制板單元20于擱架42、配置蒸鍍源30于擱架43的例子。

然而，例如，在使蒸鍍顆粒301從上方朝向下方蒸鍍(向下沉積)于被成膜基板200的情況下，從上方依次配置蒸鍍源30、限制板單元20、蒸鍍掩模10、被成膜基板200。此外，在被成膜基板200的被成膜面201側(cè)朝向蒸鍍源30側(cè)而立于垂直方向的狀態(tài)下，通過蒸鍍掩模10使蒸鍍顆粒301橫向蒸鍍(側(cè)向沉積)的情況下，蒸鍍源30、限制板單元20、蒸鍍掩模10、被成膜基板200配置于同一平面。由此，蒸鍍源30、限制板單元20、蒸鍍掩模10、被成膜基板200的配置可以根據(jù)蒸鍍顆粒301的射出方向適當(dāng)變更。

此外，為了使蒸鍍掩模10、限制板單元20、蒸鍍源30的對準(zhǔn)或這些構(gòu)成要素的取出、安裝變得容易，保持件40也可以具備能夠在z軸方向或x軸方向滑動(dòng)位移的未圖示的滑動(dòng)機(jī)構(gòu)，通過該滑動(dòng)機(jī)構(gòu)，將這些構(gòu)成要素中的至少其一保持為能夠滑動(dòng)。

例如，蒸鍍材料在加熱時(shí)會(huì)熔融或蒸發(fā)，因此，能夠通過進(jìn)行加熱處理容易地回收。蒸鍍掩模10的開口寬度、平面度等要求的尺寸精度高，因此，有可能導(dǎo)致變形，無法進(jìn)行加熱處理。然而，限制板單元20不要求像蒸鍍掩模10那樣高的尺寸精度，因此，能進(jìn)行加熱處理，能夠?qū)⒊练e于限制板單元20的蒸鍍材料簡單地回收。因而，通過將限制板單元20設(shè)置成能夠取出，能夠提高材料利用效率。另外，蒸鍍掩模10是消耗品，優(yōu)選定期進(jìn)行更換。

另外，在蒸鍍單元1中，例如保持件40也可以具備對蒸鍍掩模10施加張力的未圖示的張力機(jī)構(gòu)。由此，能夠在對蒸鍍掩模10施加有張力的狀態(tài)下水平地保持蒸鍍掩模10，能夠容易維持將蒸鍍掩模10、限制板單元20、蒸鍍源30的相對位置關(guān)系。

另外，在所述蒸鍍單元1中，例如保持件40也可以進(jìn)一步具備未圖示的防附著板(遮蔽板)和閘門等。

<蒸鍍裝置100的概略構(gòu)成>

接著，參照圖3，對使用所述蒸鍍單元1的蒸鍍裝置100的一個(gè)例子進(jìn)行說明。

圖3示意性地表示本實(shí)施方式所涉及的蒸鍍裝置100的主要部分的概略構(gòu)成的剖面圖。

如圖3所示，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100具有在作為成膜室的真空腔室101內(nèi)設(shè)置有基板保持件102、基板移動(dòng)裝置103、蒸鍍單元1、蒸鍍單元移動(dòng)裝置104等的結(jié)構(gòu)。

(真空腔室101)

此外，在真空腔室101中，為了在蒸鍍時(shí)將該真空腔室101內(nèi)保持為真空狀態(tài)，設(shè)置有通過在該真空腔室101設(shè)置的未圖示的排氣口對真空腔室101內(nèi)進(jìn)行真空排氣的未圖示的真空泵(pump)。

(基板保持件102)

基板保持件102是保持被成膜基板200的基板保持部件。被成膜基板200由基本保持件102保持成其被成膜面201與蒸鍍掩模10隔開一定距離相對配置。

基板保持件102優(yōu)選使用例如靜電卡盤等。通過利用靜電卡盤等方法將被成膜基板200固定于基板保持件102，被成膜基板200以沒有由自重造成的彎曲的狀態(tài)被保持于基板保持件102。

(基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104)

在本實(shí)施方式中，通過基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104中的至少一方，使被成膜基板200和蒸鍍單元1以y軸方向成為掃描方向的方式相對移動(dòng)來進(jìn)行掃描蒸鍍。

