本實(shí)用新型涉及單晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅片打磨用底盤。

背景技術(shù)：

切割后的硅片厚度一般只有幾毫米甚至更薄，由于切割精度的原因以及后續(xù)工藝要求的要求，這樣的厚度一致性較差，需要進(jìn)行打磨處理，打磨時(shí)一般將硅片固定在打磨底盤上，現(xiàn)有打磨底盤只能針對(duì)特定厚度進(jìn)行打磨，當(dāng)打磨厚度變化時(shí)需要更換打磨底盤，費(fèi)時(shí)費(fèi)力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有的技術(shù)缺陷，提供一種硅片打磨用底盤。

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

一種硅片打磨用底盤，包括底盤本體，在所述底盤本體上設(shè)置有凹槽，凹槽以底盤圓心為中心對(duì)稱分布，可以設(shè)置4-6個(gè)凹槽，硅片置于凹槽中，在凹槽內(nèi)安裝有托架，所述托架呈T形，一端為圓盤面，另一端為直線端,直線端穿過底盤本體并可在凹槽內(nèi)上下移動(dòng)，當(dāng)硅片置于凹槽內(nèi)時(shí)，托架支撐起硅片，依據(jù)需要打磨厚度調(diào)整托架在凹槽內(nèi)的高度。

進(jìn)一步在托架圓盤面中心設(shè)置通孔，通孔穿過托架直線端并與真空裝置連接，從而通過通孔將硅片吸住，防止打磨過程中可能出現(xiàn)的滑動(dòng)。

底盤本體可以為圓形或者方形。

本實(shí)用新型的有益效果為：通過在底盤本體的凹槽內(nèi)設(shè)置一上下移動(dòng)的托架，依據(jù)需要打磨厚度調(diào)整托架在凹槽內(nèi)的高度，不需頻繁的更換底盤，進(jìn)一步在托架內(nèi)設(shè)置通孔并與真空裝置連接，可防止打磨過程中可能出現(xiàn)的硅片位置滑移。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型示意圖；

圖2為圖1沿A-A面剖面圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。

如圖1、2所示，一種硅片打磨用底盤，包括底盤本體1，在底盤本體1上設(shè)置有凹槽2，凹槽2以底盤圓心為中心對(duì)稱分布，可以設(shè)置4-6個(gè)凹槽2，硅片置于凹槽2中，在凹槽2內(nèi)安裝有托架3，托架3呈T形，一端為圓盤面，另一端為直線端,直線端穿過底盤本體1并可在凹槽2內(nèi)上下移動(dòng)，當(dāng)硅片置于凹槽2內(nèi)時(shí)，托架3支撐起硅片，依據(jù)需要打磨厚度調(diào)整托架3在凹槽2內(nèi)的高度。

進(jìn)一步在托架3圓盤面中心設(shè)置通孔4，通孔4穿過托架3直線端并與真空裝置連接，從而通過通孔4將硅片吸住，防止打磨過程中可能出現(xiàn)的滑動(dòng)。

底盤本體1可以為圓形或者方形。

以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。