專利名稱：硅片用托舉件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及光伏電池制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種硅片用托舉件。
背景技術(shù)：
光伏電池生產(chǎn)過程中，需要在光伏電池的半成品電池即硅片的表面鍍上一層減反射膜。目前，采用化學(xué)氣相沉積的方法在硅片表面形成減反射膜?；瘜W(xué)氣相沉積方法，即采用化學(xué)方法使氣體在基體材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成覆蓋層的方法。硅片在鍍減反射膜的過程中，硅片不可能懸浮于承載基板16的表面，需要有一定的裝置對工藝中的硅片進行定位和托舉。現(xiàn)有的托舉件，如圖I所示，該裝置包括定位部和位于定位部底端的托舉部。該定位部包括第一夾壁11和第二夾壁14，第一夾壁11和第二夾壁14之間形成與承載基板16相配合的夾槽13 ;該托舉部包括第一掛鉤12和第二掛鉤15，第一掛鉤12和第二掛鉤15分別凹向托舉件的底部，且二者也凹向第一夾壁11和第二夾壁14的外側(cè)面。在使用時，托舉件從承載基板16底部插入，使得承載基板16的邊框位于夾槽13內(nèi)，將第一夾壁11和第二夾壁14超出承載基板16的部分連在一起，實現(xiàn)定位；然后將待鍍的硅片17搭放在第一掛鉤12和第二掛鉤15上，通過其他托舉件的掛鉤來共同實現(xiàn)對硅片17的托舉，如圖2所示。很顯然，在成膜過程中，現(xiàn)有的托舉件與硅片17的接觸為正面接觸，即與硅片17的待鍍膜面接觸。托舉件底部的第一掛鉤12和第二掛鉤15對硅片17有一定范圍的遮擋，第一掛鉤12和第二掛鉤15阻擋了氣流向硅片17與第一掛鉤12和第二掛鉤15相對應(yīng)的部分，使得硅片17與第一掛鉤12和第二掛鉤15相對應(yīng)的部分不能鍍上減反射膜或者鍍上的減反射膜較薄，導(dǎo)致娃片17與第一掛鉤12和第二掛鉤15相對應(yīng)的部分和娃片17的其他部分出現(xiàn)顏色差異，最終硅片17的表面出現(xiàn)了顏色不一致區(qū)域，降低了硅片17的鍍膜質(zhì)量。綜上所述，如何提供一種硅片用托舉件，以減小硅片表面顏色不一致的區(qū)域，進而提高硅片的鍍膜質(zhì)量，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供了一種硅片用托舉件，減小了硅片表面顏色不一致的區(qū)域，進而提高了硅片的鍍膜質(zhì)量。為了達到上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案一種硅片用托舉件，位于承載基板上，用于托舉待鍍膜的硅片，該硅片用托舉件包括定位部，所述定位部包括第一夾壁和第二夾壁，所述第一夾壁和第二夾壁之間形成與所述承載基板相配合的夾槽；位于所述定位部底側(cè)的托舉部，所述托舉部包括第一托臂和第二托臂，所述第一托臂和第二托臂分別外伸于所述第一夾壁和第二夾壁的外側(cè)面，且所述第一托臂和第二托臂的頂面均向遠離所述夾槽的一端傾斜。優(yōu)選的，上述硅片用托舉件中，所述第一托臂和第二托臂的底面均向遠離所述夾槽的一端傾斜。優(yōu)選的，上述硅片用托舉件中，所述第一托臂和第二托臂的傾斜角度均為27°。優(yōu)選的，上述硅片用托舉件中，所述第一夾壁的外側(cè)設(shè)有依次遠離所述凹槽底端的第一彎折凹槽和第一彎折凸起；所述第二夾壁的外側(cè)設(shè)有與所述第一彎折凸起和第一彎折凹槽相對應(yīng)的第二彎折凸起和第二彎折凹槽；所述硅片用托舉件放置在承載基板上后，所述第一彎折凹槽和第二彎折凹槽靠近所述承載基板的側(cè)面不低于所述承載基板的頂面。優(yōu)選的，上述硅片用托舉件中，所述硅片用托舉件放置在承載基板上后，所述第一彎折凹槽和第二彎折凹槽靠近所述承載基板的側(cè)面與所述承載基板的頂面位于同一平面。優(yōu)選的，上述硅片用托舉件中，所述第一托臂和第二托臂放置所述硅片后，所述硅片的上表面不低于所述夾槽的底面。優(yōu)選的，上述硅片用托舉件中，所述第一托臂和第二托臂放置所述硅片后，所述硅片的上表面與所述夾槽的底面位于同一平面。優(yōu)選的，上述硅片用托舉件，為不銹鋼件。本實用新型提供的硅片用托舉件，包括定位部和托舉部，定位部包括第一夾壁、第二夾壁，通過第一夾壁和第二夾壁及其二者間的夾槽使得硅片用托舉件定位在承載基板上；托舉部包括第一托臂和第二托臂，二者外伸于第一夾壁和第二夾壁的外側(cè)面，且第一托臂和第二托臂的頂面均向硅片用托舉件的底部傾斜，使得硅片可搭放在第一托臂和第二托臂上，實現(xiàn)了對硅片的托舉。