基板移動(dòng)裝置103具備例如未圖示的電動(dòng)機(jī)，通過利用未圖示的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部來驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)，使被保持于基板保持件102的被成膜基板200移動(dòng)。另外，蒸鍍單元移動(dòng)裝置104具備例如未圖示的電動(dòng)機(jī)，通過利用未圖示的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)，使蒸鍍單元1相對于被成膜基板200相對移動(dòng)。

但是，只要被成膜基板200和蒸鍍單元1中的至少一方設(shè)置成能夠相對移動(dòng)即可。因而，也可以僅設(shè)置有基板移動(dòng)裝置103及蒸鍍單元移動(dòng)裝置104的其中一方。換言之，被成膜基板200和蒸鍍單元1中的一方也可以固定于真空腔室101的內(nèi)壁。

另外，能夠使用輥式的移動(dòng)裝置或油壓式的移動(dòng)裝置等公知的各種移動(dòng)裝置等，作為基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104。

<蒸鍍方法>

接著，對于使用所述蒸鍍裝置100的蒸鍍方法進(jìn)行說明。

首先，將所述蒸鍍單元1中的蒸鍍掩模10與被成膜基板200隔開一定距離相對配置(配置工序)。

另外，在所述配置工序中，使用分別設(shè)置于蒸鍍掩模10及被成膜基板200的未圖示的對準(zhǔn)標(biāo)記，進(jìn)行蒸鍍掩模10與被成膜基板200的相對對位，即，進(jìn)行對準(zhǔn)調(diào)整及蒸鍍掩模10與被成膜基板200間的間隙的調(diào)整(間隙控制)。

接著，一邊使所述蒸鍍單元1及被成膜基板200中的至少一方在俯視時(shí)在掃描方向(即，在與限制板22的排列方向垂直的方向，即y軸方向)相對移動(dòng)，一邊使從蒸鍍源30的第一開口部31射出的蒸鍍顆粒301通過限制板單元20及蒸鍍掩模10的掩模開口11覆蓋于被成膜基板200(覆蓋工序)。

在本實(shí)施方式中，在所述覆蓋工序中，一邊通過蒸鍍源30的第二開口32使蒸鍍源30內(nèi)的壓力消散，一邊從第一開口部31朝向被成膜基板200射出蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)。

從第一開口部31射出的蒸鍍流被限制板22遮擋不需要的成分，通過蒸鍍掩模10在被成膜基板200上有規(guī)則地進(jìn)行圖案成膜。另一方面，從第二開口32射出的蒸鍍顆粒301被限制板22完全遮擋，不會(huì)到達(dá)于被成膜基板200上。

這樣，限制板單元20具有如下兩個(gè)功能：控制從蒸鍍源30中的第一開口部31射出的各向同性的蒸鍍流，提高指向性；以及遮擋從第二開口部32射出的各向同性的蒸鍍流，使其不會(huì)到達(dá)被成膜基板200。

根據(jù)本實(shí)施方式，在成膜時(shí)通過第二開口部32使壓力消散，由此，可以防止第一開口部31的偽擴(kuò)展，防止異常圖案的蒸鍍膜303(參照圖10(b))的發(fā)生，可以在被成膜基板200的被成膜面201形成規(guī)定圖案的蒸鍍膜302。

另外，作為所述蒸鍍膜302，可以舉出有機(jī)el顯示裝置中的各分涂層(例如各色的發(fā)光層)。

<變形例>

另外，在本實(shí)施方式這，列舉在蒸鍍源30的上表面設(shè)置有多個(gè)第二開口部32的情況作為例子進(jìn)行了說明。然而，第二開口部32只要能夠使蒸鍍源30內(nèi)的壓力消散至外部即可。由此，為了可靠地抑制各第一開口部31的偽擴(kuò)展，優(yōu)選第二開口部32分別設(shè)置在各第一開口部31間，但不限定于此，只要設(shè)置有至少一個(gè)即可。

另外，在本實(shí)施方式中，列舉第二開口部32與各限制板22相對(重疊)地設(shè)置的情況作為例子進(jìn)行了說明。然而，第二開口部32只要不用建構(gòu)如專利文獻(xiàn)2這樣復(fù)雜的系統(tǒng)就能進(jìn)行蒸鍍源30內(nèi)的泄壓，且從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301不附著于被成膜基板200即可。由此，第二開口部32未必需要設(shè)置于蒸鍍源30的上表面，也可以設(shè)置于蒸鍍源30的側(cè)面等與蒸鍍掩模10不同的方向。

[第二實(shí)施方式]

根據(jù)圖6和圖7對本發(fā)明另外的實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。此外，在本實(shí)施方式中，主要對與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對于與第一實(shí)施方式中使用的構(gòu)成要素具有相同功能的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說明。

<蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成>

圖6表示涉及本實(shí)施方式的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板200一起表示的剖面圖。

如圖6所示，本實(shí)施方式的蒸鍍單元1除了限制板單元20具備限制板22及蒸鍍源30之間多片限制板52(第二限制板)這點(diǎn)之外，與第一實(shí)施方式的蒸鍍單元1相同。

圖7表示在涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的蒸鍍單元1中，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301的飛散角度與圖1不同的情況中的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成的剖面圖。

圖7所示的蒸鍍單元1與圖1所示的蒸鍍單元1相比，蒸鍍源30及限制板單元20之間的距離(即，蒸鍍源30及限制板22之間的距離)較大，限制板22的寬度大的另一方面，限制板22的高度(限制板開口23的z軸方向的開口長)小。

因此，圖7所示的蒸鍍單元1，從第二開口部32通過限制板22的下端附近直接入射至限制板開口23的蒸鍍流(換言之，往蒸鍍顆粒301的限制板開口23的入射路徑)與蒸鍍掩膜10的掩膜面的法線形成的角度，比圖1所示的蒸鍍單元1小。

像這樣，從第二開口部32射出的蒸鍍流往限制板開口23的入射角度，根據(jù)蒸鍍單元1的設(shè)計(jì)規(guī)格(例如，第一開口部31及第二開口部32的開口尺寸和間距、蒸鍍源30及限制板單元20之間的距離、限制板開口23的z軸方向的開口長、限制板開口23的x軸方向的開口寬等)改變。

如所述這樣，限制板22的高度及寬度，以及限制板開口23的x軸方向的開口寬度不特別限制。但，為了使各被成膜圖案區(qū)域202中的陰影的寬度窄，例如，對于限制板開口23的x軸方向的開口寬度，期望是限制板開口23的z軸方向的開口長長。這個(gè)場合，可以考慮限制板22的x軸方向的開口寬度窄或限制板22的高度高。

然而，當(dāng)限制板22的x軸方向的開口寬度小時(shí)，限制板單元20的開口率低下，為了增加附著于限制板22的蒸鍍材料的量，蒸鍍材料的利用效率有低下的傾向。另一方面，當(dāng)限制板22的高度高時(shí)，為了增大限制板22的重量，且減少蒸鍍顆粒301飛散的空間體積，蒸鍍顆粒301間的碰撞、散射機(jī)率有高的傾向。

一般，因?yàn)橛袡C(jī)el顯示裝置對于每個(gè)機(jī)種該像素設(shè)計(jì)不同，對于每個(gè)機(jī)種可以容許的陰影的寬度也不同。此外，通過被成膜基板200的大小，限制板22的大小不同，由此，限制板22的重量不同。因此，蒸鍍單元1考慮這些各種條件根據(jù)需求變更設(shè)計(jì)。

因此，根據(jù)蒸鍍單元1的設(shè)計(jì)規(guī)格，如圖7所示，僅限制板22有可能無法全部遮擋從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301。

然而，限制板單元20及第二開口部32期望的昰，從所述第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301通過限制板單元20遮擋，以不到達(dá)蒸鍍掩膜10的方式設(shè)計(jì)。

因此，本實(shí)施方式中，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301中，為了遮擋僅限制板22無法遮擋的蒸鍍顆粒301，如圖6所示，在限制板22及蒸鍍源30之間設(shè)置多片限制板52。

限制板52相對于一片限制板22在x軸方向設(shè)置至少兩片，俯視時(shí)，以相對相同限制板22的限制板52夾住相對于所述限制板22的第二開口部32的方式配置。