上述硅片用托舉件，與硅片的接觸面為側(cè)面，該側(cè)面不需要鍍膜，第一托臂和第二托臂與硅片的待鍍膜面之間留有間隙，即該硅片用托舉件未與硅片的待鍍膜面接觸，從而減小了對硅片鍍膜的影響，減小了硅片表面顏色不一致的區(qū)域，進而提高了硅片的鍍膜質(zhì)量。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)提供的硅片用托舉件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的硅片用托舉件使用時的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的硅片用托舉件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的硅片用托舉件使用時的結(jié)構(gòu)示意圖。上圖I-圖4中第一夾壁11、第一掛鉤12、夾槽13、第二夾壁14、第二掛鉤15、承載基板16、娃片17、第一夾壁21、第一托臂22、夾槽23、第二夾壁24、第二托臂25、承載基板26、硅片27、第、一彎折凸起211、第一彎折凹槽212、第二彎折凸起241、第二彎折凹槽242。
具體實施方式
本實用新型提供了一種硅片用托舉件，未與硅片的待鍍膜面接觸，從而減小了對硅片鍍膜的影響，減小了硅片表面顏色不一致的區(qū)域，進而提高了硅片的鍍膜質(zhì)量。下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參考附圖3-4，圖3為本實用新型實施例提供的硅片用托舉件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的硅片用托舉件使用時的結(jié)構(gòu)示意圖。本實用新型實施例提供的硅片用托舉件，位于承載基板26上，用于托舉待鍍膜的硅片27，該硅片用托舉件包括定位部，其包括第一夾壁21和第二夾壁24，第一夾壁21和第二夾壁24之間形成與承載基板26相配合的夾槽23 ;位于定位部底側(cè)的托舉部，該托舉部包括第一托臂22和第二托臂25，第一托臂22和第二托臂25分別外伸于第一夾壁21和第二夾壁24的外側(cè)面，且第一托臂22和第二托臂25的頂面均向遠離夾槽23的一端傾斜。本實用新型提供的硅片用托舉件，包括定位部和托舉部，定位部包括第一夾壁21、第二夾壁24，通過第一夾壁21和第二夾壁24及其二者間的夾槽23使得硅片用托舉件定位在承載基板26上；托舉部包括第一托臂22和第二托臂25, 二者外伸于第一夾壁21和第二夾壁24的外側(cè)面，且第一托臂22和第二托臂25的頂面均向硅片用托舉件的底部傾斜，使得硅片27可搭放在第一托臂22和第二托臂25上，實現(xiàn)了對硅片27的托舉。上述硅片用托舉件，與硅片27的接觸面為側(cè)面，該側(cè)面不需要鍍膜，第一托臂22和第二托臂25與硅片27的待鍍膜面之間留有間隙，即該硅片用托舉件未與硅片27的待鍍膜面接觸，從而減小了對硅片27鍍膜的影響，減小了硅片27表面顏色不一致的區(qū)域，進而提高了硅片27的鍍膜質(zhì)量。同時，第一托臂22和第二托臂25與硅片27的待鍍膜面之間留有間隙，減小了對氣流的阻擋，進而減小了對硅片27鍍膜的影響，減小了硅片27表面顏色不一致的區(qū)域，進而提聞了娃片27的鍛I旲質(zhì)量。優(yōu)選的，上述實施例提供的硅片用托舉件中，第一托臂22和第二托臂25的底面均向遠離夾槽23的一端傾斜。這樣，更加有利于減小第一托臂22和第二托臂25對氣流的影響，進一步減小了對硅片27鍍膜的影響，進一步減小了硅片27表面顏色不一致的區(qū)域，進而進一步提聞了娃片27的鍛I旲質(zhì)量。為了保證第一托臂22和第二托臂25提供足夠的支撐強度和盡量減小對氣流的影響，上述實施例提供的硅片用托舉件中，第一托臂22和第二托臂25的傾斜角度均為27°。當(dāng)然，也可以為其他的角度，只要能夠保證第一托臂22和第二托臂25提供足夠的支撐強度和減小對氣流的影響即可，本實用新型對此不作具體地限定。為了便于將上述硅片用托舉件定位于承載基板26上，上述實施例提供的硅片用托舉件中，第一夾壁21的外側(cè)設(shè)有依次遠離夾槽23底端的第一彎折凹槽212和第一彎折凸起211 ;第二夾壁24的外側(cè)設(shè)有與第一彎折凸起211和第一彎折凹槽212相對應(yīng)的第二彎折凸起241和第二彎折凹槽242 ;硅片用托舉件放置在承載基板26上后，第一彎折凹槽212和第二彎折凹槽242靠近承載基板26的側(cè)面不低于承載基板26的頂面。將上述硅片用托舉件從承載基板26的底側(cè)插入，使得承載基板26位于夾槽23內(nèi)，用力對壓第一彎折凸起211和第二彎折凸起241，使得第一彎折凹槽212和第二彎折凹槽242彎向夾槽23的內(nèi)部，即第一彎折凸起211和第二彎折凸起241也彎向夾槽23的內(nèi)部，連接第一彎折凸起211和第二彎折凸起241，即可將該硅片用托舉件定位在承載基板26上。