對于一片限制板22僅設(shè)置一片限制板52的情況，或是，俯視時(shí)，在限制板22中，僅設(shè)置限制板52于夾住第二開口部32在x軸方向的單一方的側(cè)的情況，從第二開口部32射出，無法遮擋從另一方的側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，期望是限制板52在限制板22中夾住第二開口部32設(shè)置于兩側(cè)。

與限制板22同樣，限制板52分別以yz平面作為主面，每一主面在x軸方向相鄰，且對于蒸鍍掩膜10的掩膜面及被成膜基板200的被成膜面201垂直配置。

因此，限制板單元20中，限制板22及蒸鍍源30之間俯視時(shí)，彼此隔開，且具備彼此平行設(shè)置的多片限制板52形成的限制板列51。另外，與限制板22同樣，限制板52的長軸在y軸方向平行配置，短軸在z軸方向平行配置。

設(shè)置在x軸方向彼此相鄰的限制板22，彼此相鄰的限制板52間(即，俯視時(shí)夾住限制板開口23的限制板52間)形成有相連于限制板開口23的限制板開口53。

因此，本實(shí)施方式中，從第一開口部31射出的蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)通過限制板開口53及限制板開口23后，通過掩膜開口11覆蓋于被成膜基板200。從第一開口部31射出的蒸鍍流，通過限制板開口53及限制板開口23時(shí)，通過限制板52及限制板22遮擋不要的成分，通過蒸鍍掩膜10規(guī)則正確的圖案成膜于被成膜基板200上。

另一方面，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)通過限制板52遮擋，且通過限制板52限制入射至限制板開口23的角度。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，通過限制板52，可以遮擋通過限制板開口23的蒸鍍流。由此，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)通過限制板52及限制板22遮擋全部。像這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，僅限制板22不能夠遮擋，可以有效果地遮擋從第二開口部32射出的蒸鍍流。

另外，關(guān)于限制板52的位置，有需要設(shè)置于可以遮擋從第二開口部32射出的蒸鍍流的位置。這是幾何學(xué)的參數(shù)，可以容易計(jì)算。

限制板52通過相對于每一限制板22在x軸方向設(shè)置至少兩片，限制板52的寬度(即，x軸方向的厚度)比限制板22的寬度小。

另外，與限制板22同樣，適當(dāng)?shù)脑O(shè)定限制板52的高度及寬度即可，但當(dāng)過大時(shí)，并不期望因?yàn)檎翦冊?0及限制板單元20之間的空間變小。優(yōu)選的是，為了從第二開口部32射出的蒸鍍流在劇烈的壓力變化不改變蒸鍍分布，限制板52在蒸鍍源30及限制板單元20之間的空間占的比例(體積)小。另外，限制板52的高度和寬度變大，也會(huì)導(dǎo)致限制板52的重量增加。因此，優(yōu)選的是，也考慮這點(diǎn)，決定限制板52的高度和寬度。

但是，不管怎樣，限制板52在蒸鍍源30及限制板單元20之間的空間占比，如圖5(c)這樣將限制板22的底部延伸至蒸鍍源30側(cè)的情況，延伸的限制板22，比相對延伸限制板22前的蒸鍍源30和限制板單元20之間的空間占比小。因此，在蒸鍍源30及限制板22之間限制板52具有的情況和沒有的情況的壓力差，比將限制板22的底部延伸至蒸鍍源30側(cè)的情況和沒有延伸的情況的壓力差小。

另外，在本實(shí)施方式中，將限制板52靠近限制板22的和蒸鍍源30相對的面中的限制板開口23地設(shè)置。像這樣，通過將限制板52設(shè)置于限制板22的x軸方向端部或其附近，與將限制板52設(shè)置于靠近限制板22的中央的情況比較，從第二開口部32通過限制板22的下端附近直接入射至限制板開口23的蒸鍍流和蒸鍍掩膜10的掩膜面的法線可以形成大角度。因此，通過限制板52，可以有效率的遮擋入射至限制板開口23的蒸鍍顆粒301。

另外，限制板52可以是分別固定于限制板22的下面或通過與限制板22一體地形成，與限制板22一體地設(shè)置。

或者，限制板列51是如圖4(a)所示這樣的塊狀的單元或如圖4(b)所示這樣的組裝體，與限制板列21分體設(shè)置即可。即，限制板單元20可以是一體結(jié)構(gòu)物，也可以是限制板多段地設(shè)置的多段狀的單元。

另外，將限制板52固定于限制板22的下面的方法不特別限定，例如，可以通過粘接劑或粘貼劑固定，也可以通過螺栓和螺絲等固定件固定。另外，將限制板52和限制板22一體形成的方法不特別限定，可以使用模具成型、注射成型等公知的成型方法。

[第三實(shí)施方式]

本發(fā)明關(guān)于進(jìn)一步的其他實(shí)施方式基于圖8及圖9如下說明。另外，在本實(shí)施方式中，主要對與第一、第二實(shí)施方式的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對于與第一、第二實(shí)施方式中使用的構(gòu)成要素具有相同功能的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說明。

<蒸鍍單元1的概略構(gòu)成>

圖8表示涉及本實(shí)施方式的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板200一起表示的剖面圖。

如圖8所示，本實(shí)施方式的蒸鍍單元1除了限制板單元20具備在限制板22及蒸鍍掩膜10之間，俯視時(shí)，相對于限制板22，且，彼此隔開地設(shè)置的多片的限制板62(第三限制板)所構(gòu)成的限制板列61這點(diǎn)之外，與第一實(shí)施方式的蒸鍍單元1相同。

在第二實(shí)施方式中如圖7所示這樣，根據(jù)蒸鍍單元1的設(shè)計(jì)規(guī)格，僅限制板22有可能無法全部遮擋從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301。

因此，在本實(shí)施方式中，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301中，為了遮擋僅通過限制板22沒有辦法遮擋的蒸鍍顆粒301，如圖8所示，在限制板22及蒸鍍掩膜10之間設(shè)置多片限制板62。

與限制板22同樣，限制板62分別以yz平面作為主面，每一主面在x軸方向相鄰，且對于蒸鍍掩膜10的掩膜面及被成膜基板200的被成膜面201垂直配置。因此，限制板62彼此平行的設(shè)置。另外，與限制板22同樣，限制板62的長軸在y軸方向平行配置，短軸在z軸方向平行配置。

設(shè)置在x軸方向彼此相鄰的限制板22，彼此相鄰的限制板62間(即，俯視時(shí)夾住限制板開口23的限制板62間)形成有相連于限制板開口23的限制板開口53。

因此，本實(shí)施方式中，從第一開口部31射出的蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)通過限制板開口23及限制板開口63后，通過掩膜開口11覆蓋于被成膜基板200。從第一開口部31射出的蒸鍍流，通過限制板開口23及限制板開口63時(shí)，通過限制板22及限制板62遮擋不要的成分，通過蒸鍍掩膜10規(guī)則正確的圖案成膜于被成膜基板200上。

另一方面，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)通過限制板22大致遮擋，于是，從第二開口部32射出的、通過限制板22沒有遮擋、通過限制板開口23的蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)通過限制板62遮擋。由此，從第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301(蒸鍍流)通過限制板22及限制板62遮擋全部。像這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，僅限制板22不能夠遮擋，可以有效果地遮擋從第二開口部32射出的蒸鍍流。

另外，關(guān)于限制板62的位置，有需要設(shè)置于可以遮擋從第二開口部32射出的蒸鍍流的位置。這是幾何學(xué)的參數(shù)，可以容易計(jì)算。由此，不特別限定限制板62的位置，但限制板62俯視時(shí)，在x軸方向彼此相鄰的限制板開口23之間的中央部分，即，在各限制板22中，只要在x軸方向的中央部分設(shè)置一個(gè)即可。由此，在本實(shí)施方式中，比第二實(shí)施方式這樣對于一片限制板22設(shè)置兩片限制板52簡便，利用少數(shù)的限制板62，可以有效率的遮擋通過限制板開口23，從第二開口部32射出的蒸鍍流。另外，本實(shí)施方式的蒸鍍單元1與第二實(shí)施方式的蒸鍍單元1不同，蒸鍍源30與限制板單元20間的空間沒有變窄，效果更佳。