連接第一彎折凸起211和第二彎折凸起241，可以采用焊接，也可以采用其他的方式，本實用新型對此不作具體地限定。優(yōu)選的，上述實施例提供的硅片用托舉件中，硅片用托舉件放置在承載基板26上后，第一彎折凹槽212和第二彎折凹槽242靠近承載基板26的側(cè)面與承載基板26的頂面位于同一平面。上述硅片用托舉件可更加穩(wěn)定的固定在承載基板26上。為了便于安放硅片27，上述實施例提供的硅片用托舉件中，第一托臂22和第二托臂25放置硅片27后，硅片27的上表面不低于夾槽23的底面。具體的，上述硅片用托舉件中，第一托臂22和第二托臂25放置娃片27后,娃片27的上表面與夾槽23的底面位于同 一平面。為了便于制造上述硅片用托舉件，上述實施例提供的硅片用托舉件為不銹鋼件，同時也便于取材，節(jié)省制造成本。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種硅片用托舉件，位于承載基板(26)上，用于托舉待鍍膜的硅片(27)，其特征在于，包括 定位部，所述定位部包括第一夾壁(21)和第二夾壁(24)，所述第一夾壁(21)和第二夾壁(24)之間形成與所述承載基板(26)相配合的夾槽(23)； 位于所述定位部底側(cè)的托舉部，所述托舉部包括第一托臂(22)和第二托臂(25)，所述第一托臂(22)和第二托臂(25)分別外伸于所述第一夾壁(21)和第二夾壁(24)的外側(cè)面，且所述第一托臂(22)和第二托臂(25)的頂面均向遠離所述夾槽(23)的一端傾斜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅片用托舉件，其特征在于，所述第一托臂(22)和第二托臂(25)的底面均向遠離所述夾槽(23)的一端傾斜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅片用托舉件，其特征在于，所述第一托臂(22)和第二托臂(25)的傾斜角度均為27°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的硅片用托舉件，其特征在于，所述第一夾壁(21)的外側(cè)設(shè)有依次遠離所述夾槽(23)底端的第一彎折凹槽(212)和第一彎折凸起(211)； 所述第二夾壁(24)的外側(cè)設(shè)有與所述第一彎折凸起(211)和第一彎折凹槽(212)相對應(yīng)的第二彎折凸起(241)和第二彎折凹槽(242)； 所述硅片用托舉件放置在所述承載基板(26)上后，所述第一彎折凹槽(212)和第二彎折凹槽(242)靠近所述承載基板(26)的側(cè)面不低于所述承載基板(26)的頂面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片用托舉件，其特征在于，所述硅片用托舉件放置在所述承載基板(26)上后，所述第一彎折凹槽(212)和第二彎折凹槽(242)靠近所述承載基板(26)的側(cè)面與所述承載基板(26)的頂面位于同一平面。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅片用托舉件，其特征在于，所述第一托臂(22)和第二托臂(25)放置所述硅片(27)后，所述硅片(27)的上表面不低于所述夾槽(23)的底面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅片用托舉件，其特征在于，所述第一托臂(22)和第二托臂(25)放置所述硅片(27)后，所述硅片(27)的上表面與所述夾槽(23)的底面位于同一平面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅片用托舉件，其特征在于，該硅片用托舉件為不銹鋼件。
專利摘要本實用新型提供了一種硅片用托舉件，位于承載基板上，用于托舉待鍍膜的硅片。該硅片用托舉件包括定位部，其包括第一夾壁和第二夾壁，第一夾壁和第二夾壁之間形成與所述承載基板相配合的夾槽；位于該定位部底側(cè)的托舉部，該托舉部包括第一托臂和第二托臂，第一托臂和第二托臂分別外伸于所述第一夾壁和第二夾壁的外側(cè)面，且所述第一托臂和第二托臂的頂面均向遠離所述夾槽的一端傾斜。上述硅片用托舉件，與硅片的接觸面為側(cè)面，該側(cè)面不需要鍍膜，第一托臂和第二托臂與硅片的待鍍膜面之間留有間隙，即該硅片用托舉件未與硅片的待鍍膜面接觸，從而減小了對硅片鍍膜的影響，減小了硅片表面顏色不一致的區(qū)域，進而提高了硅片的鍍膜質(zhì)量。
文檔編號H01L21/68GK202384380SQ201120572218
公開日2012年8月15日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者于春瑤, 齊海洋 申請人:英利能源(中國)有限公司