如圖8所示，限制板62是限制板22的寬度(即，x軸方向的厚度)比限制板22的寬度小。

另外，與限制板22同樣，適當(dāng)?shù)脑O(shè)定限制板62的高度及寬度即可，但當(dāng)過大時(shí)，并不期望因?yàn)橄拗瓢鍐卧?0及蒸鍍掩膜10之間的空間變小。優(yōu)選的是，為了從第一開口部31射出通過限制板開口23的蒸鍍流在劇烈的壓力變化不改變蒸鍍分布，限制板62在限制板單元20及蒸鍍掩膜10之間的空間占比(體積)小。因此，優(yōu)選的是，也考慮這點(diǎn)，決定限制板62的高度和寬度。

但是，不管怎樣，限制板62在限制板單元20及蒸鍍掩膜10之間的空間占比，是將限制板22的上部延伸至蒸鍍掩膜10側(cè)的情況，延伸的限制板22，比相對延伸限制板22前的限制板單元20及蒸鍍掩膜10之間的空間占比小。因此，在限制板單元20及蒸鍍掩膜10之間限制板62具有的情況和沒有的情況的壓力差，比將限制板22的上部延伸至蒸鍍掩膜10側(cè)的情況和沒有延伸的情況的壓力差小。

另外，限制板62可以是分別固定于限制板22的上面或通過與限制板22一體地形成，與限制板22一體地設(shè)置。

或者，限制板列61是如圖4(a)所示這樣的塊狀的單元或如圖4(b)所示這樣的組裝體，與限制板列21分體設(shè)置及可。即，與第二實(shí)施方式同樣，限制板單元20可以是一體結(jié)構(gòu)物，也可以是限制板多段地設(shè)置的多段狀的單元。

<變形例>

圖9昰表示涉及本變形例的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成的一個(gè)例子與被成膜基板200一起表示的剖面圖。

如圖9所示這樣，圖8所示的限制板單元20可以與圖6所示的限制板52組合。

如圖9所示，對于一片限制板22，通過分別設(shè)置限制板52及限制板62，可以更可靠地利用限制板單元20遮擋從第二開口部32射出地蒸鍍流。

[總結(jié)]

本發(fā)明第一方式的蒸鍍單元1使規(guī)定圖案的蒸鍍膜302成膜于被成膜基板200上，其特征在于，包含：蒸鍍源30；配置于所述蒸鍍源30及所述被成膜基板200之間的蒸鍍掩膜10；以及配置于所述蒸鍍源30及所述蒸鍍掩膜10之間的限制板單元20；所述限制板單元20具有在從與所述蒸鍍掩膜10的主面垂直的方向看時(shí)彼此隔開地設(shè)置的多片第一限制板(限制板22)；所述蒸鍍源30具有在從與所述蒸鍍掩膜10的主面垂直的方向看時(shí)分別設(shè)置在所述第一限制板間的間隙(限制板開口23)的用于蒸鍍顆粒射出的多個(gè)第一開口部31、及設(shè)置在不與所述間隙相對的位置的至少一個(gè)用于泄壓的第二開口部32。

根據(jù)所述構(gòu)成，利用成模時(shí)通過所述第二開口部32使壓力消散，不建構(gòu)復(fù)雜的系統(tǒng)，以簡單的方法，抑制在所述第一開口部31附近的上升壓力，特別是，在高速率時(shí)可以抑制在第一開口部31附近的劇烈的壓力上升。因此，可以達(dá)成高速率，且以簡單的方法，可以防止第一開口部31的偽擴(kuò)展。由此，根據(jù)所述構(gòu)成，以簡單的方法，可以抑制在第一開口部31附近的劇烈的壓力上升，防止異常成模的發(fā)生。

根據(jù)本發(fā)明第二方式的蒸鍍單元1，在所述第一方式，所述第二開口部32與所述第一限制板(限制板22)相對設(shè)置即可。

根據(jù)所述構(gòu)成，通過所述第一限制板，可以防止從所述第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301通過所述第一限制板間的間隙附著于所述被成?；?00上。這個(gè)情況，所述限制板單元20具有兩個(gè)功能：控制從所述第一開口部31射出的各向同性的蒸鍍流，提高指向性的功能，及遮擋從所述第二開口部32射出的各向同性的蒸鍍流，以使不能到達(dá)被成?；?00的功能。

根據(jù)本發(fā)明第三方式的蒸鍍單元1，在所述第二方式，所述第二開口部32在從與所述蒸鍍掩膜10的主面垂直的方向看時(shí)，設(shè)置于所述第一限制板間的彼此相鄰的間隙(限制板開口23)之間的中央部分(換言之，在所述第一限制板的排列方向中，所述第一限制板的中央部分)即可。

根據(jù)所述構(gòu)成，通過所述第一限制板，可以可靠地防止從所述第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301通過所述第一限制板間的間隙附著于所述被成?；?00上。

根據(jù)本發(fā)明第四方式的蒸鍍單元1，在所述第二或三方式，所述限制板單元20具有多片第二限制板(限制板52)，所述多片第二限制板(限制板52)在所述蒸鍍源30及所述第一限制板(限制板22)之間，與所述第一限制板相對且在所述第一限制板的排列方向彼此隔開地設(shè)置；所述第二限制板針對于每一片所述第一限制板設(shè)置至少二片，在從與所述蒸鍍掩膜10的主面垂直的方向看時(shí)，與相同第一限制板相對的第二限制板夾著與所述第一限制板相對的第二開口部32設(shè)置即可。

根據(jù)所述構(gòu)成，通過所述第二限制板，可以限制從所述第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301入射于所述第一限制板間的間隙的角度。由此，根據(jù)所述構(gòu)成，通過所述第二限制板，可以遮擋通過所述第一限制板間的間隙的蒸鍍流。

根據(jù)本發(fā)明第五方式的蒸鍍單元1，在所述第二至四中任一方式，具有多片第三限制板(限制板62)，所述多片第三限制板(限制板62)在所述第一限制板(限制板22)及所述蒸鍍掩膜10之間，與所述第一限制板相對且在所述第一限制板的排列方向彼此隔開地設(shè)置；所述第三限制板，針對于每一片所述第一限制板設(shè)置至少一片即可。

根據(jù)所述構(gòu)成，通過所述第三限制板，可以遮擋通過所述第一限制板間的間隙，從所述第二開口部32射出的蒸鍍流。

根據(jù)本發(fā)明第六方式的蒸鍍單元1，在所述第五方式，所述第三限制板(限制板62)在從與所述蒸鍍掩膜10的主面垂直的方向看時(shí)，設(shè)置于所述第一限制板間的彼此相鄰的間隙(限制板開口23)之間的中央部分(換言之，在所述第一限制板的排列方向中，所述第一限制板的中央部分)即可。

根據(jù)所述構(gòu)成，通過少數(shù)的第三限制板，通過所述第一限制板間的間隙，可以有效率的遮擋從所述第二開口部32射出的蒸鍍流。

根據(jù)本發(fā)明第七方式的蒸鍍單元1，在所述第一至六中任一方式，所述第二開口部32的開口徑比所述第一開口部31的開口徑小即可。

當(dāng)所述第二開口部的開口徑變大時(shí)，不能無視從所述第二開口部射出的蒸鍍流的量，材料利用效率顯著地低下。根據(jù)所述構(gòu)成，泄壓時(shí)可以減少從所述第二開口部32射出的蒸鍍流的量，可以抑制材料利用效率的低下。

根據(jù)本發(fā)明第八方式的蒸鍍單元1，在所述第七方式，在所述第二開口部32中通過其開口中心的剖面的開口徑是100μm以上即可。

當(dāng)所述第二開口部的開口徑變小時(shí)，所述第二開口部32有可能堵塞。根據(jù)所述構(gòu)成，可以降低所述第二開口部32堵塞的可能性。

根據(jù)本發(fā)明第九方式的蒸鍍單元1，在所述第一至八中任一方式，所述限制板單元20及所述第二開口部32，以從所述第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301被所述限制板單元20遮擋而不會(huì)到達(dá)所述蒸鍍掩膜10的方式設(shè)計(jì)即可。

根據(jù)所述構(gòu)成，可以防止從所述第二開口部32射出的蒸鍍顆粒301通過所述蒸鍍掩膜10的掩膜開口11，附著于被成?；?00的被成模面201。

根據(jù)本發(fā)明第十方式的蒸鍍裝置100，包含：第一至九方式中任一方式所述的蒸鍍單元1；以及移動(dòng)裝置(基板移動(dòng)裝置103及蒸鍍單元移動(dòng)裝置104中的至少一方)，在使所述蒸鍍單元1中的蒸鍍掩膜10及被成膜基板200相對配置的狀態(tài)下，使所述蒸鍍單元1及所述被成膜基板200中的至少一方，以從與所述蒸鍍掩膜10的主面垂直的方向看時(shí)與所述第一限制板(限制板22)的排列方向垂直的方向成為掃描方向的方式相對移動(dòng)；所述蒸鍍掩膜10在所述掃描方向的寬度比所述被成膜基板200在所述掃描方向的寬度窄；一邊沿著所述掃描方向掃描一邊使從所述第一開口部31射出的蒸鍍顆粒301通過所述限制板單元20及所述蒸鍍掩膜10蒸鍍至所述被成膜基板200。

根據(jù)所述構(gòu)成，可以得到與第一方式同樣的效果。

根據(jù)本發(fā)明第十一方式的蒸鍍方法，使用所述第十方式所述的蒸鍍裝置100使規(guī)定圖案的蒸鍍膜302成膜于被成膜基板200上，其特征在于，包含：配置工序，使所述蒸鍍單元1中的蒸鍍掩膜10及被成膜基板200隔開一定距離地相對配置；以及覆蓋工序，一邊使所述蒸鍍單元1及所述被成膜基板200中的至少一方在從與所述蒸鍍掩膜10的主面垂直的方向看時(shí)在與所述第一限制板(限制板22)的排列方向垂直的方向相對移動(dòng)，一邊使從所述第一開口部31射出的蒸鍍顆粒301通過所述限制板單元20及所述蒸鍍掩膜10覆蓋至所述被成膜基板200；在所述覆蓋工序，一邊通過所述第二開口部32使所述蒸鍍源30內(nèi)的壓力釋放，一邊從所述第一開口部31朝向所述被成膜基板200射出蒸鍍顆粒301即可。

根據(jù)所述方法，可以得到與第一方式同樣的效果。

本發(fā)明并不限定于所述的各實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求表示的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更，將在不同實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)手段適當(dāng)組合而得到的實(shí)施方式也包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。此外，通過將在各實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)手段組合，能夠形成新的技術(shù)特征。

本發(fā)明能夠適合用于在使用掃描方式的掃描蒸鍍中使用的蒸鍍單元以及使用這樣的蒸鍍單元成膜規(guī)定的圖案的蒸鍍裝置，其中，在掃描蒸鍍中，在使被成膜基板與蒸鍍單元相對移動(dòng)而掃描的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。特別地，本發(fā)明的蒸鍍單元、蒸鍍裝置以及蒸鍍方法，例如能夠適合用于有機(jī)el顯示裝置的有機(jī)層的分涂形成等成膜工藝所使用的有機(jī)el顯示裝置的制造裝置以及制造方法等。

附圖標(biāo)記的說明

1蒸鍍單元

10蒸鍍掩膜

11掩膜開口

12非開口部

13掩膜開口群區(qū)域

20限制板單元

21限制板列

22限制板(第一限制板)

23限制板開口(第一限制板間的間隙)

24保持體部

24a第一保持部件

24b第二保持部件

30蒸鍍源

31第一開口部

32第二開口部

40保持件

41、42、43架

51限制板列

52限制板(第二限制板)

53限制板開口

61限制板列

62限制板(第三限制板)

63限制板開口

100蒸鍍裝置

101真空腔室

102基板保持件

103基板移動(dòng)裝置(移動(dòng)裝置)

104蒸鍍單元移動(dòng)裝置(移動(dòng)裝置)

200被成膜基板

201被成膜面

202被成膜圖案區(qū)域

203非成膜區(qū)域

204區(qū)域

205被成膜區(qū)域

301蒸鍍顆粒

302蒸鍍膜(正常圖案模)

303異常圖案的蒸鍍膜(異常圖案膜)